Toshiba

《日本经济新闻》报导，电子大厂Sony Corp. (6758-JP)和Toshiba Corp.(6502-JP)计划大幅提高液晶电视(LCD TV)委托台湾厂商代工的比重，以在价格竞争愈来愈激烈的情况下降低成本。
 
虽为这两家日本公司持续在自家工厂生产LCD TV，但为了因应需求成长，他们有意扩大使用台湾电子制造服务公司 (EMS)的产能。这与Sharp(6753-JP)和 Matsushita Electric Industrial Co.(6752-JP) 的策略迥然不同，后者仍自制 LCD面板和电视以维持其技术优势。

Sony在2007年度委托台湾厂商生产约50万台LCD TV ，计划2008年度提高到 300万台以上。据了解，Sony已与全球最大 EMS厂鸿海 (2317-TW下单)签订协议。

包括中国和墨西哥代工厂生产的电视在内，Sony将 2008年LCD TV产量目标订在1700万台。代工厂商生产的比重将由2007年度的5%以下上升至约20%。

Toshiba 则委托仁宝 (2324-TW)生产LCD TV。 Toshiba预估2008年度LCD TV出货达 700万台，仁宝在中国的工厂可能代工20%。

Sony和 Toshiba委托的产品主要是 30-40吋的产品，这些款式的价格竞争尤为激烈。

两家公司也向外采购 LCD面板。Sony向与南韩 Samsung Electronics(005930-KR)合资的 S-LCD以及 Sharp采购面板。 Toshiba也计划提高对 Sharp的面板采购量。

【日经BP社报道】东芝将把四日市工厂（三重县四日市市）200mm晶圆生产线的闪存生产能力压缩至目前的60％左右。减少200mm而扩大300mm晶圆的生产比例，意在提高闪存生产效率、强化生产成本竞争力。今后，缩小后的200mm晶圆生产线将专门生产MCP（多芯片封装）产品等。

同时，东芝将停产与美国SanDisk合资的基于200mm晶圆的闪存生产公司——Flash Vision。停产后，东芝将购买其必要设备，转用于四日市工厂等。不需要的设备，今后将出售给其他公司。（记者：赤坂 麻实）

NAND Flash市况不佳，日本NAND Flash芯片制造大厂东芝（Toshiba）宣布大幅调降本会计年度（至3月底）的半导体部门获利预估，降幅高达43.33%。东芝也是继英特尔之后，又一家因市况不佳拖累，调降获利指标的国际大厂。

法人认为，英特尔、东芝先后因NAND Flash市况不佳冲击获利，将牵动全球NAND Flash概念股走势；投信法人预期，包括上游群联（8299）、慧荣等IC设计公司，以及威刚（3260）、创见（2451）、劲永（6145）等内存模块厂，以及至上（8112）等通路商恐将受到牵连影响。

东芝去年10月时预估本会计年度半导体部门获利可达1,500亿日圆。东芝指出，由于NAND Flash价格跌幅超乎预期，因此下修获利预估值为850亿日圆，与先前预估相较，下修幅度达43.33%；东芝并下调全年内存营收预估值，由5,800亿日圆降为5,380亿日圆，修正幅度约7.24%。

NAND Flash今年以来价格一路走跌，以16Gb容量的MLC与SLC规格现货价格为例，均价各由去年底的5.83美元及24.3美元下探至5.08美元及18.51美元附近；3月各种容量芯片合约价也普遍下跌在5%以上，部分SLC规格芯片跌幅更超过一成，纷纷触及波段新低。

法人指出，NAND Flash价格下滑，可望激励下游买气，让业者出货量增加，对业者营收规模冲击度较小，但由于芯片价格下滑恐造成业者库存跌价损失，将严重挤压获利空间，这一点由东芝获利预估大降逾四成，但营收预估值仅减少不到一成便可看出端倪，因此相关业者是否能推出毛利较高的利基型产品因应价格不振，将是近期营运重要观察指标。

