NAND Flash

上周DRAM价格变量不大，NAND FLASH价格则是弱势探底，预料本月DRAM厂力晶(5346)、茂德(5387)等营收仍有机会成长，但模块厂创见(2451)、威刚(3260)的成长的幅度较为受限。

由于六月DRAM制造厂商季底作帐，使得价格压力浮现，现货价格小幅波动，DDR2 1Gb eTT维持在2美元以上狭幅波动，合约价则是持平至小涨。

价格持平，产出持续增加，四大DRAM厂力晶(5346)、茂德(5387)、南科(2408)、华亚科(3474)在5月营收交出月增率逾20%的佳绩后，6月虽成长动能略减，惟预期仍有个位数百分比至10%的营收成长空间。

来源:eNet硅谷动力   2007-06-15    宋子远

　　作为全球最大的内存芯片生产商，韩国三星电子于当地时间本周五发表声明称，该公司计划在2008年之前对其已有十年历史的美国芯片工厂投资35亿美元用于闪存芯片生产线的兴建。

　　据了解，三星去年已经开始在该公司位于美国德克萨斯州的芯片工厂兴建全新NAND闪存生产线，本周五的声明公布了三星NAND生产线具体的投资数额。德克萨斯州芯片工厂是三星电子海外唯一一家半导体工厂，该厂目前只生产用于计算机的DRAM芯片。目前，NAND闪存芯片广泛应用于数字音乐播放器、手机以及数码相机等消费电子产品。

　　三星在当天发表的一份声明中表示，全新NAND生产线将在今年下半年投产，到2008年每月的晶圆产能将达到六万片。由于业内普遍担心DRAM芯片价格大幅下滑将影响生产商第二季度业绩，包括三星电子和现代半导体在内的内存芯片厂商股价也因此受到一定程度影响。

　　业内分析人士预测，NAND闪存芯片将在今年下半年和明年对厂商业绩产生积极推动作用，这主要是由于配备闪存的计算机产品和苹果iPhone手机等全新的应用需求促使NAND闪存市场价格不断回暖反弹。

 来源：国际电子商情   2007年06月15日 

三星和海力士(Hynix)在DRAM市场的残酷价格战是最近一个季度价格下降的主要成因之一。与512Mb相当的DRAM的平均售价下降到了2.96美元。价格战和产能过剩将使今年整个内存销售额下降11.1%。

“三星公司正在增加产能，并且正与Hynix进行顽强斗争，以保住它在DRAM市场的领先位置，并且这一斗争在第一季度有所加剧。” Lewis说，“实际上他们都在以低于成本的价格销售芯片，这场对抗令人不可思议。”

存储器市场令人振奋的是闪存——尤其在移动装置中——持续快速增长。预计闪存销售收入到2011年将以7.9%的复合增长率增长。

AMD与英特尔之间的价格战，使得2007年第二季度的微处理器销售收入比上一季度下降了3.1%。据Dataquest称，这一下降趋势预计在明年将会扩大到4.1%。

在逻辑器件领域的好消息是相对小的汽车半导体市场今年正以7.7%的增长率上升，2008年增长率有望达到12.5%。这是增长最快的芯片领域，其次是消费电子，今年它的增长率将上升至5.1%，预计2008年增长率为8.8%。

中时理财网  2007-06-13  彭暄贻/台北报导

    虽然第二季为Nand Flash销售淡季，惟SanDisk进场大量采购、Apple在下半年推出多款新产品，报价维持平稳，尤其近日低容量NAND Flash颗粒供货短缺，促使市场价格开始出现往上调整，单周涨幅达18％、22％之多。影响所及，模块厂创见（2451）、威刚（3260）营运行情看俏，带动股价带量攀扬。

    分析师指出，今年以来内存相关厂商仅创见、群联、安国的股价表现明显优于大盘。随着PC厂商的DRAM库存降低，韩系大厂产出成长率趋缓，以及第三季进入需求旺季，模块厂、IC设计的营运能够率先翻扬，优先建议标的以创见、群联、威刚、华亚科为追踪焦点。

    受制NAND Flash价格下修，生产1Gb、2Gb颗粒的毛利无法和8Gb以上容量的颗粒相比，相关厂商因而开始调降1Gb、2Gb NAND Flash颗粒的产能。不过，近几周NAND Flash低容量的颗粒价格反倒因供应端产出明显减少，开始持续向上调涨。

    集邦科技（DRAMeXchange）认为，目前NANDFlash供货商将1Gb和2Gb颗粒优先供给需内建NAND Flash装置的厂商，而手机制造商和通路商附赠的microSD记忆卡也耗用不少NAND Flash供货商的2Gb颗粒。在供货商低容量颗粒减产，外加这几项固定耗用1Gb和2Gb颗粒的产品有持续稳定的市场需求下，短期内1Gb、2Gb价格将出现易涨难跌情况。

