中芯站上80奈米制程舞台 12寸厂获奇梦达技转 并可延伸至75奈米制程

来源：DIGITIMES      2007/08/22

德国DRAM大厂奇梦达(Qimonda)21日与中芯国际(SMIC)共同宣布签署协议，奇梦达将移转80奈米制程沟槽式技术予中芯位于北京12寸晶圆厂，中芯将运用此技术为奇梦达制造各种专属DRAM存储器，双方合作协议还包括未来将奇梦达75奈米制程技术移转给中芯的选择权，这象征中芯12寸厂正式进入80奈米制程投片，而这亦是继奇梦达日前技转华邦电后，再度将其技术技转予代工厂。

奇梦达全球总裁暨执行长罗建华(Kin Wah Loh)表示，奇梦达透过与中芯合作扩展，实现致力与亚洲伙伴建立良好关系的承诺，同时进一步提升奇梦达整体产能。中芯执行长张汝京则指出，双方进一步拓展伙伴关系，并延伸至80奈米制程技术DRAM生产，此将持续推动中芯在存储器产品策略及先进技术发展。

事实上，尽管奇梦达已在新加坡成立属于自有12寸厂，但由于DRAM厂所强调的是市占率，因此，在新加坡12寸厂正式投入营运前，对于沟槽式集团领导厂奇梦达来说，还是必须要仰赖其它代工厂以获得足够产能，这亦是为何奇梦达接连技术授权华邦电及中芯的主因。

此外，中芯定位为晶圆代工厂，其DRAM产品主要是为尔必达(Elpida)及奇梦达代工，由于DRAM占其营收比重约3成，因此，第2季全球DRAM价格重跌约3成，中芯亦间接受到冲击。张汝京日前便表示，DRAM价格下跌的确是造成中芯第2季营收下滑重要原因。

中芯表示，为达到全年获利目标，将降低DRAM占营收比重，且在尔必达及奇梦达2大客户要求下，中芯2007年底前亦会进行DRAM制程微缩工程。另外，中芯2007年下半就会开始量产2Gb NAND型快闪存储器(Flash)，并投入8Gb NAND Flash芯片研发，预期2008年后成为全球重要NAND Flash供应商之一。