力晶（5346）昨（28）日宣布，与比利时微电子研发中心（IMEC）协作，共同开发32奈米微影技术。力晶是台湾第一家与IMEC协作32奈米相关技术的本土DRAM厂，预期藉由这项协作，有助未来降低制程微缩至32 奈米时，所需花费的庞大工本，进一步提升竞争力。
台湾DRAM厂在奈米制程近期都有大突破，以当前的主流70奈米为例，力晶与协作伙伴日商尔必达（Elpida）共同协作，旗下月产能12万片的12寸晶圆产能中，已有过半数导入70奈米生产，转投资的瑞晶电子当前月产能3万片中，更是全数以70奈米投产，可较90奈米降低30%至35%的工本，面对DRAM 价格一路滑坡，制程微缩是在恶劣环境中脱颖而出的利器。
华亚科（3474）则与奇梦达（Qimonda）携手，当前70奈米投片量约占总产能的20%，预计第三季将旗下两座12寸厂总月产能12万片，全数转换至70奈米投产，同时计画在下半年导入更先进的58奈米制程试产。
中芯国际(0981.HK，下称“中芯”)明日将发布2007年第四季度财务报告。根据其前三季度业绩表现以及目前全球存储类芯片的价格走势，它想借该季度实现全年扭亏，已不太可能。
消息人士透露了中芯第四季度大致的表现——受惠于大陆本土半导体设计企业的崛起，中芯国际借助本地生产优势，吸纳了众多客户订单。2007年，其大陆客户创造的营收可能比2006年增长55%。
此外，由于第三季度严重亏损，中芯之前已减少存储类(DRAM)产品的代工，同步增加了利润较高的半导体产品(即逻辑芯片)的比重。消息人士透露，2007年第四季度，其整体逻辑芯片出货量将较第三季度大约增加了5%。这有望提升其净利润。
中芯上海发言人对上述数据不予评论。不过，上述消息人士表示，中芯第四季度营收虽然比第三季度有望大幅提升，但是全年赢利基本无望。之前三个季度，其利润数字分别为880万美元、-210万美元、-2560万美元，这意味着第四季度，其净利润至少要超过1890万美元，才能扭亏。
但来自存储产品的营收，仍然占据整体营收的20%左右，按照目前价格表现，中芯不可能力挽狂澜。分析人士表示，中芯去年全年可能亏损2亿元人民币，较2006年减少40%以上。
摩根士丹利昨天也表示，由于整体行业惨淡，2008年中芯的基本面仍将维持现有局面。不过，它同时表示，中芯多数负面因素已被市场消化，仍看好其在资本市场的效应。
事实上，2007年，中芯在技术与产业布局上都获得了重大突破。前不久它从IBM手中获得了45纳米技术，有望于今年底在上海
此外，中芯也正借助商业模式变革消除单一代工风险。除了此前进入封装测试、光掩膜等领域外，它与闪存大厂奇梦达的合作中也开始承担起销售任务。事实上，不但如此，中芯还加入了闪联等本土标准组织，试图与上下游建立起更为紧密的合作关系。
【赛迪网讯】
据国外媒体报道称，笔记本电脑业务的贡献将超过1700亿新台币，约占今年总销售收入的50%，销售量的增长幅度将在30%-40%之间。
在华硕年终聚会上发言时，华硕董事长施崇棠表示，如果这一目标实现了，华硕将占领6%的全球笔记本电脑市场，成为第六大厂商。
尽管主板和显卡业务不会象去年那么好，华硕预计今年自有品牌和OEM产品销售量的增长幅度将在10%-15%之间。
据华硕的总裁沈振来称，华硕预计将能够完成今年易PC销售量达到500万台的目标。低价笔记本电脑将占到整个笔记本电脑市场的10%。
自剥离出来后，华硕OEM业务的重点是扩展其经济规模，自有品牌业务的重点是利润。施崇棠指出，美国将是今年华硕利润的最大贡献者。
全球内存领导供货商奇梦达公司(NYSE: QI)昨日宣布1GB和2GB的 DDR3 SO-DIMM内存模块 (Double Data Rate 3 Small Outline Dual In-line Memory Modules)的样品开始出货给主要客户，以布局下一代的笔记型计算机市场。奇梦达将其最新的DDR3 SO-DIMMs最佳化，提供了超强的省电功能，已居于业界领导地位。在移动运算中，省电是新DDR3内存接口很重要的价值体现，因它能在笔记型计算机及其它移动运算应用装置中，让电池有较长寿命且仍保持较高的性能表现。奇梦达率先于2006年6月推出DDR3内存产品，并于2007年5月开始出货给桌上型计算机客户。本产品的推出是奇梦达在DDR3产品策略上重要的进步，同时也遵守了奇梦达在产品定义上的承诺。
