全球4大NAND Flash厂全面跨足记忆卡 不让三星、东芝专美于前 美光、海力士亦加入

全球NAND型快闪存储器(Flash)大厂跨足到下游记忆卡生产风潮已达白热化，继三星电子(Samsung Electronics)和东芝(Toshiba)之后，海力士(Hynix)和美光(Micron)也决定投入记忆卡生产，其中，海力士产品已在5月开始出货，美光则预计在2008年下半推出，初期系与国际手机大厂合作搭售，届时将形成全球4大NAND Flash阵营皆全面跨足记忆卡生产局面，带给整个产业新风貌和新挑战。

三星和东芝是开创NAND Flash大厂跨足记忆卡生产的元老，当年开始执行这项成卡计画时备受市场争议，下游模块厂抗议声浪不断，担心沦为NAND Flash大厂的中盘商，但如今此风潮已是NAND Flash大厂生存模式之一。存储器业者表示，海力士和美光在评估多时后，纷决定投入成卡制造行列，形成全球4大NAND Flash阵营都正式到位，对记忆卡产业造成影响不容小觑。

海力士酝酿多时的记忆卡生产计画近期正式浮上台面，产品已在5月开始出货，初期将与国际大厂合作，仅限于与手机厂搭售，并未跨足经营自有品牌端的零售市场，这是海力士多年来坚守上游NAND Flash生产端，首次决定自己跳下来生产记忆卡。无独有偶地，美光也秘密进行跨足记忆卡生产制造计画，目前正找寻相关配合厂商，预计最快2008年下半推出，虽然细节未揭露，但存储器业者推测，初期也是与国际手机厂配合方式。

下游业者指出，NAND Flash大厂跨足记忆卡可分为3部曲，第1阶段是从国际手机大厂切入，与手机业者或代工厂合作，谈妥某机型的新手机需要搭售多少记忆卡，一笔订单敲下来为数不小，这是最快切入记忆卡供应链方式。其次是对模块厂供应记忆卡，取代原本NAND Flash芯片wafer供应，过去三星开始供应模块厂记忆卡时，模块厂也相当抗拒，担心从此沦为NAND Flash大厂的通路商，失去附加价值，然经过多年来洗礼，模块厂也只好接受。第3阶段则是开发零售通路自有品牌业务，目前此部分只有东芝做起来。

存储器业者表示，其实三星多次想跨入自有品牌市场，自建零售通路来销售记忆卡，但自有品牌计画在最后一刻皆无功而返，主要因为下游客户反弹声浪过大。海力士和美光跨入成卡制造端，虽然对整个产业影响不小，但过去英特尔(Intel)也曾做过成卡生意，但很快又退出市场，而三星对于成卡策略也是一变再变，看起来比较象是调节NAND Flash产能，因此，海力士和美光的加入会对产业造成多大影响，后续还需进一步观察。