中芯站上80奈米制程舞台 12寸厂获奇梦达技转 并可延伸至75奈米制程

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来源:DIGITIMES      2007/08/22


德国DRAM大厂奇梦达(Qimonda)21日与中芯国际(SMIC)共同宣布签署协议,奇梦达将移转80奈米制程沟槽式技术予中芯位于北京12寸晶圆厂,中芯将运用此技术为奇梦达制造各种专属DRAM存储器,双方合作协议还包括未来将奇梦达75奈米制程技术移转给中芯的选择权,这象征中芯12寸厂正式进入80奈米制程投片,而这亦是继奇梦达日前技转华邦电后,再度将其技术技转予代工厂。


奇梦达全球总裁暨执行长罗建华(Kin Wah Loh)表示,奇梦达透过与中芯合作扩展,实现致力与亚洲伙伴建立良好关系的承诺,同时进一步提升奇梦达整体产能。中芯执行长张汝京则指出,双方进一步拓展伙伴关系,并延伸至80奈米制程技术DRAM生产,此将持续推动中芯在存储器产品策略及先进技术发展。


事实上,尽管奇梦达已在新加坡成立属于自有12寸厂,但由于DRAM厂所强调的是市占率,因此,在新加坡12寸厂正式投入营运前,对于沟槽式集团领导厂奇梦达来说,还是必须要仰赖其它代工厂以获得足够产能,这亦是为何奇梦达接连技术授权华邦电及中芯的主因。


此外,中芯定位为晶圆代工厂,其DRAM产品主要是为尔必达(Elpida)及奇梦达代工,由于DRAM占其营收比重约3成,因此,第2季全球DRAM价格重跌约3成,中芯亦间接受到冲击。张汝京日前便表示,DRAM价格下跌的确是造成中芯第2季营收下滑重要原因。


中芯表示,为达到全年获利目标,将降低DRAM占营收比重,且在尔必达及奇梦达2大客户要求下,中芯2007年底前亦会进行DRAM制程微缩工程。另外,中芯2007年下半就会开始量产2Gb NAND型快闪存储器(Flash),并投入8Gb NAND Flash芯片研发,预期2008年后成为全球重要NAND Flash供应商之一。