在东芝之前，英特尔便因为看坏NAND Flash走势，调降本季毛利率预估，由原56%降为54%。英特尔认为，受产能过剩影响，本季NAND Flash价格将比上季大跌53%，远高过该公司原预期的27%，也大过去年下半年价格平均跌幅的28%。

台湾NAND相关业者认为，本季NAND Flash市况不佳已是确立态势，但价格要再大跌的机率不大。威刚预期，由于目前整体状况仍有很多不确定性，包括苹果可能减少需求，以及美光（Micron）等大厂产出持续增加，将成为大环境的变因，估计市况要到4月中旬过后才有起色。

2月上旬Toshiba/SanDisk在International Solid State Circuits Conference (ISSCC)活动中宣布将于今年三、四月间推出43纳米制程的16Gb MLC型芯片（其面积比56纳米的16Gb MLC少百分之三十），并预计在使用同样43纳米制程的条件下于第三季推出32Gb MLC型芯片。另一方面，现有56纳米制程也将在三、四月间开始生产3 bit per cell (x3)的MLC型芯片，在同样12吋晶圆上x3的颗粒数将比现有标准MLC型（2 bit per cell）颗粒数多出百分之二十以上。这样的宣布无疑是表示该阵营目前仍是市场各主要供货商中制程开发速度最快的厂商，也一举开启今年各NAND Flash供货商的制程技术进入4x纳米竞赛的阶段。

过去数年，借助NAND Flash制程每年往前推进一个世代和各厂商大举兴建12吋晶圆厂的条件下，各种使用NAND Flash作为储存媒介的应用如：标准记忆卡、随身碟、MP3/PMP、手机等产品的储存容量快速增加。以MP3/PMP为例，2005年苹果推出内建NAND Flash的iPod nano时，容量有1、2、4GB三种，2007年9月第三代iPod nano推出时其储存容量推升至4和8GB，而当时第一代iPod nano 4GB的售价是249美元，如今第三代iPod nano 8GB的售价仅199美元。目前iPod家族中使用NAND Flash容量最高的产品已不是iPod nano而是iPod Touch，容量已提升至32GB，其价格499美元比第一代iPod nano售价多出一倍，但储存容量却多了七倍之多。

上述iPod的NAND Flash储存容量和价格的变化都在不到三年的时间内发生，由此我们可清楚地知道NAND Flash制程的往前推进和12吋晶圆厂的兴建对其相关应用的影响性相当地大。如今Toshiba/SanDisk阵营宣布即将量产43纳米的16Gb MLC型芯片和56纳米的16Gb x3型芯片，我们相信往后数年终端市场的消费者将可以相对低廉的价格买到更高储存容量的NAND Flash相关应用，就如同iPod在过去三年所发生的价格和储存容量的变化一样。

东芝日前发布讯息表示，将于2008年第3季量产业界最大容量之单芯片32Gb NAND Flash。采用制程则为全球最小线幅之43奈米技术。该公司希望藉由大容量化，进一步渗透可携式音乐播放器、行动电话等产品之应用市场。

新产品将在位于三重县四日市、2007年底正式投产的第4工厂生产。目前其它NAND Flash厂商生产之主力仍为16Gb产品。在目前的时点，量产32Gb NAND Flash，在记忆容量上超越市占率首位的韩国Samsung之可能性极高。

此外，在16Gb产品部份，由原本之56奈米制程转换为43奈米制程生产的产品，亦将开始样品出货。藉由制程之细微化，相较以56奈米制程生产，芯片面积约可缩小3成。

东芝日前宣布，该公司以43nm精密制程生产的16Gb NAND型闪存，已正式开始样品出货，预定于3月正式量产。此外，该公司也计划于7～9月利用相同制程量产32Gb产品。

东芝指出，43nm世代的16Gb产品，芯片面积约为120mm2，约较56nm世代产品缩减30％。而并列配置的Memory Cell（NAND String）数量，也由56nm世代的32个倍增为66个。

而在32Gb容量产品方面，该公司则计划于今年7～9月正式量产，生产业务将由甫于去年底投产的日四市厂第四厂房负责。若能顺利量产32Gb产品，届时东芝将可望在储存容量方面超越目前业界龙头—韩国三星电子。

