Archive - 九月 12, 2007

台NB双A品牌大陆市场攻城略地 华硕连2季度夺第3名 宏碁重登前5强 无畏国际大厂兵临城下

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来源:Digitimes       2007-9-12


台系笔记本电脑(NB)A品牌华硕(Asus)、宏碁(Acer)在大陆市场表现愈趋活跃,其中,华硕已连2季度拿下大陆NB市场排名第3位,仅次于联想及惠普(HP),至于近期采购并策略抢攻美国市场的宏碁,在大陆市场表现亦不遑多让,通过全新设计商用、家用NB平台强力建功,终于扭转市占率接连跌至低于5%颓势,第2季度在大陆NB市场出货量季度增逾9成,重登大陆NB市场前5强!


大陆市场是众家NB品牌业者竞相争抢的主战场之一,尽管联想稳居大陆1哥,然近期惠普在大陆零售渠道抢滩告捷,让原本地位稳固的联想备受压力,而华硕采用多样化产品攻势在大陆市场亦取得不错成绩,根据IDC统计,华硕2007年第1季度首度以17.2万台NB销售量、市占率10.3%,挤下戴尔(Dell)挤进大陆NB市场前3大,第2季度同样稳居第3大。


华硕指出,目前NB品牌除在大陆市场连拿2季度第3名,第2季度家用与商用市占表现更是强劲,家用NB市占已达8.4%,而商用NB市占则有9.8%。此外,华硕在亚太市场排名第5,台湾市场居冠,在东欧市场增长快速,欧洲已居第5~6位,目前亦计划进军美国市场,尤其Eee PC开始在美国市场放量后,相信会对未来华硕加快脚步提升美国市占有很大帮助。


至于宏碁新一代家用Aspire与商用TravelMate设计款亦传捷报,原本在2006于大陆市场表现浮沉的宏碁终于挽回颓势,第2季度家用Aspire机种单季度销售7.42万台,不仅与华硕家用NB 7.48万台销售量不相上下,市占率亦自第1季度5.5%激增至8.3%,出货量年增长135.8%,而宏碁商用NB亦自谷底翻身,由第1季度出货4.78万台(市占率4.3%),第2季度增长至7.83万台(市占率6.1%),顺利使宏碁大陆NB市占率攀升至7%,挤下商用机种销售大幅滑落的Sony,重回大陆市场第5位。


事实上,宏碁已具备跨国市场的经济规模实力,现阶段主战场仍未着重在大陆,2006年期间宏碁为固守欧美市场,稳定供货流程,一遇到零组件缺料或零售渠道急需存货上架,都是以欧美市场为第1顺位。


此外,宏碁在各市场所面临劲敌亦不同,惠普在美国借侵权控诉以阻碍宏碁增长,联想则拟采购并方式意图在欧洲威胁宏碁,至于在亚太、台湾地区则有华硕等强劲对手。宏碁董事长王振堂已松口未来不排除再以购并前进大陆市场,尽管宏碁各市场腹背受敌压力大,但第2季度新平台产品上市后显见成效,让亚太市场市占、营收稳定增长,可说是宏碁在扩张全球版图吃下定心丸。


                  

IBM科学家正在开发新式内存芯片

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来源:CNET科技资讯网     2007-9-12


CNET科技资讯网 912国际报道 为了制造出更小的电子设备,消费电子厂商正在不断提高内存芯片或者硬盘上容纳数据存储的能力。


这种趋势使得大型主机缩小为台式机,然后再缩小为笔记本电脑,以至于成为我们的衣服口袋中的设备。


现在,假如IBM实验室科学家Stuart S. P. Parkin创意获得资助,那么,在现有同样面积的电子设备当中有可能会多存储10100倍的数据。这意味着,目前最多能够存储200个小时视频节目的iPod播放器可以存储进120个电视频道一周的节目内容。


由于以前的研究,Parkin引起了被数据密度问题困扰着的科技行业的注意。在物理学家圈子外,这位IBM公司的研究人员很少为外人知晓,1990年代初,他在IBM实验室花费两年时间研究超低温环境下量子力学磁性异动的商业化项目。


在一位助手的帮助下,Parkin成功在磁性数据存储光盘上的细微局部实现了磁性状态翻转,从而为微型存储区域的数据存储与检索提供了可能性。利用“巨磁阻”(GMR),数据存储容量可以得到极大的提高,这使得在iPods上存储巨量视频与音频内容,或者实现Google数据中心式的存储成为一种现实。


Parkin认为,他现在找到了另外一种可以极大提高芯片或硬盘数据存储的方法。如果这种方法被成功证明可行,那么他将研制出一种“通用”计算机内存出来,这种内存可以取代现在的“动态随机存取存储器”(DRAM)内存以及闪存芯片,甚至还可以让“内存硬盘”变成现实。


