Micron

●美光（Micron）首度来台举办内存日，内存系统发展副总裁Dean Klein（左起）、NAND市场发展处长Kevin Kilbuck、亚洲区业务处长林嘉星等共同宣布，已成功以34奈米生产具良率的32Gb NAND闪存晶圆，将全力进军SSD市场。图／涂志豪

美国内存大厂美光科技（Micron）昨日首度在台湾举办内存日（Memory Day），除了宣布成功以34奈米生产具良率的32Gb NAND闪存晶圆，也将大举进军32GB至128GB等高容量固态硬盘（SSD）市场。美光内存系统发展副总裁Dean Klein表示，SSD将是NAND市场最大的希望所在。

另外，美光自2001年开始分散DRAM产能至CMOS影像传感器（Image Sensor）后，至去年才决定在新加坡兴建新12吋厂，所以这段期间DRAM市占率一路下滑，今年第一季全球排名已滑落至第四。Dean Klein表示，与南亚科合资亚美科技，就是代表美光未来几年将更积极争取DRAM市占率。

美光首度来台举办内存日，聚焦在NAND闪存市场布局。NAND市场发展处长Kevin Kilbuck指出，今年将是NAND市场规模首度大于标准型DRAM市场的一年，代表NAND已是内存厂不可忽视的市场，美光在2008年会计年度（2007年9月至2008年8月）投入20亿美元兴建12吋厂，大举扩充NAND产能，且预计第四季正式以34奈米量产32Gb NAND芯片。

Dean Klein表示，美光加快NAND技术研发及产能扩充速度，主要是看好SSD的强劲成长力道，因为笔记型计算机、工业计算机、工作站及服务器等，均已开始采用低功耗的SSD做为数据储存媒介。美光预估今年全球SSD市场规模将达9.59亿美元，2012年则上看44亿美元，等于5年内市场成长近5倍，所以SSD将是NAND市场最大的希望所在。

美光昨日也正式宣布，将利用最新34奈米的32Gb NAND芯片，针对笔记型计算机等市场推出2.5吋及1.8吋的SATA规格SSD，支持容量由32GB至256GB，同时也将针对服务器及工业计算机市场，推出2.5吋SATA规格SSD，支持容量介于16GB至128GB。

至于在DRAM市场的布局上，美光则表示，与南亚科的合资案已经积极进行中，今后将会积极夺回市占率。根据业内人士透露，南亚科已将旗下8吋厂设备出售予奇异资融（GE Money），开始与美光合作将该厂升级为12吋厂，明年将以68奈米以下先进制程开出新产能，所以两家DRAM厂明年资本支出将扩大，DRAM业的市占率之争看来仍未有停止迹象。

内存大厂美光科技(Micron)进军NAND Flash市场以来，亚洲市场几乎成为全球NAND Flash业务的重镇，美光10日首次在台举办Micron’s Memory Day，与亚洲地区的系统客户和控制芯片设计公司交流，美光也首度公开宣布将进军快闪记忆卡市场，瞄准OEM客户作为主要的合作对象，但目前没有经营自有品牌的打算，同时也宣布34奈米制程以及新产品固态硬盘(SSD)和eMMC的领先进度。

美光首度公开宣布，将由NAND Flash芯片制造的生意，正式进军快闪记忆卡市场，但强调美光的记忆卡策略，只会专注在OEM客户端，不会跨足自有品牌和通路上，也不会将成卡供应给内存模块客户，单纯只是与OEM客户合作，自有品牌的部分则交由子公司，也是品牌记忆卡厂Lexar来负责。

美光首度在台湾举办NAND Flash研讨会，面对面与台湾的内存模块厂客户，和合作伙伴控制芯片设计公司交流。美光表示，亚太地区已是美光在全球NAND Flash业务上的重镇，亚太地区占美光全球NAND Flash业务约40%之多，未来也将增加与控制芯片设计公司的技术交流。

美光内存系统发展事业部门副总Dean A. Klein表示，美光在2005年正式与英特尔(Intel)各自出资51%和49%成立NAND Flash厂IM Flash，2006年合并快闪记忆卡自有品牌厂Lexar，逐一宣示美光深耕NAND Flash市场的决心，美光也在2006年7月推出第1颗50奈米制程的NAND Flash芯片。

