Archive - 九月 13, 2007

来源：巨亨网       2007-9-13

有别于液晶面板价格的好行情，DRAM价格频探底，花旗环球证券科技产业分析师张家麒表示，近期DRAM产业仍会持续循环下坡段，尤其是在DRAM厂相继传出亏损、价格难止跌等诸多利空消息，都显示DRAM产业未来几个月还会继续探底。

张家麒指出，PC旺季的强劲成长动能止不住DRAM价格走下坡，超出预期；此外，除了大陆十一长假效应，和模块厂出清存货的影响下，NB取代桌上型计算机的换机潮，和面板价格的走扬，也都将使DRAM出货量成长远比预期来的慢。

NB市占率的快速增加，是否意谓着DRAM需求走软，张家麒认为，目前NB搭载的 1GB的高容量DRAM模块比重不高，NB快速吞食桌上型计算机的市占率，造成高容量的DRAM模块需求下滑，整体DRAM产业出货量成长可能出现趋缓。

在NB快速取代桌上型计算机的潮流下，张家麒表示，这个问题难以解决，除非价格居高不下的 1GB芯片能降温，否则在 1GB芯片价格高出 512Mb芯片达 3倍之多的情况下，要刺激NB搭载高容量DRAM模块，进而提高DRAM需求，可说是难上加难。

有鉴于此，张家麒预期，DRAM大厂力晶 (5346-TW下单)在DRAM价格持续走跌的影响，第 3季获利恐不乐观，仍会继续交出亏损成绩，将目标价由 23.67元，调降至20.5元；预期在整体DRAM产业持续缩减资本支出的趋势下，力晶明年的资本支出将大幅缩减30-40%。

来源：Digitimes        2007-9-13

美国PC品牌竞逐过程紧张，错估产业情势的捷威(Gateway)市占成绩一路走滑，尤其NB加速侵袭DT产业，促使原本成本控管就不力的捷威营运雪上加霜，捷威在美国市场第2季度出货量竟跌破百万台，单季度96.4万台让苹果(Apple)以101万台超越。而宏碁购并捷威，接下来整顿捷威脚步不加快，宏碁、捷威合并后欲站上美国市占第3位将有困难。　

据数据统计，美国PC市场第2季度戴尔续抱龙头地位，出货量为485.4万台，市占率自第1季度的26.3%回升至28.3%，居次的惠普市占23.4%、第3名的苹果则首次出货量突破百万台大关，市占5.9%，而位居第4、5位的捷威与宏碁市占成绩则为5.6%、5.2%。

值得注意的是，苹果已经接续5季度在美国市场向上增长，第1季度出货75.9万台，第2季度则达101万台，反观捷威出货量季减15.66%，市占自第1季度的7.0%下挫至5.6%，目前捷威是美国DT市场前6强中，唯一季度出货量衰退的品牌，连同近几季度营运衰退的戴尔也都止跌回升，宏碁购并捷威虽然解救捷威的财务危机，但要宏碁一面增加本身还没站稳的美国销售成绩，同时又得为出货量正快速崩塌的捷威救火，成为刻不容缓的难题。

台PC业者认为，目前DT的毛利率几乎逼近3%低点，捷威产品线主力以DT为主，如何控管成本变成问题。此外，现在市场都在质疑捷威的财务黑洞能否在短期内就改善，苹果在桌上型计算机iMac和笔记本电脑Macbook产品线不断增长，因此不加紧脚步止住捷威逐季度下滑的出货量，宏碁购并捷威在美国市场的总出货量要稳站美国第3位，恐怕不久后得面临挑战。

目前台湾各主要NB、DT制造商都与宏碁合作关系紧密，宏碁的总部在台湾也同样具备研发、制造、零组件市场优势，而台系代工厂华宇、精英等是捷威、Parkard Bell的主要代工业者，以宏碁的经济规模解决捷威成本问题并不困难，不过，宏碁短时间内除了必须规划控管成本，美国市场竞争对手苹果持续增长是项警讯，虽然合并品牌出货数量短时稳居第3，但很可能随时就被取代。

