内存大厂美光科技(Micron)进军NAND Flash市场以来，亚洲市场几乎成为全球NAND Flash业务的重镇，美光10日首次在台举办Micron’s Memory Day，与亚洲地区的系统客户和控制芯片设计公司交流，美光也首度公开宣布将进军快闪记忆卡市场，瞄准OEM客户作为主要的合作对象，但目前没有经营自有品牌的打算，同时也宣布34奈米制程以及新产品固态硬盘(SSD)和eMMC的领先进度。
美光首度公开宣布，将由NAND Flash芯片制造的生意，正式进军快闪记忆卡市场，但强调美光的记忆卡策略，只会专注在OEM客户端，不会跨足自有品牌和通路上，也不会将成卡供应给内存模块客户，单纯只是与OEM客户合作，自有品牌的部分则交由子公司，也是品牌记忆卡厂Lexar来负责。
美光首度在台湾举办NAND Flash研讨会，面对面与台湾的内存模块厂客户，和合作伙伴控制芯片设计公司交流。美光表示，亚太地区已是美光在全球NAND Flash业务上的重镇，亚太地区占美光全球NAND Flash业务约40%之多，未来也将增加与控制芯片设计公司的技术交流。
美光内存系统发展事业部门副总Dean A. Klein表示，美光在2005年正式与英特尔(Intel)各自出资51%和49%成立NAND Flash厂IM Flash，2006年合并快闪记忆卡自有品牌厂Lexar，逐一宣示美光深耕NAND Flash市场的决心，美光也在2006年7月推出第1颗50奈米制程的NAND Flash芯片。
根据市调机构WSTS统计，2008年全球DRAM芯片和闪存芯片的产值分别为249亿美元和254亿美元，在DRAM芯片当中， PC相关的DRAM和非PC相关芯片的产值，分别为149亿美元和100亿美元，而在闪存中，NOR Flash和NAND Flash市场的产值分别为78亿美元和176亿美元，整体来看，2008年合计NOR和NAND Flash的产值已超过DRAM。
美光NAND Flash产品事业部处长Kevin Kilbuck表示，日前美光和英特尔将NAND Flash制程推进至34奈米，相较于竞争对手的下世代制程都在40奈米，美光的进度足足比他们早了1年，第1颗32Gb MLC(Multi-Level Cell)芯片，也开始送样给客户作测试。
除了记忆卡产品之外，美光也极力发展SSD和内嵌式内存eMMC产品，美光预估2008年SSD市场规模约9.59亿美元，到了2012年之后，SSD市场规模将达44亿美元，其中以笔记型计算机(NB)应用为主。