奇梦达计算类事业部副总裁Michael Buckermann表示：“奇梦达的1GB和2GB的DDR3 SO-DIMMs让我们的客户可以充份享受DDR3显著减少耗电量和增加频宽所带来的便利。奇梦达全力地支持客户推出下一代的行动运算应用产品，预计内建奇梦达DDR3的笔记型计算机将于2008年上半年上市。”
1GB 和2GB的SO-DIMM模块由奇梦达以75纳米工艺所生产的1Gbit DDR3零组件所组成，提供明显的省电效果，因为DDR3仅需1.5伏特的电力供给，而DDR2则是1.8伏特。根据SO-DIMM容量的不同，奇梦达的DDR3 SO-DIMMs与现今主流的DDR2模块相比，可以节省30%到50%的耗电量。
奇梦达的DDR3 SDRAM装置提供1.600 Mb/s的数据传输率，是现今DDR2内存最大传输率的两倍，并且也可以显著提升个人计算机、行动运算装置和服务器效能。
DDR3 SO-DIMMs是由奇梦达和其伙伴南亚科技所研发的DDR3 1Gbit零组件上，奇梦达和南亚科技支援新功能以提供高处理速度，例如Dynamic ODT (On Die Termination) 在每通道运作2 个DIMM模块上，以很高的数据传输速率下能增强讯号准确性；Calibrated Driver Impedance则能将DDR3 SDRAM输出驱动器阻抗最佳化。已降低的接口寄生效应，结合数据传输在线的读写操作，使得DDR3 SO-DIMMs拥有极高的传输率。
欲见奇梦达DDR3内存产品更进一步的数据，请参考：http://www.qimonda.com/computing-dram/ddr3/index.html.
大陆华中和华东地区遭逢近50年来罕见的连续大风雪，造成在当地设厂PCB业者生产问题，包括限电措施及交通运输不便，使得生产线受阻，PCB业者纷紧急以发电机因应，部分厂商估计目前产能只剩下3~4成，另有业者则估计将冲击单月出货量约5%。值得注意的是，若大风雪未减或路面结冰，势将影响原物料进货及成品出货，尽管目前多数厂商仍有原料库存，但若时间拉长，恐将对PCB厂业绩造成不利影响。
大陆华中和华东地区出现罕见的暴风雪，不但压垮发电电塔，影响供电，且严重冲击大陆交通，致使无法供应煤炭，让供电更加吃紧，业者纷以「雪上加霜」形容，其中，常熟、昆山等华东地区不得不采取限电措施，在当地设厂PCB业者生产线普遍受到冲击。
在昆山设有厂房的竞国实业表示，虽有停电措施，但该公司以柴油发电机因应，但无法支应原有电力需求，加上适逢月底，目前光电板订单需求仍属畅旺，因此，估计这场风雪及限电措施恐将影响5%出货量。另外，柏承昆山厂亦因限电，出货并不顺利；甚至有部分PCB业者产能仅剩下30~40%，只得采取出货减半来因应。
对于常熟、昆山地区限电措施，金像电常熟厂上周五即接获通知，并已租用柴油发电机因应电力需求。金像电指出，目前生产线正常运作，出货尚称顺利。另外，同样设厂于常熟的敬鹏表示，由于风雪阻碍交通，部分员工无法上班，目前生产线人力多数以住在宿舍员工支应，至于限电措施，该公司已有因应办法，由于常熟用电量仅为当地供电量7分之1，停电影响并不明显。
不过，部分PCB业者则持较悲观看法，认为这场风雪若持续下去，原物料供应及成品出货就会造成问题，且即使风雪停止，此时地面结冰，运输仍会形成问题。部分PCB业者则认为，这场风雪顶多再延续3、4天应会停止，暂不需严重看待，况且皆备有原物料库存，还能支应目前需求。
整体而言，月底通常是当月出货较密集时点，因此，这几天风雪造成限电和交通阻碍，恐将影响PCB厂1月合并营收表现。PCB业者认为，大陆环保政策趋严，使PCB厂扩产受限，此时加上大陆气候骤变问题，将增添在当地设厂难度，即使寻求替代生产基地如越南，但该地区基础建设尚不完备，也无群聚效应，赴当地设PCB厂时程仍言之过早，在供给面遭到压抑下，面临未来PCB需求成长率5~10%情况，长远而言，将有利于PCB产业健康发展。
AMD公司近日推出并开始供应ATI Radeon HD 3400与ATI Radeon HD 3600两款绘图处理器(GPU)系列产品。该两款处理器系列产品均为ATI Radeon HD 3000系列处理器的成员，使AMD可为主流市场带来更出众的绘图效能。
