引用文字:
来源：DigiTimes
尽管DRAM芯片价格上周出现大规模反弹，512Mb和1Gb芯片18日分别上涨逾11%，让市场相当讶异，但由于大涨出现在上周最后1个交易日，市场纷判断是人为作价和锁货成分较高，加上以这样现货颗粒价格打成DRAM模块，1条单价已超过三星电子(Samsung Electronics)原厂价格，整个市场弥漫浓厚投机气氛，在涨势过于凶猛且没有实际需求作基础，业者担心本周恐出现回档。
内存业者认为，现今DRAM市场的确有止跌条件，但无大幅上涨本钱，上周五是最后1个交易日，容易以人为方式拉抬价格，这样涨势不够实在，况且亦没有强劲终端需求作为支撑。上周五512Mb和1Gb的DDR2 eTT价格分别大涨逾11%，上、下游业界都认为相当不合理，因为以这样芯片成本结构来换算，下游厂买这样的现货颗粒，打成1条模块价格都超过三星原厂品牌模块，业界多认为这样价格不会太持久。
内存厂表示，茂德2008年排定岁修时程高达10天之久，是这波行情主要引爆点，市场都预计3月DRAM产出将大幅减少，引发预期心理，加上各界亦肯定上游DRAM厂已开始正视节制生产问题，为长期亏损找寻止血出口，因此，512Mb和1Gb的DDR2价格分别跌破1美元和2美元后，开始止跌回稳。
不过，尽管农历春节之前会有补货行情出现，但现在大家算盘都打得很精，处于长期空头状况下，下游通路商不会一次囤积太多货，也不会追高价来补库存，因为以整个市场供需结构来看，DRAM货源实在是绰绰有余，因此，谨防本周价格恐快速回跌。
事实上，对于这样涨价幅度，下游厂处境是进退两难，相对不乐见这样情况，因为DRAM模块终端售价不能一次跟着调涨，免得会抑制买气，但进货成本又垫高，这样涨幅反而增加下游厂操作难度。
