友达光电

台湾友达光电（AUO）将在“FPD International 2008”（10月29日～31日，太平洋横滨会展中心）上展出耗电量更低、包装体积更小的液晶面板系列产品。从46英寸电视到8.9英寸迷你笔记本电脑（PC），所有尺寸的面板均将采用“绿色面板技术”。

46英寸面板的重量、厚度和耗电量均比原产品减小了30％。另外，通过改进产品设计，减小了包装体积，“将包装效率提高了66％”（该公司）。另外，除这款46英寸面板外，该公司还计划展出采用LED背照灯光源、厚度减至1cm以下的46英寸液晶面板（照片）。

该公司此外还将展出采用RGB LED背照灯和区域点亮（Local Dimming）技术、对比度为20万比1的46英寸全高清液晶面板。通过调整面板内1296处RGB的平衡来控制亮度，对比度提高至20万比1，同时削减耗电量50％。灰阶为10位，色彩表现范围实现了NTSC比133％。

面向笔记本PC和便携设备导入了节能技术

面向笔记本PC和便携设备用途，友达光电将展出迷你笔记本PC用8.9英寸WSVGA面板、笔记本PC用13.3英寸面板和便携设备用10.1英寸WVGA面板等。迷你笔记本PC用8.9英寸WSVGA面板的耗电量降低了45％以上。开发目标是迷你笔记本PC的电池连续使用时间延长至6小时。笔记本PC用13.3英寸面板通过采用LED背照灯，耗电量降低了45％。其开发目标是笔记本PC的电池使用时间延长1.5小时。

10.1英寸WVGA面板通过LED背照灯和驱动IC两方面实现耗电量的降低。LED背照灯利用根据周围亮度调整自身亮度的“CABC（Content Adaptive Backlight Control）”技术，可削减背照灯耗电量50％以上。驱动IC利用“APSD（Advanced Power Saving Display）技术将源驱动IC减至1个，可削减驱动IC耗电量40％。通过上述耗电量的降低，“可以面向便携DVD播放器和数字相框等用途提供节能型的液晶面板”（该公司）。

中国台湾液晶面板制造商友达光电主席KY Lee透露，未来十年内公司将投资新台币4000亿元（约合126.8亿美元）在台湾构建四个10代或更大尺寸的面板工厂。

本周三在与台湾政界接触时友达光电主席披露了这一计划，先前当地媒体的报导也得到证实。早些时候台湾媒体报导称，液晶面板巨头友达光电将在台湾中部科学园区（CTSP）的新区构建四个下一代面板工厂。

主席表示，友达光电将申请一个构建许可，明年七月将开始在台湾彰化县中部的新园区构建第一个下一代面板工厂，预期在2011年至2012年开始大规模制造液晶面板，但公司至今尚没有最终敲定某些细节，包括新工厂的生产能力和面板规格等。

台湾中部科学工业园区(Central Taiwan Science Park)一位管理人士周三表示﹐友达光电股份有限公司(AU Optronics Corp., AUO, 简称﹕友达光电)计划在该园区兴建三座第10代平板工厂。

这位不愿透露姓名的管理人士表示﹐友达光电已经申请在该园区租用700公顷土地。

据台湾《经济日报》周三报导﹐友达光电将向公司位于该园区的新厂投资至少新台币4,000亿元（合127.4亿美元）。该报导未透露消息来源。

友达光电一位管理人士表示﹐该公司将在园区批准其租地申请之后﹐再最终敲定投资规模和新建工厂数量。

受政府激励措施的吸引﹐很多科技公司都已经在台湾中部科学工业园区兴建工厂。

友达光电4月份时曾表示﹐公司计划在2011-2012年之前建造一座第十代或第十一代平板生产厂。按收入排名﹐该公司是全球第三大平板生产商﹐仅次于三星电子(Samsung Electronics Co.)和LG Display Co。

第十代或第十一代平板生产厂利用更大的玻璃基板切割液晶显示器(LCD)面板﹐从而可以提高产能并减少生产成本。第十代生产厂能够生产对角尺吋超过60英吋的面板。

鉴于越来越多的消费者抛弃了厚重的显像管电视机而选择了更为轻便的LCD电视机﹐LCD生产商正不断兴建新的工厂﹐以满足消费者对大型面板持续增加的需求。

友达光电拓展业务正值三星电子及夏普公司(Sharp Corp., 6753.TO)等其它亚洲LCD制造商巨额投资新厂生产大型面板之际。

兴建一座第十代工厂通常需要耗资至少30亿美元。夏普公司表示﹐公司即将建造的第十代工厂将耗资35亿美元。

友达光电（AUO）使用由第6代大尺寸底板生产线的等离子CVD装置形成的微晶硅，试制出了32英寸电视用TFT液晶面板。该公司在展会上展出了这种新面板，并在研讨会上介绍了其技术内容。

与非晶硅（a-Si）TFT相比，采用微晶Si-TFT有可能获得更高的迁移率。另外，还可实现用多晶硅（p-Si）TFT难以实现的、基于第5代以后大尺寸底板的工艺。使用微晶硅制成的TFT，只需等离子CVD工序即可形成，而且近年来其在薄膜太阳能电池领域的应用也越来越广泛，这些都推动了微晶Si-TFT的开发。

在硅氮化膜上形成微晶硅时，通过实施真空中的界面处理，可消除界面附近产生的多孔质层，得到平滑的膜。通过拉曼（Raman）分光分析后显示，这种平滑膜的结晶度达到60％，与不进行界面处理时的17％相比，有大幅改善。应力试验的结果也表明，与不进行界面处理时相比，获得了更稳定的特性。

在此次试制中，迁移率仍较低，仅为0.5cm2•V-1•s-1，但该公司今后将力争实现比a-Si更高的迁移率，并同时集成外围电路。目前面临的课题是进一步提高结晶度。

友达光电在展会上展出了使用这种微晶硅制成的32英寸WXGA电视用TFT液晶面板。