新推出的ATI Radeon HD 3400与ATI Radeon HD 3600系列内建AMD公司专利的影像译码技术(Unified Video Decoder；UVD)，可支持full HD格式(1080p)，并确保影像流畅地播放与细腻画质。ATI Radeon HD 3400系列锁定建议零售价(SEP) 49至65美元的入门级市场，而ATI Radeon HD 3600系列则锁定79至99美元价位区间的主流级市场，为消费者带来无与伦比的价值。
运用内建的六声道(5.1)Dolby Digital环绕立体声音效与HDMI接口传输，可望打造出超高临场感的家庭剧院环境。此外，ATI Radeon HD 3450将支持全静音(被动式)散热设计，为家庭剧院PC提供理想的解决方案。
这两款系列产品均搭载了ATI CrossFireX技术，能带来多重GPU升级功能的最新选择。透过ATI Hybrid绘图技术，一个ATI Radeon HD 3400绘图处理器搭配组合一个兼容的AMD 7系列芯片组，可作为AMD即将推出的主流高解析平台的一部份，并提供卓越的3D效能，发挥更出色的游戏体验。
利用Microsoft DirectX 10.1的支持功能，使游戏玩家在执行顶尖的HD游戏时更能体验生动的3D绘图画面、逼真效果与色彩特效。由于新产品完全支持PCI Express 2.0技术，能够带来比现有PCI Express绘图卡高出一倍的传输流量，让游戏玩家更能执行各种要求严苛的绘图应用软件。
两款新系列产品整合了全球首款内建DisplayPort接口的绘图处理器设计，采用55奈米制程技术，以提供低能耗与静音省电的使用体验。
原本去年第三季被返校需求带动的台湾NB市场买气，在第四季却出现戏剧性萎缩变化，市调机构初步估计，比起二○○六年第四季衰退幅度可能会超过二成，因去年台湾NB市场仍面临衰退的局面，仅有华硕Eee PC因为低价抢市、卖出四万台的佳绩，成为第四季台湾市场异军突起的黑马。
去年上半年台湾市场由于商用市场受到中信局标案延迟，加上经济表现不佳，因此表现平平，不过第三季买气回笼，总销售量为二五．七三万台，比第二季成长四一％，也较前年同期成长一三％，走出上半年衰退的窘境。
不过去年第四季，原本是业者寄望的旺季，虽然台湾耶诞销售旺季不如其它国家明显，但是由信息月等促销活动刺激下，过往第四季都是台湾NB市场相当重要的销售季节。
但去年第四季销售成果陆续出炉，市调单位如IDC、Gartner等都对台湾NB市场发出警讯，业者表示，据他们了解，第四季整体台湾NB市场年衰退幅度可能超过二成，只是如果加计第四季华硕热卖的Eee PC，衰退幅度将会缩小到约一○％左右。
业者分析买气不佳的原因，主要就是受到股市第四季大跌，消费信心不若股市指数创新高的第三季，另外物价高涨，对非民生必需品的NB产品来说，买气自然也会大受影响。
不过第四季虽然台湾消费市场急冻，但NB业者表示，华硕Eee PC是第四季台湾市场最大的惊喜，如果把Eee PC当作单一品牌，单季四万台的销售甚至可以跻身第三大台湾NB品牌。
最近国内出现一间32位RISC嵌入式微处理器核心硅智财公司─晶心科技(Andes Technology)，由于这是亚太地区第一家推出原创性CPU核心IP的业者，再加上背后有智原和联发科的资金来源，更使其受到广泛的注意。在这个由欧美业者主导的CPU核心IP市场中，晶心科技将如何以后起之秀之姿，向市场老大哥提出挑战？该公司产品的技术特点与市场定位又是什么？在本月的‘Design in Taiwan’单元中，我们将向各位介绍这间受到瞩目的新兴IC设计公司。
晶心科技是于2005上半年成立的，总部设于新竹科学园区的硅导科技研发中心。谈到公司的创立缘起，之前曾服务于智原科技担任CPU设计架构长一职，目前是晶心科技技术长暨研发副总经理的
而苏泓萌也因此离开智原，加入了晶心科技。他表示，“公司成立之初，我们花了一段时间部署人力，积极开始投入CPU核心的开发。”历经两年多的开发，晶心科技终于在去年底，正式推出命名为Andes(Architecture for New-Generation Digital Engines) Core的核心IP产品，以及相关的开发工具软件AndeSight及AndESLive，而目前的员工已有80多人。
