HYNIX

【日经BP社报道】韩国海力士半导体（Hynix Semiconductor）于6月3日宣布成功开发出采用3重单元（3bit/单元）技术的32Gbit NAND型闪存。此次开发出的产品与原来的多层单元（MLS）技术相比，芯片面积能减少30％以上，可大大节约成本。该公司将以此新技术为基础，把仅限于量产16Gbit产品的48nm工艺扩大至32Gbit产品领域。该公司计划从10月开始量产。

新产品是由8枚芯片组成的一个封装，通过将存储量增加到32Gbit，可保存8000首“MP3”音乐数据、20部DVD画质的电影、3万6000张高像素照片或是相当于上述容量的庞大信息。

另外，此次的产品遵循“ONFI（Open NAND Flash Interface）”标准，所以也是“BA（Block Abstracted）”NAND型闪存产品。该产品利用“MSP(Memory Signal Processing)”技术，消除了单元间的干扰现象，解决了这个存在于3重单元产品中的最大障碍。这样，原来的MLS技术今后可以应用于4重单元等新一代产品，此外还有望突破工艺微细化的极限，继续保持存储器的bit增长。

韩国海力士(Hynix)半导体和三星(Samsung)电子各自都在加紧努力，开发每单元三位(3-bit-per-cell)的NAND闪存。据《Chosun Ilbo》报道，海力士在6月4日开发出了一款采用3-bit-per-cell技术的32GB NAND闪存。

Lazard Capital Markets的分析师Daniel Amir在最近发表的一份报告中表示：“我们听说三星将在2008年末开始生产3-bit per cell NAND时感到很意外。”

“直到现在，该技术一直只有SanDisk与东芝(Toshiba)拥有，”他说，“但是，三星试图生产3-bit per cell NAND，给SanDisk对于该技术的IP构成挑战。虽然我们不知道未来情形如何变化，但我们认为这可能对SanDisk不利。”

全球的内存大厂赔钱销售DRAM和NAND Flash芯片多时，终于有业者忍不住了！南韩半导体大厂海力士(Hynix)打响第1炮，日前将正式减产NAND Flash产能，占全球NAND Flash产能达5%之多；内存业者透露，海力士的8吋厂采用57奈米制程生产NAND Flash，成本实在太高，因此忍痛止血，将减产NAND Flash，反映在第2季产出上，也传出海力士2座生产NAND Flash的8吋厂出售案大复活，顺势让海力士在NAND Flash产能上大为减少。

内存大厂赖以维生的DRAM和NAND Flash产品线，这1年来的获利表现，都让业者饿到肚子咕噜咕噜叫，很难长高又长壮，在要卖与不卖、持续生产与减少产出间，心情大幅摆荡；然就在此时终于有DRAM业者愿意设下止血，尔必达出面喊话，将2阶段调涨DRAM价格，日前也传出，海力士将减产NAND Flash产出，看来大家面临巨额亏损下，已渐渐做出适当的停损点。

海力士目前NAND Flash生产以8吋厂为主，目前主流制程为57奈米制程，但以目前市场上的NAND Flash价格来看，从2Gb、4Gb、8Gb和16Gb的低容量到高容量，成本压力均相当大，然海力士下世代48奈米制程又还未成熟，良率和生产成本均未跨过经济规模， 若生产60奈米的NAND Flash，其实亏的比生产DRAM还要多。

根据下游业者透露，海力士已决定减产NAND Flash生产，预计在1.5~2个月后反映在产出上，意即海力士的第2季的NAND Flash产出将呈现减少，预计减少的产出将占全球产能5%。内存业者分析，这对海力士是好事一桩，因为对整体获利结构将有帮助。

此外，日前也传出，海力士减少NAND Flash产出，是因为之前原本要出售生产NAND Flash的M8、M9的8吋厂将出售，但后来此计划打住，当时也没说死一定不卖；然近期即传出这2座8吋厂还是打算出售，因为用8吋厂来生产NAND Flash，实在不符合成本效应，因此对海力士而言，NAND Flash的产能也顺势减少。

海力士下世代NAND Flash的48奈米制程，目前还未真正成熟，等到量产之时，生产成本可进一步下降，对整体获利有正面帮助，下游厂推断，但在48奈米制程此之前，海力士必须做出对获利结构最有利的产品组合，因此宁愿选择减产成本较高的57奈米制程NAND Flash芯片。

此外，在三星电子(Samsung)方面，目前制程技术为50奈米制程，下世代为40奈米制程；东芝(Toshiba)目前制程为56奈米，接下来将导入43奈米；英特尔(Intel)和美光(Micron)则是选择跳到35奈米制程。

