奇梦达推出75nm低功耗Mobile RAM芯片样品

存储时代   2007年07月13日

奇梦达于德国慕尼黑当地时间7月12日发布了512Mbit容量Mobile RAM芯片的工程样品，采用75nm制程，能有效降低芯片功耗。

这款芯片采用了独特设计的75nm低功耗沟槽平台，这一架构将成为一个全新Mobile DRAM系列的基础，分为DDR和SDR两种工程样品。芯片结合了16bit和32bit接口，通过特殊的衬垫来达到多芯片封装（MCP，Multi-Chip Packages）或系统级封装（SIP，System-In-Package）。奇梦达表示，该芯片最高可以节约80%的功耗。

“很高兴能推出75nm的低功耗Mobile RAM，这是我们接下来的六个月里将推出的整个系列产品中的第一款，”奇梦达消费类和移动业务部门副总裁Ayad Abul-Ella说，他同时宣布将会为该产品推出全新的封装和测试服务，工程样品目前以组件或KGD（Known Good Die，确好芯片）晶圆的形式亮相。