    创见为少数能打入日本市场的外资厂商，今年更于香港九设立形象馆，做为切入大陆市场跳板，搭配快速生产和价格弹性，争取PC大厂OEM订单；法人推估，创见今年Nand Flash产品出货量年增率五倍、DRAM模块成长一倍，全年EPS约有10元以上水平。

DIGITIMES   2007/06/13   吴宗翰／台北

　NAND型快闪存储器(Flash)架构一直是全球DATA Flash市场主流，就连DATA Flash技术霸主东芝(Toshiba)亦仍旧采用NAND Flash架构，不过，日前东芝在日本所举行VLSI座谈会上提到，将转向采用3D架构技术以提高NAND Flash容量，而该技术与旺宏先前所公开展示BE-SONOS技术相当雷同，一旦业界开始采用3D架构，未来旺宏将有机会藉由BE-SONOS赚取大量权利金。至于何时会开始采用3D架构生产，东芝则未正面回应。

存储器业界多已有体认，既有NAND Flash芯片技术到45奈米制程技术世代时，便会遭遇物理极限瓶颈，而当前旺宏所独有BE-SONOS，可能是业界最可行的新世代NAND Flash芯片技术。由于旺宏拥有此技术及专利，因此，未来除与旺宏有机会成为合作伙伴的奇梦达(Qimonda)外，任何厂商欲采用此技术生产DATA Flash芯片，均需经过旺宏授权，并给予实际销售额约3％权利金才行。

存储器业者表示，BE-SONOS系以3D架构为基础，单一芯片容量理论值可达100GB，是NAND Flash芯片取代传统硬碟最佳方案，未来若被广泛采用，光是相关权利金，就可让旺宏「躺著赚也赚不完」，若加计其它储存产品获消费性电子产品应用，商机将无远弗界，而这亦是东芝到此时不得不开始加紧脚步、快速切入SONOS研发领域的原因。

不过，东芝还未对外证实何时会开始采用SONOS技术量产DATA Flash产品，也没有提到会做到怎样的容量及可能面临的挑战，一切都还仅限于技术研发阶段，离真正量产时间点还有一段距离。

至于另1大厂三星电子(Samsung Electronics)亦做出一种类似SONOS技术，代号为Tanos。三星对外声称，已到最后收尾阶段，再过几个月应可进入量产阶段，目前得知三星将会在2008年正式开始投产Tanos的DATA Flash产品。

旺宏方面，董事长吴敏求日前对外表示，尽管短期内不会开始采用BE-SONOS量产Flash商品，但预计到2010年左右，将有机会采用45奈米制程投产BE-SONOS架构DATA Flash商品。

值得注意的是，目前生产NAND Flash主要来自于Floating gate技术，而SONOS几乎与Floating gate同时被发展出来，只是当时的SONOS由于进入大量生产，还有一段瓶颈需要克服，因此，几乎没有业者继续发展下去，直到近期发现未来要进入45奈米制程以下，若不采用SONOS技术，势必有其物理极限无法克服，因此，业者遂硬著头皮展开研发，希望让SONOS技术早日进入商业化阶段。

科技新闻  2007.4.30

三星电子日前表示，采用51奈米制程的16Gb Nand Flash已导入量产，该产品的厚度只有人类头发的2000分之1，而16Gb则是目前量产产品中容量最大者，相较于以55∼57奈米制程为主流的其它竞争业者，三星电子在50奈米级制程的产品处于领先地位，而且其51奈米制程的产品，较原有60奈米级的产品，可提高60%左右的生产力，将有助于提高Nand Flash价格，改善三星电子半导体部门的收益。三星电子预估50奈米级Nand Flash明年将成为市场主流，至2010年为止，市场规模累积将达210美元。

据了解，Nand Flash是以Page为单位进行数据的读写，原有的60奈米级的产品是以2KB为基本单位来处理数据，而三星电子51奈米制程16Gb的产品则是以4KB为基本单位来进行数据处理，读写速度较60奈米级Nand Flash快上两倍，若以该产品制作成32 GB的记忆卡时，将有储存DVD级的电影20篇（约32小时），或是MP3档案 8000首、英文报纸200年的份量。

                      图(拓墣产业研究所提)

