来源：走进中关村
据报道TSMC台积电即将开始量产45nm工艺，但是现在传来台积电开始对32nm工艺持观望态度。
消息人士透露，半导体业界对32nm工艺采用何种微蚀刻技术还在争论不休，因此台积电TSMC对有望成为32nm工艺主流技术的微影技术和相关设备的采购抱持观望。
目前，台积电即将采用65nm为NVIDIA代工生产G92和G98图形芯片，并且已经开始采用65nm为AMD代工生产R600系列图形芯片。
AMD在年底将推出台积电最新55nm工艺代工的RV635图形芯片和RV620图形芯片。
据称，台积电将在年底开始采用45nm工艺为高通和阿尔卡特代工通迅用芯片。
来源：硅谷动力
44天之后，英特尔的第一个高产量芯片制造工厂将开始运作，这个代号为Fab 32的工厂将采用最先进的45纳米制造技术。
英特尔发言人Nick Knupffer在VMworld论坛上证实了这一消息，并表示，新的Fab 32芯片工厂构建在美国亚利桑那州的Chandler市。这是英特尔目前最大的
英特尔另外两座45纳米工厂仍处于紧张建设之中，并投资10亿-15亿美元更换新墨西哥州一工厂的设备,于2008下半年开始制造45纳米晶体管产品。
与65纳米制造工艺相比，新的制造技术意味在相同大小的硅片上能够构建更多的电路。尽管英特尔在俄勒冈州的D1
D工厂也采用45纳米制造技术，但Fab 32工厂设备的设计产量是英特尔300毫米晶圆工厂中最高的。
英特尔的主要竞争对手芯片制造商AMD目前仅开始转向65纳米制造技术的产品。
来源：存储时代
韩国海力士半导体（Hynix Semiconductor）开发出了层叠24层25μm厚的NAND型闪存、总厚度为
该公司于2007年5月开发出了层叠20层芯片的MCP。新开发的技术内容如下。（1)使下层芯片可以支撑上层芯片的分层层叠技术，（2）可实现分层层叠的LSI内部电路重布线技术，（3）使层叠更加容易的重布线优化技术，（4）将重布线后的半导体芯片厚度降至A4纸1/4的技术，（5）使用WBL（wafer backside lamination）胶带，减少芯片间连接部件的技术。
理论上，采用以上新技术，用16Gbit的NAND型闪存来制造MCP产品的话，可以制造出容量为384Gbit（48GB）的存储器。
来源：巨亨网
在与竞争对手的众多法律诉讼案件中，Qualcomm多次遭到败诉。但周三晚，终于传来该公司的利多消息。法院裁决准许设备制造商进口含有该公司芯片组的手机。
尽管Qualcomm败诉案件众多，但几位华尔街分析师仍看涨其股票，今日他们的心理压力更进一步获得缓解。但在与竞争对手Broadcom进行的专利权诉讼战中，Qualcomm仍将面临重重关卡。
分析师说，市场已反应了败诉的可能性，因而这项消息应属利多。但这只是在漫长的法律过程中，跃进了一步，预期仍将拖延下去一段时间。
Qualcomm (QCOM-US)股价一度涨至39.60美元高点，涨幅4.6%。最近价位报39美元。
Qualcomm股价于5月中突破47美元大关后，已下跌逾20%。
来源：中时电子报
花旗环球证券最新报告表示， DRAM产业近期仍会持续循环下坡段，尤其是在DRAM厂相继传出亏损、价格难止跌等诸多利空消息，都显示DRAM产业未来几个月还会继续探底。有鉴于此，花旗预期力晶（5346）第三季获利恐不乐观，仍会继续呈现亏损，目标价由二三．六七元调降为二○．五元。
此外，受制DRAM报价牵动业绩动力，导致DRAM族群近期表现相对趋弱，内存模块厂威刚决议通过将执行库藏股，买回自家股票六千张，并率先宣布下修第三季营收预估值。
花旗环球证券指出，PC旺季的强劲成长动能止不住DRAM价格走下坡，超出预期；此外，除了大陆十一长假效应，和模块厂出清存货的影响下，NB取代桌上型计算机的换机潮，和面板价格的走扬，也都将使DRAM出货量成长远比预期来的慢。
