Archive - 九月 21, 2007

来源：存储时代       2007-9-21

半导体元件与材料国际会议“2007 International Conference on Solid State Devices and Materials（SSDM）”于2007年9月19日在日本筑波开幕。

在尖端内存技术云集的“Advanced Memory Technology”会议上，东芝受邀演讲，介绍了无需电容器的DRAM技术“FBC（Floating Body Cell）”的最新研发状况和今后的技术课题。

FBC是在SOI（silicon on insulator）底板上形成的MOS晶体管浮体中积累电荷来保存数据的内存。其优点是无需传统DRAM的电容器，因此能够缩小内存单元面积，同时还易于应对未来的微细化要求。

在此之前，东芝利用90nm工艺半导体技术证实，采用了面积为6F2的单元的FBC内存阵列可以通过简单的工艺和工序制造。并且为FBC内存单元制定了导入32nm工艺的微细化技术目标。东芝通过改进工艺，分别制造出逻辑和内存电路，通过选择性地为内存电路采用较浅的元件结构，提高了SOI效果，同时还在膜厚等方面进行了优化设计。因此能够在导入32nm工艺时保证必要的性能。

东芝的目标是利用FBC替代单体DRAM和混载DRAM。其中，有望较早实现的是替代混载DRAM。FBC目前存在的技术课题是数据保持时间仅为数十μs（最差时），比现有DRAM短2～3个数量级。如果是逻辑LSI混载用途，以这种短数据保持时间为前提，控制器电路只需做简单的改进即可完成刷新工作。另一方面，如果要替代单体DRAM，FBC的数据保持时间需要较现在有大幅延长。为此，东芝目前正在进行技术开发。

来源：电脑商情报      2007-9-21

9月21日消息，据国外媒体报道，三星电子位于首尔附近的器兴(Giheung)厂在当地时间20日下午5:40再度发生36秒停电意外。三星表示，目前存储器和非存储器生产线已恢复正常运作。

三星公司发言人称，这桩停电事故是因电力不稳定引起的，仅持续了36秒，并未导致任何损失。事故发生后，三星立即调用自动系统供电，所有生产线运作如常。

业内人士表示，这次短暂的跳电事件对于存储器供需不会产生影响，而20日晚上DRAM现货市场价格也并未受到影响，处于持续下跌的状况，eTT价格已跌破1.2美元。

今年8月3日，三星公司器兴厂房曾发生大面积停电，导致6条生产线停产，事后更引起芯片价格的上涨。    

来源：巨亨网      2007-9-21

南韩电子大厂Samsung Electronics Co.(005930-KR)周五表示，在需求强劲与成本降低的驱动下，预估下半年芯片业务的获利将大幅攀升。

Samsung今日表示，动态随机存取内存(DRAM)芯片的毛利率温和增长，而NAND型芯片的毛利率正则大幅成长。

Samsung说：「因为Samsung委托代工(OEM)的业务量较大，因而受到现货价格波动的影响较轻微。」

Samsung表示，拜音乐手机与MP3播放器的需求旺盛之赐，预估明年上半年全球NAND市场的表现将更加热络。

Samsung强调平面电视第3季的出货量强力攀升，预估第4季的表现将更为抢眼。此外，Samsung预测今年液晶电视的销售量将倍增至1200万台。

来源：半导体国际　　　　2007-9-21

英特尔近日表示，在未来两年内可以将芯片大规模生产的制造工艺提高到目前的三倍。这也意味着两年之后的芯片尺寸将只有目前的三分之一，毫无疑问如果预言成功英特尔将再次无可争议的登上半导体产业的王者宝座。

国外媒体称，作为世界上最大的芯片制造商，英特尔表示正在改革45纳米技术，并且有史以来第一次披露了32纳米技术的细节问题。据统计，目前英特尔在个人电脑芯片市场的占有率达到了80％，不过公司目前仍然在普遍使用65纳米技术。2005年的时候，英特尔曾经因为技术发展落后而被竞争对手AMD抢夺了数目可观的市场占有率。不过在今年年中的时候，英特尔推出了一系列全新设计的芯片，从而一举扭转了技术方面的颓势。目前公司甚至表示将进入32纳米技术时代。