来源：Digitimes        2007-9-13

虽然三星电子(Samsung Electronics)8月初趁着停电事件的影响，借机大幅调涨NAND Flash合约价，然日前在价格过高，已造成抑制终端需求的反向效果下，9月逆势调降大幅调降合约价；根据集邦科技(DRAMeXchange)报价指出，8Gb合约价的平均跌幅达10~11.7%，而据了解，其中三星的调降幅度达15%左右，然台模块厂表示，应该正面看待此次的降价，代表未来不再只有新帝(SanDisk)产品享有低价，三星将再从新帝手上抢回失去的市占率。

根据集邦科技报价，主流的8Gb容量NAND Flash合约价达8.02美元，调降幅度约10~11.7%，而16Gb容量平均价格约15.6美元，降幅为8~13.5%，4Gb容量平均价格为6.78美元，跌幅为5~7%；继8月初三星发生停电事件、大涨合约价格达10~20%后，日前再度调降回来的结果。

据了解，当初三星趁机大涨合约价，其实很多终端大客户相当吃惊这次的涨价幅度，也不愿接受，因次纷纷减少拿货的数量，虽然三星也传出会在月底以折让或补贴的方式，用价格保护措施让大客户不会吃亏太多，但当时许多客户仍大力反弹。

下游厂商反应，三星在瞬间大涨NAND Flash的合约价之后，终端需求逐渐被压抑，即使是传统旺季，也没有热络需求的反应，因此现货价格不断下跌，8Gb容量的芯片从单价9美元一路下跌，现在现货价只剩下6美元左右，加上苹果(Apple)又减少下单，因此9月的合约价很快又跌回来了。

模块厂表示，之前三星大涨价的时候，终端成品如快闪记忆卡、随身碟等价格也跟着调高，但东芝(Toshiba)阵营的NAND Flash价格其实变化不大。因此相较之下，东芝阵营的新帝和金士顿(Kingston)的产品相当具价格优势，也借此事件在全球抢下不少市占率，现在随着三星的价格也回文件，接下来可以好好跟敌营竞争。

惟值得忧心的是，8月下游厂虽然已减少拿货，但多少也备了些库存，随着9月合约价大跌，当初的拿货成本现在恐形成库存损失的压力，之后上游厂究竟会给多少折让或是补贴，让下游厂不至于会受到太大的跌价损失，也是市场关心的重点。

来源：央视国际       2007-9-13

国际半导体设备材料产业协会(SEMI)总裁暨执行长梅耶(Stanley T. Myers)十一日表示，全球十二寸晶圆产出今年将再比去年成长百分之五十九，明年成长率也有百分之二十九。其中，台湾将于明年首度超越韩国，成为十二寸晶圆产能最大的产地，分析师认为，岛内日月光、硅品、力成、京元电等后段封测厂将受惠最大。

据台湾《经济日报》报道，“SEMICON Taiwan 二〇〇七台湾半导体设备暨材料展”十二日起在台北世贸一馆及三馆一连举行三天，今年计有超过七百五十家厂商参展，创近年来参展厂商最高纪录。

主办单位SEMI总裁梅耶十一日在记者会上指出，由于消费电子的带动，半导体产业正面临重要的转变，在成本压力与创新导向的应用下，包括晶粒黏着、打线接合、封装等技术，持续朝先进制程发展。

梅耶强调，尽管过去五年来，芯片绝对产量不断升高，可是单价却因消费电子不断降价，目前IC的价格平均低于二〇〇〇年前，今年全球半导体终端需求约二千五百二十亿美元，比去年二千四百八十亿美元仅微幅成长一点六个百分点，可是整个半导体设备暨采购金额，将因先进制程的提升达到八百二十亿美元，其中，台湾在二〇〇七年的半导体设备与材料投资金额总计将达一百六十六亿美元，仅次于日本，成为全球第二大半导体设备材料市场。