在整体DRAM产业持续缩减资本支出趋势下，花旗环球证券预估，力晶明年资本支出将大幅缩减三○％至四○％。
威刚周三（十二日）起至
分析师表示，七月以来DRAM价格表现始终不如预期，尤其现货市场买气不振价格不涨反跌，连带使合约价欲振乏力。Flash价格今年以来涨势强劲，惟近期Apple拉货力道随新产品iPOD Video Classic上市在即亦有减缓现象，需观察十月销售情况而定。
来源：新浪网
据《经济日报》报导，半导体协会(SEMI)配合这次的设备展举行高峰论坛，邀请美商应材、Brooks、富士通等高阶主管，和台湾『工研院』电光所所长詹益仁及林进祥等人，探讨十八寸晶圆制程的发展。因十八寸晶圆投资金额动辄八十亿到一百亿美元，现场一片保守声浪，唯独台积电最乐观。
美商应材总经理米达(Sanjiv Mittal)认为，设备商的角度看，若晶圆尺寸扩大，却未提升良率、生产力，对半导体产业实质意义并不大；詹益仁则指出，会使用十八寸晶圆的只有CPU、内存跟少数晶圆产品，资金门坎过高，恐造成十八寸晶圆的发展极限。
林进祥则认为，从零点三五微米到九十纳米，光罩层数从平均十五层增加到三十多层，可是每层光罩的平均u瘣薄A却从二点五天缩为一点二天，晶圆代工厂如何协助客户让产品快速上市，面临的挑战更加艰巨，他承认有能力接受挑战的半导体厂商将越来越少。
不过，台积电对十八寸晶圆世代来临乐观其成。林进祥表示，半导体从八寸发展到十二寸，也有许多设备商都保守看待，但最后证明十二寸仍有商用价值，他预估，全球十二寸晶圆将于二零一二年达到整体产出的百分之五十，十八寸晶圆将正式启动，台积电现在投入的十八寸研发，届时绝不缺席。
来源：Digitimes
全球2007年下半年PC市场需求明显增长，尽管面临面板、电池等主要零组件缺货，然因整体PC供应链管控效率超乎预期，第3季度渠道市场缺货情况较为舒缓，尤其处理器厂超微(AMD)在7月调整桌上型计算机(DT)、笔记本电脑(NB)平台价格后，带动超微平台PC销售量大幅增长，加上英特尔(Intel)第3季度财测亦已乐观上修2亿美元(目标达94亿~98亿美元)，以及广达、仁宝、纬创、鸿准等台系PC相关代工厂8月营运纷缴出亮丽成绩单，旺季商机可说已正式启动。
NB业者指出，根据英特尔与超微供货蓝图，英特尔工艺进展速度加快，9月初Santa Rosa平台各规格处理器几乎全数出货，挹注第3季度末返校、留学、商用市场需求，而第4季度该款NB平台处理器出货比重提升至逾7成，预计2008年第1季度45纳米工艺Penryn平台出场前，还会有一波调价计划，对2007年底品牌、代工厂在出货调配上更具弹性，整体供应链业绩看好。
根据DIGITIMES预估，台系主要NB代工厂第3季度出货将较第2季度多出260万台，相较于过去第3季度出货仅较前1季度增加约200万台，2007年第3季度需求显得格外畅旺。虽然Vista效应未如预期，但仍有题材炒热市场，搭配NB低价化趋势，NB市场增长速度加快。另外，不仅处理器市场预告PC市场下半年将有亮眼成绩，近期甚至包括硬盘厂希捷(Seagate)、威腾(Western Digital)等亦上修财测，同样十分看好2007年下半年PC市场商机。
此外，超微第3季度初在DT及NB一波积极价格策略，让惠普(HP)、捷威(Gateway)、宏碁(Acer)等超微平台低价产品大获市场青睐，加上过去超微CPU优先供货戴尔所造成严重缺货情况已获改善，2大主要CPU供货商出货量稳定，为2007年下半年产业旺季表现注入强心针。
台NB业者表示，2007年下半年NB市场还有产品线多样化可提振买气，尤其面板材质、功能性调节，让NB产品朝向省电、多媒体、触控性等市场区隔，而UMPC(Ultra Mobile PC)、华硕
值得注意的是，过去高阶移动性的小尺寸NB产品平均售价(ASP)偏高，但第3季度英特尔部分减低功耗瓦数、提升效能的Santa Rosa平台CPU价格调整，促使惠普、戴尔、宏碁、东芝、Sony等开始推出平价小尺寸NB产品，让