而在东芝的NAND Flash新厂建厂计划方面，部份日本媒体日前报导「已初步决定将于日本岩手县北上市兴建」；对此，该公司则表示：「并未决定于岩手县北上市建厂，目前仍在评估阶段。」

【日经BP社报道】 东芝2007财年第三季度（2007年10～12月）的半导体业务销售额比上年增长0.8％、达到3517亿日元；营业利润同比减少29.4％、降至168亿日元。原因是收益支柱的NAND闪存的价格“较上季度骤跌25％”（该公司代表执行专务董事村冈富美雄）。这样一来，估计半导体业务07全财年（2007年4月～2008年3月）的营业利润将大幅低于财年初预测的1500亿日元。

幅跌达到50％，超过财年初预测

以NAND闪存为主的存储器业务，虽然销售额比上年增长20％、达到1385亿日元，却出现大幅减益。NAND闪存的价格进入08年后仍然持续下跌，该公司估计第四季度（2008年1～3月）将比上季度下跌20％。这样，07全财年的价格下跌幅度将超过该公司财年初的预测值（40％/年），达到50％/年。

而另一方面，由于NAND闪存的需求“正持续增长”（村冈），该公司将不断扩充四日市生产工厂的产能。已于07年12月正式开工的300mm生产线“Fab4”的产能将在08年3月前如期达到4万枚/月，在08年12月前达到8万枚/月。由于成品率和处理能力的提高，估计该公司07全财年的位增长率将达到超出财年初计划（130％/年）的160％/年。下一代的300mm生产线“Fab5”方面，仅表示“不受眼前市场行情的影响，将根据中长期发展规划于07财年内做出决定”（同）。

整个半导体业务方面，独立半导体器件的第三季度的销售额比上年增长5.6％、达到624亿日元，SoC（系统芯片）的销售额同比减少13％、降至1508亿日元。电视系统芯片业务形势良好，不过手机系统芯片业务表现低迷。半导体业务全财年的营业利润要达到1500亿日元，第四季度就必须实现681亿日元的营业利润，这对该公司来说“是相当严峻的数字”（村冈）。

东芝日前发表2007年10～12月财报，半导体事业营收较前一年同期减少0.8％，成为3517亿日圆；营业利益则锐减了29.4％，仅及168亿日圆。获利大减的主因，在于东芝主力的NAND型闪存价格大幅滑落。受此影响，该公司2007年度（2004/4～2008/3）半导体事业营业利益，恐将较原定计划的1500亿日圆大幅减少。

东芝2007年10～12月以NAND型闪存为主的内存产品营收虽成长20％，达到1385亿日圆，但获利却大幅衰退。进入2008年之后，闪存价格跌势依然不止，预估2008年1～3月仍将下跌20％。受此影响，2007全年度价格跌幅预估将达到50％，超过该公司原预估的40％。

另一方面，市场对于闪存的需求却也加速成长，东芝也持续扩充生产据点—四日市工厂的产能。2007年12月投产的12吋晶圆生产线「Fab4」，2008年3月月产能可望达4万片，同年12月倍增为8万片。在良率与生产效率提升的带动下，2007全年度该公司的位（bit）成长率，可望达到160％，超越原预估的130％。

而在整体半导体事业方面，2007年10～12月个别半导体营收增加5.6％，达到624亿日圆；SoC（system on a chip）营收则减少13％，成为1508亿日圆。该公司表示，电视用SoC需求畅旺，但手机用途则相对低迷。

DIGITIMES    连于慧／台北  2007.10.12

eNet硅谷动力    2007-07-24  

东芝上半年净利成长料达3%,因芯片价格跌势有所缓和.

　报导称,东芝4-9月净利料达400亿日圆(3.30亿美元).

　东芝先前预测净利100亿日圆.

　报导指出,3月底时,快闪记忆体(闪存)价格年度跌幅达80%,但目前跌幅缩减至40%.

　东芝预定周五公布第一季财报.4-6月营业利润料较去年同期小幅成长,净利料成长四倍至200亿日圆,因出售音乐品牌Toshiba-EMI股权的挹注.