NAND闪存

腾讯科技讯 8月7日消息，东芝今天宣布推出多款最大容量为32GB的嵌入式NAND闪存模块，并宣布这些产品完全符合e-MMC＊2和eSD＊3标准。这些嵌入式产品用于移动数码消费产品，包括手机和数码相机。样品将于2008年9月出厂，从第四季度开始量产。

该款32GB嵌入式新产品采用东芝先进的43nm制程技术，收纳了8枚32Gbit（=4GB）的NAND芯片和一个专用控制器。新产品完全符合JEDEC/MMCA Ver 4.3＊4和SDA Ver 2.0＊5标准以及MultiMediaCard Association（多媒体卡协会）和SD Card Association（SD卡协会）专为记忆卡定义的高速存储器标准，支持标准接口连接和简化嵌入，从而减小产品制造商的开发负担。

东芝提供一系列单封装嵌入式NAND闪存，这些闪存产品都包括一个控制器，可用于管理NAND应用的基本控制功能：配备一个NAND接口的LBA-NAND＊6存储器；带有SD接口的eSD大容量芯片；以及配备一个HS-MMC接口的e-MMC。这个综合产品系列的容量从1GB到32GB不等，支持在各种产品中的应用。

随着带有降低开发要求、便于系统设计集成的控制器功能的存储器需求不断扩大，东芝已经采取行动，在这个不断扩大的市场上占领领先地位，同时加入更大容量的模块，这将有助于巩固公司的地位。