记者 张建中 新竹
在经历去年DRAM价格惨跌洗礼后，包括力晶(5346)等国内DRAM厂一致乐观看待今年DRAM市况，普遍认为随着各家DRAM厂纷纷放缓扩产脚步，可望促使今年DRAM市况逐季好转。
南科 (2408)副总经理白培霖表示，今年1月在中国农历春节效应激励下，DRAM现货价顺利止跌回升，2月春节过后，DRAM价格仍可望持续攀升，第一季 DRAM价格将微幅弹升；第二季价格回升速度可望加速，下半年供给将趋于紧俏，第三季DRAM价格便可望大幅度上涨。茂德 (5387)董事长陈民良与华亚科 (3474)总经理高启全同时认为，下半年DRAM市况应会不错。
力晶董事长黄崇仁更预测，第一季DDR2 1Gb颗粒价格将介于 2.1至2.5美元水位，第二季将约2.5美元，第三季可望介于2.5至3.5美元区间，第四季将进一步攀升至3.5至4美元，DRAM价格将呈现逐季攀升走势。今年DRAM市况好转的主要原因，包括力晶等国内DRAM厂一致认为是因为各厂扩产脚步放缓，供给增幅减缓所致。
高启全说，去年DRAM价格崩跌，是供给面问题所致，今年产品价格回升，也将拜供给面激励。除了 8吋厂退出标准型DRAM产品生产外，自去年第二季后，各家DRAM厂开始缩减资本支出，减少幅度普遍多达3至4成，推估今年下半年DRAM厂缩减资本支出效益，可望逐步显现。
茂德副总经理曾邦助也表示，在DRAM市场需求方面，今年PC出货可望成长10%至12%，另外，今年DRAM平均搭载容量可望提升至 2GB，因此今年PC市场对DRAM需求，可望成长4至5成。此外，手机等消费性电子产品，及数字电视等应用产品市场，对DRAM需求也显著增加，预期今年整体DRAM市场需求可望成长6至7成水平。至于供给面，曾邦助表示，今年DRAM厂资本支出普遍较去年减少35%，DRAM位产出多较去年增加 50%至60%，由此预期，今年下半年DRAM供需可望趋近于平衡。