另一方面，虽然台式电脑芯片市场已经逐渐步入发展缓慢的成熟期，不过英特尔已经将目光投向了发展速度更快的移动电脑，公司CEO奥特里尼表示，Core处理器功耗只有25瓦，凭借这种超低功耗芯片，英特尔也将更好地进入价值2000亿美元的消费者电子产业。

在日前召开的发布会上，公司CEO奥特里尼亲自展示了32纳米技术，并且宣布公司将在两年内将该技术使用到实际的大规模生产过程中。实际上，芯片制造工艺的提高也意味着单位晶圆上产量的提高，另外还可以带来更快的芯片运算速度。毫无疑问，在最近这场技术大战中，英特尔走在了老对手AMD之前，后者曾经表示45纳米技术芯片产品将不得不等到明年中期。英特尔方面表示，代号为Penryn的45纳米技术芯片产品将在今年11月12日上市。另一方面，下一代产品设计代号Nehalem已经完成，在公司一年一度的技术大会上，英特尔展示了基于该技术的个人电脑。

就在上述消息发布的当天，英特尔的股票就上涨了1.8％，达到每股25.30美元，与此同时竞争对手AMD的股票则下滑了2.2％，实际上在今年至今为止的时间里，英特尔的股票已经足足上涨了24％，而竞争对手AMD则下滑了36％，也许这也是双方近期技术实力对比的真实写照。

来源：中时电子报　　　　　2007-9-21

DRAM市场利空消息再添一桩！包括应用材料在内的几家美国半导体设备业者透露，晶圆代工厂为了维持高产能利用率，并降低明年首季传统淡季的冲击，现在采购设备动作仍然十分慬慎，反倒是已陷入供给过剩泥沼的DRAM厂，采购设备动作仍然积极，且扩产动作是以万片为单位持续增加中。业内人士认为，DRAM厂为了降低单位生产成本及争取市占率，扩产动作可说是愈演愈烈，DRAM供过于求压力恐延伸至明年中旬。

DRAM价格在七月出现明显反弹，八月中旬后因OEM计算机大厂手中库存水位已达高档，但正逢DRAM厂七○奈米制程新产能开出，在市场供给过剩问题恶化下，价格再度出现重跌走势，至九月中旬为止，现货价跌幅已逾二五％，合约价也出现一五％左右跌势，市场对DRAM后市已出现一面倒的悲观论调。

理论上DRAM价格跌破制造成本后，业者为了降低亏损压力，应会减缓后续扩产动作，不过根据美国半导体设备业者指出，至年底为止，DRAM厂仍是半导体设备采购最大区块，且采购设备动作并没有取消，顶多只是延后一季交机，其中日本尔必达、韩国三星及海力士、台湾的瑞晶及南亚科等，扩产动作仍依计划进行，如南亚科日昨就宣称，本季才开始试产的十二吋厂，年底月产能就要完成三万片机台建置，比原订计划还早了一季。

设备业者表示，DRAM厂为了降低单位制造成本，加速七○奈米制程微缩工程，也为了扩大经济规模，持续建置新的产能，只是在新产能陆续开出之际，原本应是传统旺季的下半年，却出现旺季不旺问题，每台计算机平均DRAM搭载率没有如预期般增加到二GB，以致于出现严重的供给过剩问题。由于DRAM厂的扩产动作没有延后，若以年底前建置的产能来看，明年上半年又进入DRAM市场淡季，供过于求问题恐会延续到明年中旬。

相较于DRAM厂的积极扩产，晶圆代工厂的设备采购就明显低调许多。包括台积电、联电、特许、中芯等前四大厂，第四季产能利用率仍在高档，晶圆出货量仍会有五％至七％左右的季增率，但为了在明年首季的传统淡季中，让产能利用率不会出现太大跌幅，现在设备采购仍十分保守。

