海力士半导体将积极参与新一代非易失性内存的共同开发

【日经BP社报道】 1月24日，新一代非易失性内存基础技术的共同开发签约仪式在韩国汉阳大学综合技术院举行。参加该仪式的有韩国产业资源部、韩国海力士半导体、韩国三星电子，以及汉阳大学相关人士。

 

海力士与三星曾共同参与07年底开始的、韩国产业资源部推进的“新一代TB级非易失性内存事业”的第二阶段，通过本次的协议签约仪式，双方再次就共同开发新一代内存基础技术达成了共识。

 

尤其值的关注是，作为全球内存业界最大的两个竞争对手——三星和海力士，除了过去的六个非易失性内存课题之外，还将在备受瞩目的STT-RAM新一代内存的共同开发方面展开合作。