来源：慧聪网        2007-9-13

为迎接45纳米制程世代，除了英特尔（Intel）计划于2007年投产，劲敌超微（AMD）也规划与IBM最快在2008年中投产45纳米制程芯片，加上台积电、联电、新加坡特许半导体（CharteredSemiconductor）皆将于2007年下半启动量产列车，使得45纳米制程设备近期市场热度有升温迹象，包括知名设备商应用材料（AppliedMaterials）、荷商ASML皆打铁趁热推出新产品，尽管所费不赀，然晶圆厂恐怕顾不了荷包失血、只能买单。

ASML日前宣布，接获超微及IBM合作45纳米制程的设备订单，最快超微及IBM双方合作的45纳米制程芯片，2008年中便可问世，紧追劲敌英特尔之后；ASML目前浸润式显影设备客户还包括南亚科、华亚科、IMFlash、三星电子（SamsungElectronics）及台积电，光是台积电早期便与ASML携手合作开发浸润式显影技术，厂房中几乎每代机种一应俱全，投资先进制程不惜大手笔。

除了英特尔、超微等微处理器业者，晶圆代工业者台积电、联电皆预计2007年下半开启45纳米制程量产列车，特许也新增45纳米制程，可望在技术伙伴IBM及大客户超微顺利量产后，以产能支持，随着各个晶圆厂纷纷在45纳米制程磨刀霍霍，设备商也藉机于近日的日本半导体设备展期间纷纷推出新一代产品。

应材便宣布，推出业界最快、最具成本效益的化学气相沉积（CVD）平台ProducerGT系统，新作业平台每小时约能处理150片晶圆，相当现有竞争系统的2倍效能；应材资深副总裁暨薄膜产品事业群总经理FarhadMoghadam表示，这套新平台将可以提供客户处理45纳米及以下的各项制程应用，并且再减少30％机械性微粒，大幅提高生产力。

而ASML除了浸润式显影机种大热卖，也持续强化在干式微显影机种的效能，日前便宣布其193纳米干式机种XT1450将支持双重曝光技术，以往XT1450在镜头效能控制下锁定60～57纳米制程市场，如今支持双重曝光技术将使其可延伸应用至32纳米制程；ASML表示，由于双重曝光技术将延伸更细微的半导体制程寿命，将成为193纳米机种过渡至深紫外光（EUV）机种之间的桥梁。

来源：阿里巴巴      2007-9-13

据国外媒体报道，有消息称，AMD可能会收购奇梦达。奇梦达是一家内存芯片厂商，英飞凌持有其86%的股份，其余14%在纽约证券交易所上市。受此消息影响，英飞凌股价周一上涨3.4%。

一名消息人士称：“为了收购奇梦达，AMD计划提交每股16.95美元的报价。”本周一，奇梦达股价上涨1.74%，报收于12.87美元。到目前为止，英飞凌、奇梦达和AMD德国公司都没有就此发表评论。一名法兰克福券商表示：“这并不是一个全新的消息，但是否可信很难说。英飞凌是否会销售奇梦达股份，从很大程度上取决于内存芯片价格。目前，内存芯片价格仍然处于低位，但已经呈现小幅反弹的势头。很多分析师认为，只有当内存芯片处于较高价位时，英飞凌才会出售奇梦达股份，以从中获得最大利益。”

Princeton科技研究公司保罗·雷明(Paul Leming)则明确表示，AMD不太可能收购奇梦达。他说：“这一交易对于各方都没有意义。一旦AMD进入低端芯片市场，其股价将受到直接的负面影响。”

来源：天极网        2007-9-13

据国外媒体报道，韩国三星电子的半导体业务主管Chang Gyu Hwang预定在9月12 日到达台湾进行为期3 天的访问。期间他将参观主要个人计算机和记忆模块制作商，以加强合作伙伴关系并为策划公司2008 年的NAND闪存索取资料。