来源：中时电子报        2007-9-21

英特尔推动的WiMAX上网标准，明年将火力全开，英特尔规划将在明年下半推出新的Centrino行动上网Montevina平台上导入支持WiMAX功能，目前已经有包括宏碁、联想、华硕和松下（panasonic）等NB大厂已经率先加入英特尔WiMAX计划，明年将率先推出Montevina机种。不过英特尔坦承，亚洲部分市场可能都要等到二○○九年才会见到WiMAX服务出现。

WiMAX人口五年后13亿

英特尔规划，预计到了二○一○年，WiMAX的覆盖率将涵盖全球七．五亿的人口；到了二○一二年这个数字将达到十三亿。英特尔也积极在全球各地与系统业者推出WiMAX服务，最近敲定的服务厂商为日本的KDDI。

英特尔过去在NB上导入Wi-Fi功能，获得相当大的成功，造成Centrino旋风，这次力推WiMAX，英特尔同样又找上了NB业者，英特尔宣布目前已经有包括宏碁、华硕、联想和松下等四个NB品牌业者加入WiMAX阵营。

宏碁、华硕加入WiMAX

英特尔的WiMAX计划，除陆续推出支持固定式WiMAX（802.16d）的Rosedale第一代芯片及同时支持行动式WiMAX（802.16e）和16d的新一代Rosedale2芯片。并计划在明年年底发表名为Dana Point的内建式移动WiMAX网卡。

不过与当年推广Wi-Fi策略一致，英特尔真正的着眼点在于利用NB的Centrino平台提高WiMAX的使用人口，明年将推出Montevina平台除了有支持高画值等影音娱乐功能外，还将采用代号为Echo Peak的Wi-Fi/WiMAX无线网络模块。

英特尔的市场推广时程上，将是以北美市场为最优先推出，其次才是亚洲的日本、南韩和台湾，最后才会进攻手机大厂大本营的欧洲市场。

来源：中时电子报       2007-9-21

华宇计算机(2381)二十日和国际大厂伟创力(Flextronics)签订具有拘束力之意向书，伟创力将承购华宇(江苏)笔记型计算机(NB)及服务器部分，总价为1.915亿美元 (约新台币63.6亿元)，其中含账面价值1.32亿美元加上5950万美元溢价，未来华宇将无制造部门，转型为控股公司。

华宇成为台湾将笔记型计算机部门卖给国外的首例，伟创力是华宇客户，双方洽谈并购已久。这次华宇出售旗下制造部门，就表示正式退出硬件制造领域，董事长李森田表示，做计算机做了18年，虽然很舍不得，但也就是知道计算机没有足够的规模是存活不下去的，因此，未来华宇除了旗下转投资的控股外，也将成为新事业的育成中心。

来源：中时电子报      2007-9-21

由二十多家美国半导体厂执行长等高阶主管举行的FSA领袖论坛甫结束，今年被热烈讨论的一大议题是晶圆代工产业的下世代制程，接棒者究竟为十六吋或是十八吋晶圆颇受争议，其中三星与IBM等业者倾向以十六吋晶圆为主流，但台积电则认为应该直接跨入十八吋晶圆。

对于后续的市场景气，FSA会中诸多美系业者对于中长期市场景气多持乐观看法，但晶圆主流制程的世代交替中，领导厂商所承受的风险甚高，包括过去从四吋转六吋、六吋转八吋都过程都让领军的IBM等业者受创，仅有在台商领军的八吋转十二寸过程中发展较为顺遂，加上不论进阶到十六吋或十八吋所需投入资金庞大，因此究竟由哪家公司负责主导?也是会议讨论重点。

此外近年来芯片高精密化，多得采用堆栈等高阶封测制程，对设计业者来说，封测成本日益垫高，目前几乎已经不低于晶圆投片成本，连带也压缩到晶圆代工厂利润，为此，导致晶圆代工业者也陆续延伸产线到后段封测领域，此一话题也在会议上引发热烈讨论。

