記者 徐睦鈞 台北報導
降低成本、减少亏损 期待来春
DRAM厂自去年开始减少资本支出，使得今年在产能扩充有限下，酝酿景气回升契机，在各家厂商减少资本支出、加强技术推进的调整下，可望将成本持续降低，以减少亏损，早日转亏为盈。
国内四家DRAM厂力晶 (5346)、南科 (2408)、华亚科(3474)、茂德 (5387)去年合计亏逾300亿元，其它全球主要大厂也无一幸免，亏损持续扩大，在去年美国次贷风暴发生后，除了对消费市场出现打击外，对于亏损扩大的 DRAM业筹资也产生排挤效应，不得不让业者开始减少投资，以度过寒冬。
力晶减少20% 茂德调降至6亿美元
力晶与技术伙伴日商尔必达，今年虽持续扩充合资厂瑞晶的产能，但去年资金已提前到位，因此对于今年的资金状况并不担忧，不过，力晶仍减少资本支出20%。
去年第四季亏损相对较少的茂德，日前法说会也表示，今年将调降资本支出至6亿美元，事实上，DRAM业者调降今年资本支出已成趋势，目前包括海力士、奇梦达、南科、华亚科早已先点燃调降的引信，原本预估今年颗粒出货年成长率为59%(比去年的92%低)，现在有可能进一步降到50%。
供给面紧缩 预料下半年供给吃紧
业者指出，从近期DRAM价格的走势回稳，就已嗅到供给面紧缩的现象，毕竟往年的第一季都是传统淡季，若价格能够止稳，甚至上扬，绝对不是因为需求面所造成，而下半年的DRAM价格有可能往上冲，预料也是因为供给吃紧，远大于需求面的缘故。
力晶目前现金部位仍有千亿元，今年对于资金的需求较不担忧，因此，今年将以资本支出减少20%、技术推进20%的目标前进，在技术上，力晶第一季1Gb即全转入70奈米，年底切入65奈米，至于年底产能加计瑞晶、尔必达，约近30万片水平，直逼南韩三星的规模。
价格崩盘疑虑大为降低
由于DRAM厂农历年期间进行岁修，加上部分厂商恐将面临资金窘迫的压力，及制程技术转换的问题，力晶表示，预期今年整体DRAM市场位出货将仅较去年增加40%至50%的水平，远低于去年的成长率100%，价格崩盘的疑虑大为降低。
华亚科总经理高启全表示，去年南科、华亚科已缩减资本支出，预估实际效益可望在今年下半年发挥，且在产能扩增有限下，价格有机会在第一季回稳，跌价损失可望逐步减少，看起来下半年DRAM价格应该不错。
华亚科、南科资本支出也下滑
华亚科在去年整体位成长率达112%之后，预估今年位成长率可望下降到50%，资本支出则由去年的440亿元，在今年缩减到300亿元。
至于南科的部份，在1Gb需求逐步增加下，南科预期第二季投片将全数转为1Gb，今年位成长率约达到78-83%，资本支出由去年的470亿元，在今年下滑至400亿元，且Vista升级版SP1即将推出，可望刺激需求成长，下半年供应将会略为吃紧。
