SDRAM

 

                           尔必达内存字结构为16M字×32bit的512Mbit DDR2格式SDRAM“EDE5132AABG”

尔必达内存将上市字结构为16M字×32bit的512MB DDR2 SDRAM“EDE5132AABG”。这是“全球首款”总线为32bit的DDR2 SDRAM（该公司）。而此前设备厂商在DDR2 SDRAM中实现32bit线幅时，需要使用两个总线幅为16bit的DRAM。该产品设想用于数字电视、机顶盒（STB）、PND、数码相机以及数码摄像机等。

此次的产品与使用两个总线幅为16bit的256MB产品相比，封装底板面积可缩小约25％，封装端子数可减少约23％，功耗可降低约20％。而且，通过单芯片化，还可抑制EMI，从而提高可靠性。

电源电压为1.8V。数据传输速度为250M～1066Mbps。ODT（On Die Termination：芯片终结电阻）的阻抗值除了以往的50/75/150Ω之外，在此次产品中还可选择新追加的225Ω。封装采用外形尺寸为13.5mm×10.5mm×1.2mm的128端子FBGA。采用70nm级别工艺技术制造。预定08年5月底开始样品供货，08年9月开始量产。（记者：小笠原 阳介）
 

如今的SDRAM（同步动态随机存储器）存储器市场，日趋走低的价格让众多生产厂商头痛不已，而随着笔记本电脑、手机等移动终端以及家用数码产品的大规模增长，存储器的移动性和能耗问题已广泛受到业界关注。日前，JEDEC(全球半导体标准组织)委员会会议在上海举行，推动存储工业新标准制定。

在过去五年内，JEDEC曾与中国半导体行业组织合作，促进中国及世界的半导体行业标准。例如中国电子标准协会(CESA)，中国半导体行业协会(CSIA)与中国电子标准研究所(CESI)等。多个JEDEC标准已经相继被翻译成中文，且可以在CESI网站获取。如今，我国企业已占JEDEC会员数的20%，而且数目还在增长。JEDEC本次会议主要研究了DDR3 SDRAM（第三代双倍速率同步动态随机存储器）模块和支持逻辑，以及不同款式的DDR3非缓冲性UDIMM（无缓冲双列直插内存模块）桌面内存条，笔记本电脑SODIMM（小型双列直插内存模块）内存和服务器RDIMM（带寄存器的双列直插内存模块）内存，而这些将应用于正在开发的下一代消费产品中。

基于SDRAM存储器标准DDR3的新品面市以来，在市场上价格持续走低的现状是亟须面对的问题。在3月5日JEDEC举行的记者招待会上，CST公司总裁Cecil Ho接受《中国电子报》记者采访时透露，SDRAM内存目前其实不赚钱，原本SDRAM内存市场价格战就非常严重，而众多中国台湾厂商凭借低廉的人力成本的加入对此无疑是雪上加霜。但他表示，从内存市场价格的历史来看，原本就是抛物线的走势，不久之后价格一定会再上扬。

随着笔记本电脑、手机等移动终端以及家用数码产品的大规模增长，无疑将会带动SDRAM存储器市场的增长。澜起科技(上海)有限公司首席执行官杨崇和博士接受《中国电子报》记者采访时表示，SDRAM存储器在移动终端的应用将成为其较大的市场，而这其中带来的问题就是存储器标准问题，目前应用在移动设备上的SDRAM存储卡尚无统一标准。

此外，移动SDRAM存储器对能耗问题也提出了较高要求。目前，低能耗的DRAM（动态随机存储器）颗粒已被用到一些有低能耗需求的产品上，移动电话已开始应用低能耗DRAM缩小产品体积，减小能耗及加强功能。JEDEC的LPDDR2（低能耗DDR2内存）标准将会在短期内公布，而LPDDR2标准颗粒也将会在今年下半年面市。

来源:技术在线

【日经BP社报道】

　　韩国海力士半导体（Hynix Semiconductor）发表了内置ECC（纠错码）、工作频率为185MHz的Mobile DDR同步DRAM。容量为512Mbit。据介绍，配备的ECC将消耗电流降低到了原产品的近一半。

　　工作频率为185MHz、使用32位输出输入接口时的数据吞吐量为1.5GByte/秒。通过配备的ECC，与平时相比，可加长刷新动作的间隔，从而降低耗电。另外还配备了原有的省电力功能，可用于大范围的移动应用。这些功能分别是TCSR（温度补偿自刷新功能：根据温度调节刷新动作的频率）、PASR（局布阵列自刷新：局布选择内存阵列进行刷新动作）及DPD（深度功率下降：长时间无访问时停止扇区及扇区启用以外的输入缓冲）。

　　采用了80nm工艺。以符合JEDEC规格的输出端子，以及封装形式提供。另外还计划与NAND闪存配套，以多芯片封装（MCP）或堆叠封装（PoP）的形式供应。预定在第3季度早些时候开始样品供货，在2007年下半年开始量产。（记者：峯 里里）