根据市调机构WSTS统计，2008年全球DRAM芯片和闪存芯片的产值分别为249亿美元和254亿美元，在DRAM芯片当中， PC相关的DRAM和非PC相关芯片的产值，分别为149亿美元和100亿美元，而在闪存中，NOR Flash和NAND Flash市场的产值分别为78亿美元和176亿美元，整体来看，2008年合计NOR和NAND Flash的产值已超过DRAM。

美光NAND Flash产品事业部处长Kevin Kilbuck表示，日前美光和英特尔将NAND Flash制程推进至34奈米，相较于竞争对手的下世代制程都在40奈米，美光的进度足足比他们早了1年，第1颗32Gb MLC(Multi-Level Cell)芯片，也开始送样给客户作测试。

除了记忆卡产品之外，美光也极力发展SSD和内嵌式内存eMMC产品，美光预估2008年SSD市场规模约9.59亿美元，到了2012年之后，SSD市场规模将达44亿美元，其中以笔记型计算机(NB)应用为主。

（中央社台北2008年4月01日电）根据彭博社报导，美国内存芯片生产龙头美光科技 (US-MU)周一在美股出现近2个月以来最大涨幅，拜产品价格自去年8月以来首见上涨的利多激励。

花旗分析师Glen Yeung在研究报告中指出，2月份动态随机存取内存 (DRAM)均价较元月份上涨3.1%。此外，日本内存芯片生产一哥尔必达Elpida Memory Inc.(JP-6665)宣布本月拟调涨DRAM售价20%。

美光大涨51美分或是9.3%，收盘报5.97美元，创2 月1日以来最大单日涨幅，今年以来股价累计下挫18%。

DRAM价格调涨反映出产业供给过剩情形可能获纾解。生产过剩导致美光去年出现4年以来首见亏损，而南韩三星电子 (KR-005930)为唯一获利的DRAM大厂。

Yeung指出，DRAM市场最快可望在今年下半年达成较佳的供需平衡，因美光等DRAM厂商削减成本支出。

李纯君、涂志豪／台北报导

DRAM产业进入汰弱留强的新时代，新的策略联盟关系可望陆续浮出台面。外资圈盛传，美光科技目前正与南亚科技、奇梦达（Qimonda）洽商合资设厂与并购的相关事宜，最快在三月至四月间定案，而业内更传出美光科技执行长爱波顿（Steve Appleton）更于农历年前密访南亚科高层，显见三大DRAM厂合作好事将近！

2月3日消息，据外电报道，英特尔和美光科技日前发布一种新的闪存架构。这种闪存架构通过消除传统NAND闪存的瓶颈，提高数据传输速度。

英特尔和美光科技的合资企业IM Flash开发出一种8GB单层式储存格NAND闪存芯片，读数据的速度可达每秒200MB，写数据的数度可达每秒100MB。这就意味着固态硬盘和视频卡的速度传输将更快。

美光科技发言人Kirstin Bordner称，随着数字视频录像机的和视频点播服务的日益流行，高速NAND闪存传输高清晰度电影的速度要比传统的NAND闪存速度快五倍。美光科技和其它厂商目前生产的NAND闪存的读数据的速度为每秒40MB，写数据的速度为每秒20MB。

Bordner称，NAND闪存芯片架构的改变和改善了读写电路是提高NAND芯片速度的主要原因。这种芯片的架构达到了ONFI（开放NAND闪存接口）2.0技术规范定义的速度。美光科技是2006年创建的ONFI工作组的创始人公司之一。其它成员公司还包括海力士半导体、英特尔、Phison电子、索尼和意法半导体。

美光科技目前正在生产这种高速NAND闪存的样品，预计在2008年下半年开始大批量生产。

美光科技和英特尔联合生产的这种高速NAND闪存芯片将与全球顶级的闪存芯片厂商三星电子和东芝展开竞争。三星电子和东芝这两家公司目前占全球NAND闪存芯片市场60%的份额。这两家公司去年签署一项协议将采用同样的技术规范开发速度更快和功能更强大的NAND闪存芯片。

來源：钜亨网
                
半导体类股周三下跌。Micron (美光)盈余报告不佳，Morgan Stanley吁减码Intel (英特尔)，Advanced Micro Devices (超微)与Nvidia股票，为半导体股带来压力。