科学家们表示,这种内存可能在三到五年的时间内开始取代闪存。它不仅可以让每位用户在便携式设备当中随手携带等同于一座大学图书馆的数据容量,而且可以将内存容量提高十倍或者一百倍,从而大大释放工程师们在娱乐,通讯以及信息产品上面的创造力。


目前的闪存存储芯片业务正在出现爆炸式的增长。它们被广泛使用于数码相机,手机以及个人电脑当中,商用闪存甚至已经出现了由多颗芯片组成的64GB容量的产品。未来五年,单片闪存芯片的存储容量有望达到50GB


然而,闪存具有一个致命的缺陷。尽管它能够快速读取数据,但它的存储速度很慢。这促使业界纷纷寻找能够替代闪存的换代技术。


Parkin使用的新方法叫做“赛道内存”(racetrack memory),这种内存的速度超过了固态闪存芯片以及计算机硬盘的速度,因此,它不仅可能改变存储行业,而且也可能会改变整个计算机行业。


他说:“经过这么多年的努力,我们最终达到了一个基础性的物理临界点上了。赛道内存将突破现有的规则,将我们带入三维空间。”


Parkin的办法是在在每块硅片的边缘布置数十亿根超微的线圈,组成所谓的“赛道”,同时使用电流去推动无穷小的精细磁体沿每根线上下运动,从而实现数据01的读写。


Parkin的研究小组已经成功让这些精细磁体以每秒100多米的速度沿锯齿形的纳米线上运动。由于微型磁畴(magnetic domains)只需在分子以下级别的距离进行运动,因此,人们能够用一个“纳秒”(十亿分之一秒)的极化(polarization)速度读写磁性区域,这样的速度远远超过了现有的技术读写速度。


如果Parkin能够成功证明赛道内存可行,并且能够实现商用,那么微电子行业从此可以突破二维的摩尔定律的限制,完全进入三维领域。


和他以前的研究成果受到的反响一样,Parkin的新理论也引起了大量的质疑。


希捷科技等存储业巨头公司们正在开始将闪存转向新一代的混合型存储技术产品上,这种混合型产品结合了硅片与磁盘转动技术。但在不远的将来,希捷仍然将着眼点放在了二维技术上。


希捷首席执行官Bill Watkins说:“这里有很多很好的技术,但你必须要选择一个最有性价比的产品。”


到目前为止,赛道内存技术尚未实现商用。IBM方面也没有公布这种技术的商用时间表。但最终,这一技术可能会撼动业界。


IBM研究部门的副总裁Mark Dean说:“沿着这条道路走下去,我们将非常具有突破性。它不仅会改变我们看待存储的方式,也会改变我们看待信息处理的方式。我们将进入一个以数据为中心而不是以计算为中心的世界。”


这只是一种猜想,但它表明,IBM或许认为,赛道内存可以将存储与计算之间的界限模糊,从而提供一种数据搜索,存储以及检索的新途径。


如若成真,那么Parkin所在的IBM物理实验室将再次改变计算机世界。

苹果对NAND Flash影响过大 三星有意大力扶持台厂

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来源:Digitimes       2007-9-12


三星电子(Samsung Electronics)事业部门总裁黄昌圭12日将展开为期3天的访台行程,预计将参访PC系统大厂和存储器模块厂,为2008年存储器产能的概况规划轮廓。值得一提的是,根据下游厂商表示,由于近几年的NAND Flash市场深受苹果(Apple)的订单牵动,苹果几乎掌控NAND Flash市场大部分的供需,因此三星也有意扶植台湾厂商在NAND Flash市场的实力,以减少苹果对产业动辄得咎的影响力道。


自三星于8月初发生停电事件以来,半导体事业部门的总裁黄昌圭是首次访问台湾,近期存储器市场的变化相当大,除了DRAM市场传统旺季却需求不振,价格持续下跌之外,NAND Flash市场也逐渐供给纾解,加上终端需求一般的情况,近期NAND Flash价格也逐渐下跌,


据了解,这次黄昌圭访台,对于接下来存储器产能的配置,将规划出一定的轮廓。这次访台将造访PC系统大厂和存储器模块厂,都是三星半导体部门在台湾相当重要的策略合作大客户,强化双方的合作关系。


下游厂商进一步指出,由于近几年来苹果对于NAND Flash市场供需的影响相当大,几乎掌控NAND Flash价格的起伏,随著这几年台厂努力的结果,NAND Flash产品已达一定的经济规模,因此三星未来有意扶植台厂,在NAND Flash产能上的配置力拼苹果的地位。


随著50奈米新制程将于第4季陆续大量产出,预计到了年底,NAND Flash供给量会大幅增加,整体市场可能从供给纾解,逐渐转向供过于求的趋势,因此三星将提前布局第4季之后的NAND Flash产能规画,以维持市场价格健康均衡的发展。