至于由国际半导体重要组织IEEE固态电路协会主导的A-SSCC即将在十一月十二至十四日在韩国举行，今年研讨会的主题为亚洲IC设计与经济的崛起，除联电董事长胡国强关于晶圆代工产业的演说外，包括LG总裁Heegook Lee也将以电视芯片为题发表技术演讲，另外瑞萨执行长伊藤达等也会有所论述，而英特尔也将发表四五奈米CPU产品。

今年的A-SSCC共有三百四十七篇论文参加征选，获选共计一百一十三篇，而台湾获选篇数达二十四篇，仅次于日本的二十七篇，此外大陆地区也有八篇获选，显见大陆半导体产业确实开始崛起。至于此次台湾获选作品中，钰创董事长卢超群颇为推崇由威盛混讯IC研发经理叶泽贤所提出，关于PCI Express缆线的相关论文，目前业界PCI Express缆线化规格Gen1（2.5GHz）仅七公尺，但叶泽贤提出的Gen2（5GHz）可达十二公尺，此技术可大幅提升行动装置的扩充能力。

来源：中时电子报　　　　2007-9-21

第四季市场景气到底旺不旺？钰创董事长卢超群表示，中长线景气看来都颇乐观，尤其不应该太悲观去看待第四季的市况，预计单季需求将与第三季持平，虽预期九月至十一月间买气会稍稍停顿，但到了十二月至明年一月间，市场将出现华人春节买气，因此整体来说，明年第一季市况也不会太差。

卢超群指出，往年第二季是市场淡季，会出现五穷六绝的状况，到了第三季需求就会开始上扬，进入第四季后热络市况达到颠峰，因此依照历史习惯，大家都会认为第四季需求应该成长很大，在这种预期心态下，大家难免对今年第四季市场能有多旺开始质疑。

但这样的观念在今年并不适用，卢超群解释，今年第二、三季景气很不错，而大家都进一步依往年惯例，希望第四季的市况能够更好，但这种想法其实是种「over demand」，因为市场需要喘息！所以卢超群对第四季市况看法其实是谨慎乐观，预计单季景气成长力道虽不会再大幅翻扬，但大致能与第三季持平；尤其四到八月都很旺，九月暂时休息一下，不能代表市场不好。

另外卢超群也认为，很多市场因素确实会牵动景气的起伏，就像美国次级房贷的风暴，确实让美国消费性市场买气缩减，而过去第四季所谓的旺季需求，绝大多数是来自欧美市场的耶诞买气，连带第四季需求也多少会受到欧美耶诞买气降温所影响，所以十月到十一月市场买气可能会稍趋缓和。

就个别产品线的市场需求来说，卢超群认为NAND闪存市场还可以，至于DRAM部分，由于新的Vista系统多是高阶计算机使用，而高阶计算机主要消费市场是美国等地，但这些先进地区目前消费市场受次级房贷风暴所拖累，所以DRAM市场当然就不好，但另外像是LCD的屏幕、电视等需求其实仍在提升。

来源：电子工程专辑       2007-9-21

半导体设备供货商Aviza Technology宣布与茂硅电子(Mosel)签订共同开发计划(JDP)，双方将共同开发应用在下一代闪存的原子层沉积层(ALD)材料。

根据合作协议的内容，Aviza将会提供开发先进原子层沉积材料必要的硬设备以及创新制程，而茂硅电子将会提供组件设计及制程整合技术，以开发符合茂硅技术和制造需求的原子层沉积层薄膜。双方的合作将使用到Aviza经量产验证的Celsior fxP单晶圆原子层沉积系统以开发这些薄膜。

目前茂硅的闪存技术研发焦点放在生产更高密度、更低成本及更快读写速度的闪存组件，为达到以上目标，在降低组件设计尺寸到58奈米及更小时，早期原子层沉积层薄膜材料的开发对于确保可制造性是非常关键的。正在研发中的先进薄膜将会以其物理特性、电子特性，以及是否能成功整合到先进闪存制程的程度来筛选。