海力士

　　原本互相竞争的三星电子和海力士为研发下一代半导体、国际标准化和扩大设备及材料国产化，决定携手合作。从9月份开始，双方共同研发兆兆位级(万亿比特)下一代半导体“STT-R随机存储器”的原创技术。

　　两家公司计划从2012年开始重点研发“STT-M随机存储器”，以满足逐渐出现的市场需求。“STT-M随机存储器”是下一代存储器中性能最好的产品，因此，一旦确保基础技术，就可以每年节约5亿美元的专利使用费。

　　此外，为提高半导体设备及材料的国产化，三星电子和海力士还决定在明年年底前追加购买6463亿韩元的国产设备和材料。

韩国海力士(Hynix)半导体和三星(Samsung)电子各自都在加紧努力，开发每单元三位(3-bit-per-cell)的NAND闪存。据《Chosun Ilbo》报道，海力士在6月4日开发出了一款采用3-bit-per-cell技术的32GB NAND闪存。

Lazard Capital Markets的分析师Daniel Amir在最近发表的一份报告中表示：“我们听说三星将在2008年末开始生产3-bit per cell NAND时感到很意外。”

“直到现在，该技术一直只有SanDisk与东芝(Toshiba)拥有，”他说，“但是，三星试图生产3-bit per cell NAND，给SanDisk对于该技术的IP构成挑战。虽然我们不知道未来情形如何变化，但我们认为这可能对SanDisk不利。”

　　全球第二大存储器芯片制造商--韩国海力士半导体一名公司主管5月22日表示，由于部分主流电脑存储器芯片价格近几个月来已回升30%，预期下半年记忆体芯片市场将改善。

　　海力士半导体战略企划室专务权五哲表示，“我们对下半年持审慎乐观的态度。市场最糟的周期已经过去，下半年会有较有利的局面。”

　　权五哲表示，随着厂商抑制投资，再加上下一代生产技术整合遭遇困难，价格复苏情况预计将可持续。

　　他还指出，海力士2009年资本支出可能较今年的2.6万亿韩元(25亿美元)有所增加，但增幅可能有限。

韩国内存芯片制造商海力士半导体(Hynix Semiconductor Inc.)与茂德科技(ProMOS Technologies Inc.)周四分别发表声明称，作为双方战略合作关系的延伸，海力士半导体计划收购茂德科技8%-10%的股份。

茂德科技在声明中表示，根据协议，海力士半导体将通过购买茂德科技私人配售的股票获得茂德科技的这部分股份。但这家台湾公司没有透露交易价值。

茂德科技表示，建立战略联盟是两家公司现有技术合作关系的一种延伸。

海力士半导体还同意授权茂德科技使用其50纳米级芯片生产技术。根据此前协议，茂德科技已经使用了海力士半导体的70纳米和80纳米技术。

【日经BP社报道】 1月24日，新一代非易失性内存基础技术的共同开发签约仪式在韩国汉阳大学综合技术院举行。参加该仪式的有韩国产业资源部、韩国海力士半导体、韩国三星电子，以及汉阳大学相关人士。

海力士与三星曾共同参与07年底开始的、韩国产业资源部推进的“新一代TB级非易失性内存事业”的第二阶段，通过本次的协议签约仪式，双方再次就共同开发新一代内存基础技术达成了共识。

尤其值的关注是，作为全球内存业界最大的两个竞争对手——三星和海力士，除了过去的六个非易失性内存课题之外，还将在备受瞩目的STT-RAM新一代内存的共同开发方面展开合作。

茂德董事长陈民良29日首度松口表示，不急着与海力士 (Hynix)定下来，目前与多家DRAM 大厂都有在接触中。据业者透露，茂德态度公开大转变，主要是因为海力士于2008年下半即将转入54奈米制程，若茂德仅就66奈米制程世代与海力士签约，不仅马上要付出大笔授权金，且所获得的可能是即将退役的短命制程，相当不划算，因此，茂德希望藉由缓兵之计，直接跳过66奈米制程，就50奈米制程世代坐下来谈。

研究处评析：因与Hynix技转66nm合约仍无具体时程，公司表示将以现有70nm(亦即技转自Hynix 80nm)自行向下研发shrink版本因应，预计届时产出可较既有 70nm 上升10%，并将以该制程自行生产1Gb颗粒，并持续与技术母厂协调60nm以下技转事宜 (跳过66nm)，成本结构落后同业2季以上。至于技术母厂是否会由Hynix 转往其它DRAM厂目前仍难以断论，可能的候选人将包括日本Elpida以及美国Micron。