东芝2008年第3季量产32Gb NAND Flash

东芝日前发布讯息表示，将于2008年第3季量产业界最大容量之单芯片32Gb NAND Flash。采用制程则为全球最小线幅之43奈米技术。该公司希望藉由大容量化，进一步渗透可携式音乐播放器、行动电话等产品之应用市场。

新产品将在位于三重县四日市、2007年底正式投产的第4工厂生产。目前其它NAND Flash厂商生产之主力仍为16Gb产品。在目前的时点，量产32Gb NAND Flash，在记忆容量上超越市占率首位的韩国Samsung之可能性极高。

此外，在16Gb产品部份，由原本之56奈米制程转换为43奈米制程生产的产品，亦将开始样品出货。藉由制程之细微化，相较以56奈米制程生产，芯片面积约可缩小3成。