来源：Digitimes
目前韩国两大DRAM厂三星电子(Samsung)以及海力士（Hynix）计划自2007 年的第四季度起开始将其自1Gb的DRAM占总体产量的比重由目前的10％大幅拉升至30％-40％，且预期自2008年下半年起1Gb的 DRAM颗粒可望将成为市场主流规格，而这样的投产进度可较原先市场预期提前了1年左右，不过据DRAM厂表示，到目前为止台系DRAM厂商尚未开始真正对量产1Gb的DRAM做准备，也因此未来台系如果投产更多512Mb的DRAM颗粒，对于台系DRAM厂恐将身陷泥沼。
据DRAM厂表示，目前三星电子在量产1Gb的DRAM颗粒上进度相对顺畅，据了解，三星电子已计划在2007年底将68纳米工艺技术的1Gb的DRAM产出量，提升到占总体产能比重，由现阶段的10％-15％激增至30％-40％。而据了解到了明年上半年，三星电子产出1Gb的DRAM的产能比重将进一步再拉升至50％以上，而届时其报价将会低于2颗512Mb的DRAM的价格。
而无独有偶的是来自海力士方面的消息也进一步指出，海力士已计划到今年底将其66纳米工艺1Gb的DRAM产能占总体产量的比重由目前的10％提高至40％，这样的看法可说与三星电子不谋而合，而事实上两大韩系DRAM厂之所以如此积极，最主要目的还是希望通过这样做法，拉大与其余竞争对手差距。
对于韩系DRAM厂如此积极投产1Gb的DRAM颗粒，台系DRAM厂指出到目前为止台系DRAM厂确实还是以生产512Mb的DRAM颗粒为大宗，至于1Gb的DRAM颗粒则还是大多仅限于试产阶段，也就是说一旦PC大厂认为采用2颗512Mb的DRAM颗粒成本远不如一颗的1Gb的DRAM，到时则无法避免舍弃512Mb改大量采用1Gb，而到时台系DRAM厂的512Mb的DRAM颗粒恐将沦为『便宜货』。
不过日前集邦科技表示，上半年DRAM颗粒价格大跌，带动OEM计算机大厂纷纷将下半年2GB的DRAM模块搭载率提高，预期可达30％以上水平，也因此将有助于改善DRAM市场供过于求的情况，下半年厂商的获利希望主要来自成本的下降而非价格的上扬。下半年台系厂商70纳米的进度在下半年也更加速，包括力晶下半年将进行70纳米工艺技术1Gb颗粒的量试，预估若DRAM厂的1Gb的 70纳米工艺技术良率稳定后，1Gb颗粒四美元的价格获利仍可在25％以上。供给量。
而事实上先前市调机构也曾经指出，2007年第四季度全球1Gb的DRAM颗粒占总体DRAM出货量的比重将由2007年第一季度1.8％攀升至9％-10％，并于2008年第四季度快速提高扬至约29％-30％。原先预期DRAM市场下一次的主流规格转换时点将落在2009年下半年，而这样的进度对于台系DRAM厂来说将是相当程度威胁。
来源：中时电子报
NB今年全球销售量成长惊人，除前几大品牌有约二○％成长外，台湾几家转型制造NB的MB厂也都缴出好成绩，除华硕NB已成为MB以外主要获利来源，微星NB部门今年摆脱亏损，八月NB获利首度超越MB，成为华硕之后第二家NB获利超越MB的MB厂。
市场预估，华硕、微星两家厂商今年NB出货都有五成以上成长，华硕预估可达四二○万台，微星则将可望超越八○万台。
华硕上半年自有品牌销售为一六○．六万，比去年同期成长六成，根据法说会的数据，自有品牌NB毛利率约一五％至二○％，逐渐取代MB成为获利主要来源。
进入下半年，华硕表示，过去出货在下半年爆发力会优于上半年，今年也不例外，预计第三季华硕NB可望有三成以上成长。
微星今年除了MB景气不差，出货量可望突破一千八百万台，今年包括主机板、NB、消费性电子、服务器和代工等五大部门今年都可望获利。
其中过去亏损最大的NB部门今年转亏为盈，上半年出货已超过三十万台，微星内部表示，八月起微星NB部门单月获利已经首度超越MB部门，是现在公司最大获利部门。