电子工程专辑 2007.04.27   作者：马立得

新创企业Grandis公司正积极推动其STT-RAM内存技术的商用化，STT-RAM是众多竞相成为下一代‘通用’内存技术的方案之一。

Grandis总裁兼CEO Farhad Tabrizi已经为STT-RAM的商用化规划了一套完整的发展蓝图，其中包括采用STT-RAM写入数据的自旋矩传输(STT)方法，以开发嵌入式组件和独立组件。该公司具有明确的市场目标，“我们正努力使该技术商用化，”Tabrizi指出，“我们认为该技术可以在32nm时取代闪存。”

要成就这项远大的目标，Grandis将面临一些重大挑战，但STT-RAM的确是一种很有前景且“颇具吸引力”的技术，Semico Research分析师Bob Merritt指出。

STT-RAM属于第二代MRAM技术，据说能够解决传统MRAM结构所存在的一些问题。

目前所开发的大多数MRAM组件都是透过使磁场改变磁化方向来写入数据，而磁场则是由流经隧道磁阻(TMR)单元附近导线的电流所产生的。Grandis公司认为，虽然这种方法可以实现快速作业，但功耗太大。

相反地，Grandis的STT方法采用了一种自旋极化电流以改变磁性位，该公司表示，除了降低功耗，这种技术还能增加容量。STT-RAM透过校准流经TMR组件的电子旋转方向来写入数据。

STT-RAM是几种试图在新兴通用内存市场取得主导地位的技术之一。几家正在开发下一代内存技术的公司们都宣称，其各自的技术将结合DRAM的容量和成本优势、SRAM及各种MRAM不同版本的快速读写性能于一身。这些技术包括铁电RAM(FRAM)和相变内存(PRAM)。

Grandis公司创立于2002年，已经从数家投资公司获得了总额1,500万美元的资金。

下一步计划

2005年，瑞萨(Renesas)和Grandis公司宣布共同开发STT写入技术。瑞萨打算使用该技术开发微控制器和SoC。

Grandis也宣称正把该技术授权给其它公司，但并未透露具体细节。

这家新创公司投资300万美元兴建的无尘室将于近日完工并开始运作，这将为STT-RAM技术的商用化而铺路。

目前，Grandis已开发出一款1Mb的测试芯片。在量产准备就绪时，Grandis希望以一款采用65nm制程技术的STT-RAM进军嵌入式市场。

该嵌入式组件可望在2007年底或2008年初问世。“我们将致力于寻求在嵌入式市场上取代SRAM和NOR。”Tabrizi表示。

在进入嵌入式市场后，Grandis下一步的打算是开发一款独立的STT-RAM，该产品将采用45奈米制程，预计于2008年底或2009年初问世。

电子工程专辑 2007.04.26  

据Gartner Dataquest预计，2007年全球半导体市场将呈缓慢成长的态势。尽管库存水平将在短期内获得改善，但展望整体市场成长态势，终端市场对半导体的需求量却正在削弱，特别是在关键的PC和手机领域。半导体的供给方市场仍处于调节状态，供货商并不急于进行大规模投资，同样地，今年的资本支出预期也将减缓。

不过，商用内存领域却是个例外，DRAM和NAND闪存市场仍存在着变量。对2008年的中期预测是：伴随着周期性的市场高点(虽然成长较为温和)，但年收入将稳步成长。2009年预计将出现周期性低迷，但随后会在2010和2011年恢复。产业的长期成长率预计将保持在个位数水平。

等待杀手级应用

2006年第4季，NAND闪存呈现供过于求状态。主要原因在于缺少一种能吸引消费者购买欲望的杀手级应用，以及能使消费者在相同预算下获得更大储存容量的产品。但不必烦恼，这种情况将在今年第2季有所改变，Gartner指出，一些新的需求正在浮现，特别是用于行动系统内的闪存及外插式记忆卡，它们都将推动闪存的美好前景。

                                 全球NAND闪存的供应和需求一览

过去、现在和将来

现有的NAND需求(如数字成像和USB快闪记忆碟等)已经逐渐减弱。由于消费者还在判断4GB和8GB产品是否物有所值，闪存需求正呈现萎缩。不过，诸如音乐和视讯等新需求又萌生了新希望。

                                                                NAND闪存应用领域一览

DRAM舞台可望出现新局面

2005年持平；2006年稍有好转；2007年则正在向好的方向发展。但在2008和2009年，由于Elpida、南亚科技和奇梦达等公司可望积极增加产能，预计将出现供过于求的情况。因为DRAM市场在相当长一段时间均保持稳定，因此这种变化将引发关注。

                                      全球DRAM供需一览

                                  图4：Vista推升DRAM市场需求

当然，Vista正在DRAM市场中发挥它的影响力。然而，这股影响力很有可能在接下来几年内才会慢慢明显。同时，英特尔与AMD之间的处理器战火也带来了其它压力。

台湾新浪网 2007-04-24 张建中新竹