东芝将建设两座产能40万片/月的NAND新工厂 2010年投入使用

   公布NAND型闪存新工厂建设计划的东芝代表执行社长西田厚聪。同时宣布将退出HD DVD业务。

东芝公布了NAND型闪存新工厂的建设计划。将于2009年春季分别在岩手县北上市和三重县四日市同时开工建设两座工厂，2010年投入使用。生产能力预定为“每座工厂15万～20万片/月”（东芝代表执行社长西田厚聪），合计产能将达到30万～40万片/月。两座工厂的总投资额预计“将超过1万亿7000亿日元”（西田厚聪）。

SanDisk尚未决定出资哪座工厂

北上市的新工厂，位于从事微控制器和液晶驱动IC的岩手东芝电子的厂区内；四日市的新工厂，位于NAND型闪存制造基地——四日市工厂的毗邻地段。预计两座工厂将于2010年春季竣工，但尚未公布两座工厂具体的建成时间和满负荷运转时间，原因是“将根据工厂建设的进展情况和市场行情进行调整”（西田厚聪）。

东芝将与在NAND型闪存领域拥有合作关系的美国SanDisk共同出资建设两座工厂中的其中一座，2010年开始量产。目前尚未决定共同出资哪座工厂。此外，SanDisk是否会出资另一工厂也还没有定论，两公司将在今后进行磋商。SanDisk已经决定出资的工厂，也将采取与四日市现有工厂（两家对半出资生产设备）不同的投资方式。两公司将对半出资一半的生产设备，共同承担一半的产能；剩下一半则由东芝单独投资和运营，这部分生产量的一半将供应给SanDisk。

西田没有具体提及与SanDisk之间合作关系发生这种变化的原因，有可能是因为东芝与SanDisk在NAND型闪存业务计划及市场行情的看法上出现了分歧。

新工厂“也支持新一代内存”

关于此次同时建设两座工厂的原因，东芝表示“将制定可满足急剧增加的需求的体制，同时还将先于其它公司建设新一代内存的生产工厂”（西田厚聪）。至于需求方面，预计2006～2010年的比特增长率将达到2.33倍/年，2011年以后“预计将进一步增长”（西田厚聪）。

新一代内存是指现有的浮动栅型闪存的后续技术，“有三维层叠内存等多项候补”（西田厚聪）。预计新工厂将成为30～20nm以后工艺的主力生产线，以迅速应对30～20nm以后工艺中设想会出现的技术变化。（记者：大下 淳一）