Samsung、Hynix连手开发次世代内存

Samsung及Hynix日前表示，为主导次世代内存市场，将首度共同进行Terabit级次世代非挥发性内存组件（STT-MRAM、垂直磁气型非挥发性内存）之核心技术研发，研发次世代内存并已谛结了共同研发合约。

据了解，自1992年共同研发64M DRAM（Samsung、现代电子、LG半导体）之后，此为韩国半导体公司16年来再度进行研发合作，预料此举将对于试图透过掌握次世代内存技术，重新夺回内存市场主导权的日本业者产生影响。日本的Toshiba、NEC、Fujitsu自2006年以来，便致力于STT-MRAM的研发，共同执行由日本官方投入30亿日元的研发计划。

Samsung及Hynix目前已购买了韩国政府主导的次世代非挥发内存事业第一阶段所取得的内存组件、制作方法、高集积非挥发性内存用相变化材料等共8件专利，其条件是未来商用化时，销售额的一定比重要支付授权费。