此次晶心一并推出两款核心IP，分别为Andes Core N12以及N10。苏泓萌解释说，“Andes Core产品是根据我们专利申请中的AndeStar ISA架构所开发出来。此架构的主要特点在于，它是一个16/32位指令集可相互组合(intermixable)的架构，也就是说，16位指令集可作为32位指令集的一个子集。透过这样的设计，可以得到更小的code size。此外，AndeStar还支持弹性化的内存管理架构、针对实时效能的向量中断控制、内部DMA引擎、电源管理支持等。”
而就N12的特性来看，这是一款single issue、8级管线(pipeline)的核心，内建内存管理单元(MMU)以及指令和数据快取(I&D Cache)。透过结合动态分支预测(dynamic branch prediction)功能，配合低功耗快取结构及虚拟寻址的近邻内存(Local Memory)架构，能够解决在使用传统嵌入式微处理器时内存存取延迟及频宽不足的问题。
图一 Andes Core N12架构
苏泓萌表示，“N12硬核已经使用联电0.13um制程验证成功，仅利用标准的单元库，此CPU硬核之操作频率最差情形可达到500MHz，核心大小为
图二 N12硬核心效能
而N10则是五级管线，以0.13um制程制造，操作频率可达到250~333MHz的核心。其闸数约为40K~200K。苏泓萌指出，“N10具备特殊的功率节省特性。其最精简的配置，可以应用在包括MCU、储存装置、玩具等应用中。”
就产品的发展蓝图来看，晶心还将开发65nm的N12核心，频率速度可达到700MHz。更高阶的新产品系列，则预计于今年底至明年推出采90nm制造，频率速度将达到800MHz的核心。
图三 晶心科技CPU核心发展蓝图
市场机会与挑战
就N12以及N10的效能来看，大概是分别对比到ARM的ARM11和ARM9核心。对于与ARM、MIPS这些历史悠久的CPU核心业者竞争，苏泓萌指出，“当然，这些业者有品牌优势，对我们来说，我们必须要先说服客户相信晶心的技术。”
但是，他也强调，“这些外商业者通常仅在台湾部署有限的人力，而拥有在地团队优势的晶心，将能透过更密切的合作开发，协助客户完成产品的开发。”而‘SoC解决方案咨询’也是晶心非常重视的一环。苏泓萌表示，“为了最佳化我们的核心方案，我们还可以进一步提供SoC架构、核心实体建置、软件架构等各方面的支持，协助客户达到缩短上市时程的目标。”
尽管如此，在另一方面，ARM、MIPS的优势也在于已经建构了一定规模的生态系统与第三方协力厂商，这无形中对新进业者来说，是一个不容易跨越的竞争门坎。
对此，苏泓萌指出，“目前，第三方解决方案仍在开发阶段中。但是，在我们与客户接触中发现，并不是所有客户都是需要依赖第三方解决方案的。”他说，“这些客户通常拥有自己的方案与产业知识，但是需要有更好的技术支持，将其方案建置于CPU核心中，这便是我们极佳的市场机会。”
对于未来展望，他表示，“SoC的趋势在台湾才刚开始，而以整个大中华区的发展来看，嵌入式市场的机会仍然可观。我们现在已经有一些design-in的客户。相信，过一段时间等到真正有silicon-proven的产品上市后，其它厂商对于采用我们的技术会更有信心。”
然而，在挑战方面，苏泓萌认为，真正的挑战反而是在自己。“外面的市场、机会我们都看得到。但是太多的机会反而会让我们失焦。自从发布我们的新技术后，其实已经获得不少厂商的询问与回响。但是，晶心到底还是一家资源有限的新创公司，我们在选择合作伙伴与客户时，需要更多的智慧去挑选，什么样的做法、策略对我们才是有益的。”
经过两年多的开发过程，在克服技术挑战，完成核心产品的开发后，晶心现在面临到是另一个不同阶段的挑战。如何打开知名度，拓展市场，妥善应用资源，以得到稳健的成长，是晶心现在需要做的，苏泓萌开玩笑说，“苦日子现在才要开始呢！”
NAND闪存价格好不容易在一月下旬见到止跌迹象，不过好日子似乎没办法过太久。根据模块业者指出，三星及海力士等二大韩系NAND供货商虽然本季的新增产能不多，但是东芝新十二吋厂Fab4去年十二月开始以五六奈米量产投片，新产出将于二月释出，美光及英特尔合资的IM Flash新增产能也将在二月开出。由于目前NAND需求仍得看苹果公司采购动作，在苹果下修首季iPOD及iPhone等出货量之际，业内预估NAND在下月恐将再面临价格大跌危机。