图说：南韩半导体大厂海力士的8吋厂采用57奈米制程生产NAND Flash，因生产成本太高，因此将减产NAND Flash。彭博

全球第二大存储器芯片制造商--韩国海力士半导体3月7日表示，今年将对中国的合资企业追加投资2.60亿美元，以扩大产能。

其位于无锡的合资企业是和意法半导体(STM)共同成立，也是海力士唯一的海外芯片厂，初期投资金额为20亿美元。

海力士在2007年曾投资15亿美元扩增无锡厂的产能。

海力士在提交韩国证交所的文件中表示，在增加投资后，海力士对合资企业的持股比例将升至77.44%。
 

据3月7日国外消息报道，本周五全球第二大内存片制造商韩国的Hynix半导体公司宣布，为了扩展产能，今年它将对在中国的合资企业再投资2.60亿美元。

据悉，韩国在中国的这家合资企业位于江苏省无锡市，由Hynix半导体与意法半导体（STMicroelectronics）合资组建，初建时总投资额为20亿美元，这也是这家韩国内存片厂商在韩国以外的第一个芯片工厂。2007年，Hynix半导体在无锡的该工厂完成了15亿美元的产能建设。
据介绍，Hynix半导体在提交给韩国证券监管机构的文件中称，在这次追加投资后，它对该合资企业的股份将提高至77.44%。但是在这份文件中，Hynix半导体没有叙述目前它对该合资企业的持股比例。

世界两大芯片生产商韩国三星公司和韩国海力士半导体公司7日表示，它们对全球半导体市场短期前景感到悲观。

三星公司半导体业务总负责人黄昌圭说，由于供给过剩，以及与日本、台湾同行竞争激烈，全球半导体市场行情已跌至谷底。

近期，三星公司报告显示，由于价格下滑，该公司第四财季半导体业务利润下滑了74％。海力士半导体公司则出现了4年来首次季度亏损。

黄昌圭说：“供给过量导致全球（半导体）市场行情持续下滑，预测未来走势也就变得越来越难了。”海力士半导体公司首席执行官金钟甲也认为，今年上半年全球半导体行业很难出现好转。但他补充说：“随着下半年需求增强，我们预计情况会有所改变。”

编译潘骏谊．综合外电
    
南韩半导体公司Hynix Semiconductor Inc. (000660-KR)周五表示，为了扩充DRAM芯片产能，他们今年将投资 2.469兆韩元 (2.6亿美元)于他们在中国的合资芯片厂。
 
Hynix 为全球营收第 2的DRAM制造商，他们将投资与欧洲电子及半导体商 STMicroelectronics N.V. (STM-US)合资设立的 Hynix-ST Semiconductor Ltd.。

Hynix 发言人 Hyun Park表示，此次投资将用以设置12吋晶圆产线，这也是他们今年资本支出预算 3.6兆韩元的一部分。

Hynix 表示，本次投资后 Hynix对Hynix-ST的股权持有率将增至77.4%。
 

Samsung及Hynix日前表示，为主导次世代内存市场，将首度共同进行Terabit级次世代非挥发性内存组件（STT-MRAM、垂直磁气型非挥发性内存）之核心技术研发，研发次世代内存并已谛结了共同研发合约。

据了解，自1992年共同研发64M DRAM（Samsung、现代电子、LG半导体）之后，此为韩国半导体公司16年来再度进行研发合作，预料此举将对于试图透过掌握次世代内存技术，重新夺回内存市场主导权的日本业者产生影响。日本的Toshiba、NEC、Fujitsu自2006年以来，便致力于STT-MRAM的研发，共同执行由日本官方投入30亿日元的研发计划。

Samsung及Hynix目前已购买了韩国政府主导的次世代非挥发内存事业第一阶段所取得的内存组件、制作方法、高集积非挥发性内存用相变化材料等共8件专利，其条件是未来商用化时，销售额的一定比重要支付授权费。

來源：路透社
                
继南韩半导体制造商Hynix停止对DRAM现货市场供应后，日本最大DRAM制造商Elpida也将减少对现货市场的供货。

Elpida行政主管 Takehiro Fukuda表示，公司将DRAM直接卖给客户，售价可提高 30%。根据DRAMeXchange的资料，今年受到记忆体晶片供应过剩的影响，现货价格已大跌 77%。

Fukuda指出：“我们的业务模式有助公司在DRAM价格大幅下跌时仍能维持获利。”他不愿透露合约销售占整体比重为多少。

Elpida和南韩Samsung Electronics为提振获利，主攻手机、相机和游戏机用的DRAM晶片。

券商SBI E*Trade Securities分析师HideyukiSuzuki表示：“Elpida在市场严峻时表现相对良好。DRAM的获利似乎正在改善，Elpida的情况也愈来愈好。”

Fukuda表示，公司年度第1季(4-6月)的营业获利将超过37.4亿日元。分析师预估 7-9月获利达 107亿日元，较去年同期减少37%。

Sony昨天宣布与 Qimonda合资成立DRAM设计公司，Fukuda坦承：“ Samsung和我们都会受到影响，但程度不大。”Elpida也供应DRAM晶片给Sony的 PlayStation游戏机和Bravia电视。

來源：优格网

南韓大廠海力士（Hynix）自2007年10月起将正式着手非记忆体事业,海力士相关人士表示,将着手变更一部分8寸产线,用以生产非记忆体.



过去,海力士将Magnachip分割出来后,曾与Magnachip订立<3年间不会进入非记忆体事业>,但此契约将于2007年10月到期,故海力士将产开非记忆体事业.



海力士计划藉投入非记忆体事业,于2010年营收可达180亿美元,成为全球顶尖半导体企业.