友达光电在第6代生产线上试制出使用微晶Si-TFT的32英寸液晶面板

友达光电（AUO）使用由第6代大尺寸底板生产线的等离子CVD装置形成的微晶硅，试制出了32英寸电视用TFT液晶面板。该公司在展会上展出了这种新面板，并在研讨会上介绍了其技术内容。

与非晶硅（a-Si）TFT相比，采用微晶Si-TFT有可能获得更高的迁移率。另外，还可实现用多晶硅（p-Si）TFT难以实现的、基于第5代以后大尺寸底板的工艺。使用微晶硅制成的TFT，只需等离子CVD工序即可形成，而且近年来其在薄膜太阳能电池领域的应用也越来越广泛，这些都推动了微晶Si-TFT的开发。

在硅氮化膜上形成微晶硅时，通过实施真空中的界面处理，可消除界面附近产生的多孔质层，得到平滑的膜。通过拉曼（Raman）分光分析后显示，这种平滑膜的结晶度达到60％，与不进行界面处理时的17％相比，有大幅改善。应力试验的结果也表明，与不进行界面处理时相比，获得了更稳定的特性。

在此次试制中，迁移率仍较低，仅为0.5cm2•V-1•s-1，但该公司今后将力争实现比a-Si更高的迁移率，并同时集成外围电路。目前面临的课题是进一步提高结晶度。

友达光电在展会上展出了使用这种微晶硅制成的32英寸WXGA电视用TFT液晶面板。