东芝43nm 16Gb NAND Flash开始出货，7-9量产32Gb产品

东芝日前宣布，该公司以43nm精密制程生产的16Gb NAND型闪存，已正式开始样品出货，预定于3月正式量产。此外，该公司也计划于7～9月利用相同制程量产32Gb产品。

东芝指出，43nm世代的16Gb产品，芯片面积约为120mm2，约较56nm世代产品缩减30％。而并列配置的Memory Cell（NAND String）数量，也由56nm世代的32个倍增为66个。

而在32Gb容量产品方面，该公司则计划于今年7～9月正式量产，生产业务将由甫于去年底投产的日四市厂第四厂房负责。若能顺利量产32Gb产品，届时东芝将可望在储存容量方面超越目前业界龙头—韩国三星电子。

而在东芝的NAND Flash新厂建厂计划方面，部份日本媒体日前报导「已初步决定将于日本岩手县北上市兴建」；对此，该公司则表示：「并未决定于岩手县北上市建厂，目前仍在评估阶段。」