力晶稳健推进Nand FLASH

力晶因有策略伙伴瑞萨支持下， FLASH生产规格稍有领先，今年Nand Flash12吋厂月产能约七、八千片；茂德目前已有1Gb与4Gb的NAND Flash样品推出，预计1Gb下半年试产，第四季则将以70奈米生产4Gb。

力晶第二季更将在新竹设立Wafer test& RD中心，容纳五百位研发人员及四十万片的测试产能，初期将会使用一半的测试产能，巩固产能、研发实力。力晶当前DRAM技术制程研发、推进与尔必达结盟进行，Nand Flash则采初期瑞萨技术移转支持，为中长期自行研发、执行的方向落实。

去年第四季DRAM价跌，力晶该季Nand Flash及代工比重提升到二四％水平；目前Nand Flash产品包括MLC 8Gb、SLC/MLC 4Gb、SLC 2Gb等样品，今年Nand Flash在12吋厂月产能约七、八千片。

茂德今年12吋厂月产能维持十万片，位于竹科的8吋厂和12吋厂均生产非DDR2产品；此部分产能将投入CIS(CMOS IMAGE SENSOR)及NAND FLASH生产。茂德目前九百万像素的CIS规划四月试产，下半年量产，预估第四季CIS产能规模约一万片。