NAND市场成长潜力虽被看好，但是主要应用市场仍以小型快闪记忆卡、MP3播放机、手机记忆卡等为主，NAND供货商去年下半年力推的NAND固态硬盘（SSD）市场虽有起色，但笔记型计算机采用比重仍低于五％，所以若由现在需求面来看，NAND最大采购者仍以苹果公司为主，其次则是新帝（SanDisk）、金士顿、威刚等内存模块厂。所以苹果的采购动作，仍是今年NAND价格涨跌的最大关键。
由于第一季是传统消费性电子产品淡季，苹果才于日前法说会中，宣布将下修本季iPOD、iPhone等出货量，等于苹果对NAND的需求强度已大幅减弱。不过就供给面来看，今年以来NAND供需虽略趋于平衡，不过东芝及IM Flash二月份将有大量产能开出，在需求量转弱、供给量放大的情况下，不少模块厂及通路商已相继透露，二月NAND价格恐会有不小的跌幅。
据了解，东芝与新帝合资的新十二吋厂Fab4已于去年十二月正式量产投片，现在正以五六奈米量产四Gb至十六Gb的NAND芯片，第一批万片NAND颗粒将于二月开始释出市场，且该厂目前月产能约一万五千片至二万片间，下半年要拉升至八万片，扩产速度超过市场预期。
至于IM Flash去年十二吋厂产能全开，已经取得约九％的市占率，由于IM Flash目前最大的目标就是扩大市占率，是故其扩产动作毫不手软，去年第四季新增约二万片投片，预计将于二月中下旬开出，今年IM Flash产能扩充计划据传将达一倍，市场预期IM Flash今年可取得近一五％的市占率。
模块业者分析，东芝及IM Flash的NAND新产能开出，将是第一季NAND价格下跌的压力来源，至苹果公司开始回补NAND芯片前，价格是易跌难涨；至于苹果公司今年新增IM Flash为NAND重要供货商，所以三星、海力士、东芝、IM Flash恐将会为了争取苹果下单，在苹果下单前先进行降价动作。整体来看，今年NAND价格跌幅恐怕仍十分可观，库存管控将非常重要，一不小心可能就会出现严重库存跌价损失及亏损。
DRAM市场一直所讨论的沟槽式(Trench)技术前景，目前已确定沟槽式集团的58奈米制程技术将在2008年第4季进入产品验证阶段，华亚科也预计在2008年投资300亿元将12万片的70奈米制程技术产能，转换成58奈米制程技术，可说对于58奈米提供了最佳的保证。
DRAM市场不断辩论沟槽式或堆栈式的制程技术，而长久以来由于堆栈式阵营的成员人数众多，再加上部分原本属于沟槽式集团成员，也先后转向堆栈式阵营，因而外界对于沟槽式集团的未来产生疑问。沟槽式阵营两大母公司，南亚科与奇梦达(Qimonda)已确定研发出58奈米制程技术，且已证明这是可进行商业化的制程技术。
目前58奈米制程技术已分别在奇梦达与华亚科进行小量试产阶段，依试产的结果来看，可望在2008年第4季进入产品验证阶段，而依据过去DRAM厂进入产品验证经验判断，最快到2009年第1季底便可开始进入量产阶段，而过去每世代制程技术至少可使用2年左右时间来计算，沟槽式集团的产品生命周期到2009年甚至是2010年都没有太大问题。
70奈米制程技术产能转换成58奈米制程，华亚科2008年将会投入共300亿元进行机器设备转换，估计要将2座12吋厂约12万片产能全数转为58奈米制程技术，大约需花费将近300亿元左右的资本支出。不过华亚科光是每年的折旧摊提大约有280亿~300亿元，因此就算华亚科2008年不进行募资动作，也还足以因应转换制程所需要资金。
而奇梦达也于28日同时宣布1GB和2GB的DDR3 DRAM模块样品开始出货给主要客户，加速布局次世代NB市场。奇梦达于2006年6月推出DDR3内存产品，而估计内建1GB和2GB DDR3 SO-DIMM的NB将于2008年上半上市。
1GB和2GB的DRAM模块由奇梦达以75奈米技术制程所生产的1Gb的DDR3芯片组成，提供显著的省电效果，因为DDR3仅需1.5伏特的电力，而DDR2则是1.8伏特。根据SO-DIMM容量的不同，奇梦达的DDR2的SO-DIMM与现2008年主流的DDR2模块相比，甚至可以节省30~50%的耗电量。
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