Morgan Stanley将这三家晶片制造商评等核定为减码，并指出英特尔与超微均面临客户订购微处理器数量超过需求的风险。

下午交易中，费城半导体指数下跌12点。美光因公布报告显示记忆晶片价格疲弱，股价重挫9%。

英特尔与超微股价均下跌逾2%，Nvidia股价下跌5%。

來源：钜亨网

因担忧记忆晶片供给过多及库存上升，Micron (MU-US；美光)股价周三早场下跌逾7%。

Cowen公司分析师Betsy Van Hees说：“我们持续预期，DRAM与NAND记忆体仍将供过于求。”他并重申将美光评等核定为观望。

早场交易中，美光股价下跌86美分至10.93美元。

分析师说，DRAM与NAND价格下跌，将超越美光降低晶片生产成本的能力，对其毛利率造成压力。

美光公司说，因降低制造成本，第四季NAND部门首度损益两平。美光系透过与英特尔公司合资，制造NAND。

周二晚，美光公司说，因使用于个人电脑与消费电子产品的记忆晶片持续跌价，第四季出现净损，去年同期则为获利。

美光公司公布第四季度亏损1.58亿美元，或每股21美分。这份财报中，包含部份准备交货的晶片或目前正在制造的晶片减值2000万美元，还包括1900万美元的重整费用。

去年同期，位于爱达荷州的美光公司公布净利6400万美元，或每股8美分。

8月30日结束的一季，美光公司销售额为14亿美元。去年同期为13.7亿美元。

今年以来，使用于个人电脑的DRAM记忆晶片价格疲弱，使得美光公司饱受压力。今年至目前为止，DRAM的现货市场价格下跌了约75%。

來源：钜亨网        

美国记忆体大廠美光（Micron Technology）日前於盘后公布2006年度第4季(6-8月)财报，受到DRAM价格下跌的拖累而转盈为亏，盘后交易下跌3%。

Micron年度Q4亏损1.58亿美元或每股21美分，公司减记了2000万美元的DRAM资产，并提列了1900万美元的重整费用。去年同期获利6400万美元或每股8美分。

营收由13.7亿美元增至14亿，符合市场预期。Micron表示，上季的DRAM和NAND快闪记忆体价格都下跌15%。

Micron有约50%营收来自PC用记忆体晶片，今年DRAM价格疲弱明显影响公司业绩。市场环境艰困，迫使公司在夏季裁员1100人，占全球员工总数5%。Micron表示，将致力降低营收成本并提高生产效率。

2日收盘，Micron股价上涨0.44美元或3.88%收11.79，盘后下挫0.39美元或3.31%报11.40。

来源：eNet硅谷动力  2007.06.30

北京时间6月29日硅谷动力从国外媒体处获悉：计算机内存芯片生产商美光科技于当地时间本周四宣称，由于绝大部分产品受到价格大幅下滑影响，该公司第三财季净亏损达到2.25亿美元。由于连续两个季度出现亏损，美光当天表示将实施裁员计划，但并未透露具体裁员数目，目前该公司员工总数达到2.2万人。

　　在截至今年5月31日的第三季度，美光净亏损达到2.25亿美元，摊薄后每股亏损29美分，同时营收达到13亿美元。相比之下，该公司去年同期净利润达到8800万美元，每股收益达到12美分，同时营收达到13.1亿美元。根据汤姆森金融此前进行的调查显示，分析师普遍预测美光第三季度每股亏损将达到24美分，同时营收将达到12.6亿美元。

　　 美光当天表示，今年3至5月份，该公司DRAM产品价格下滑35%，同时NAND闪存芯片价格下滑30%。美光全球销售副总裁迈克尔-萨德尔在当天举行的电话会议上表示，很明显，这是一个极具挑战性的季度，美光面临的主要问题是内存芯片市场供过于求。萨德尔同时表示，所有产品市场需求依然强劲，我们相信我们的业绩将得到改善。

　　与此同时，美光还在当天做出人事调整，现任首席运营官Mark Durcan将出任总裁，前总裁Steve Appleton将继续担任首席执行官和董事长。尽管如此，美光当天并未给出当前财季营收和利润预期。业内分析人士预测，美光第四季度营收将达到13.9亿美元，同时每股亏损将达到11美分。在当天常规交易中，美光股价下跌25美分，报收于12.41美元；在随后的盘后交易中，该公司股价上涨28美分，报收于12.69美元。