这是三星在八月出现停电问题后Hwang首次访问过台湾。内存市场最近一直动荡，DRAM需求疲软，内存价格下滑。NAND闪存的短缺使得其有所缓和，但价格也开始下降了，市场需求较预期疲软。

消息人士表示，三星电子正设法协助台湾厂商拓展在NAND闪存市场的份额，以减少市场对苹果的过度依赖。三星是试图防止重蹈以往苹果的NAND闪存供过于求和价格下跌所引发的订单下降，消息人士补充说。

苹果NAND闪存的需求量上升已经达到顶峰，并且来自ipod经销商的订单在九月开始减少，消息人士说。

由于四季度50纳米的生产量开始加大，NAND闪存供应过剩的可能性将增加。因此，该消息人士称，三星正计划提前为明年的NAND闪存生产做准备，以保持健康的市场增长。

来源：驱动之家        2007-9-13

三星电子宣布成功研发出业界第一款基于60nm工艺的2Gb DDR2 DRAM内存芯片，并将在今年底投入量产。

与80nm 2Gb DDR2相比，60nm 2Gb DDR2在800MHz频率下的性能可以最多提升20％，更重要的是节能效率可以增强40％之多。

另外，2Gb DDR2芯片还能提供更大容量的存储方案。组成4-Rank 8GB内存模组的话，1Gb芯片需要72颗，2Gb就只要36颗，这样就可以在同样的容量下将功耗降低大约30％，从而散发更少的热量、降低散热需求、改善内存稳定性。

三星将提供四种规格的2Gb DDR2芯片内存模组：面向服务器的8GB FB-DIMM和8GB RDIMM，面向桌面的4GB UDIMM和面向笔记本的4GB SO-DIMM。

这样，三星的整个DDR2芯片产品线都将转入60nm，容量从512Mb到2Gb不等。

来源：国际电子商情        2007-9-13

英特尔公司(Intel Corp.)日前确认，该公司已收到一份来自韩国公平交易委员会(Fair Trade Commission)的反驳申明(statement of objection)，这是该部门两年来针对英特尔反垄断调查的一部分。

根据美联社报道，英特尔不久前收到来自韩国调查部门的文件。从2005年6月以来，韩国公平交易委员会开始对英特尔进行市场垄断方面的调查，指控该公司利用其市场垄断地位，胁迫个人电脑制造商不得使用来自竞争对手的微处理器。

美联社引述英特尔发言人Chuck Mulloy，英特尔“希望能显示我们对微处理器市场正常运作所发挥的作用，这是一个竞争极端激烈的市场，我们的行为是支持竞争和有利于消费者。”

韩国媒体报道，预计在2007年10月前完成对英特尔垄断案的裁决。

AMD正在欧洲和日本对英特尔提出反垄断诉讼，该公司迅速对此报道作出反应。AMD执行副总裁Tom McCoy表示，“韩国公平交易委员会的行动显示，英特尔在x86微处理器市场滥用其垄断地位，已经引来这家第三方独立反垄调查机构的指控。”

McCoy补充到，“紧随着日本和欧洲的正式反垄断调查行动，全球针对英特尔垄断损害竞争和消费者权益的调查已经越来越多了。”

来源：国际电子商情        2007-9-13

三星电机(Samsung Electro-mechanics Co.)日前宣布其制成了全球最薄的半导体衬底。据悉，三星电机此次制作的芯片厚度为0.08毫米，比普通的纸还要薄。该公司称，该技术可以制作20层闪存和SRAM芯片。

一位公司发言人在一份声明中说道：“新衬底所制成的电路之间的间隔可达20微米。”他还补充道，新的衬底产品是由铜质材料经特殊工艺制作而成。该产品问世前，最薄的衬底厚度为0.1毫米，同样是三星电机于2005年制成的。半导体衬底是用于集成电路制作的支撑材料。

三星电机称，新衬底的样品已送往全球各地的半导体制造商接受测试。测试顺利通过的话，该产品将在今年晚些时候实现商用。