此外,日前苹果走过备货高峰期,对于NAND Flash订单的下单量逐渐达到顶峰,9月起已开始减少下单量,三星亟欲与下游厂商洽谈未来的产能配置,也是以防止重演过去苹果下单量一减少,市场就陷入严重供过于求,NAND Flash价格大崩盘的情况。

供求失衡 NAND Flash现货市场仍有压力

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来源:华强电子世界     2007-9-12


本周 NAND Flash全线价格持续重挫,热点型号产品8G16G MLC颗粒价格均已下跌11.73~16.13%6.33~8.15%,前期相对稳中上涨的高容量SLC以及低容量1G2G4G部分本周也呈现出大幅度走低的局势,幅度高于市场预期。主要原因为各大厂商持续增加NAND Flash产能,而市场实际消化量明显低于预期,流通量持续减缓,整体NAND FLASH市场出现供过于求的局面。导致现货价格普遍偏软,备受下调压力。


此外,上周市场寄希望于苹果(Apple)推出的新款iPod nano,在近期内相对平静的市场氛围下,渴望为市场注入一剂强心针。但此部分并未带来多少效应,市场反应亦是平平, 上游OEM 以及一些有影响力的通路操作也比较有限,从而引起深圳市场恐慌性出货,故而整周国内市场价格普遍偏低于外围市场价格。


据观察,现货价格持续大幅走低,多少影响到下游补货的心态。现货市场需求不振也是事实,相对充裕的供应面与低迷的市场需求形成反差,也给现货市场带来短期内难以化解的压力。随着供应方的存货消化缓慢,市场供应量不断增加,目前已有经销商不惜以低于市场价格出售,同时也相应加大NAND FLASH价格下调的空间。故而整周NAND FLASH成交量并不是很大。


市场预测


供求失衡 NAND Flash现货市场仍有压力


整体而言,目前市场不利因素占据主要席位,利好消息极为有限。短期来看,市场买气回笼是关键,否则可能很难拉动NAND FLASH新一波行情出现。此外,进入9月后国内代工厂方面接单情况如何,也对价格走势有一定的影响。


由于释入现货市场的货源不断增多,需求表现低于预期压制行情表现低迷,目前市场仍有一定的压力,本周特别是MLC产品仍有机会继续走低。上周部分上游为缓解库存压力,低价释放货源。现货市场的供需关系出现严重倾斜,反弹空间有限价格存在调整的空间,如果本周货源仍然充裕,那么价格应该还会继续走跌。


市场操作


根据各方面数据及信息分析,本周NAND FLASH市场综合评级为“负面”。


鉴于以上对市场的分析,从目前来看,NAND FLASH市场仍存有一定压力。短期内出现反弹的机会甚微,后市NAND Flash现货价下调空间明显。因此,建议库存量以低位进行,可按照实单进行贸易操作。库存水位偏低的贸易商可多关注市场变化,整体供求关系也是应该考虑的问题,建议按照短线来进行操作。

利用40nm工艺实现终极单元面积 尔必达计划将DRAM缩至4F2

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来源:半导体国际


尔必达内存(Elpida Memory)宣布,打算使计划2011年前后量产的40nm工艺DRAM的内存单元面积缩小至4F2F为设计规格)。4F2为现有NAND型闪存所达到的水平,尔必达欲通过单元晶体管的三维化等措施实现该规格。这一消息是在945日举办的“ISTFIndustry Strategy and Technology Forum 2007上,由该公司董事、执行董事·CTO科技&发展Office安达隆郎发布的。   


尔必达目前正在量产70nm工艺产品,将利用继此之后的65nm工艺使目前8F2的单元面积缩小至6F2。该公司目前正在试制65nm工艺的芯片,计划本年度内实现量产。将单元面积缩小至4F240nm工艺领先65nm三代。在此期间,计划量产50nm工艺和45nm工艺的芯片。实现6F24F2后,“在今后的每代工艺中,还将继续保持使单元面积缩小30%的速度”。

报告:明年一成以上NB搭载闪存

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来源:CNET       2007-9-12


预计明年会有更多笔记型计算机厂商采用英特尔的内存加速技术Turbo Memory和固态硬盘,令NAND Flash占据一成以上的笔记型计算机市场。


国内研究机构拓墣产业研究所日前发布报告指出,2008年起,除了由原手持式消费电子产品将持续大量采用NAND Flash作为储存装置外,NAND Flash将透过笔记型计算机与桌上型计算机的采用,逐步扩大市场占有率。值得注意的是,英特尔新一代Centrino平台(代号为Santa Rosa)的效应预计在明(08)年正式浮现,将拉抬14%的笔记型计算机采用NAND Flash,后(09)年则是16.7%的比例。


拓墣产业研究所半导体研究中心研究员陈思圣解释道,虽然Santa Rosa早在今年发表,但是由于其支持的内存加速技术Turbo Memory(先前代号为Robson)为选配,加上NAND Flash的售价仍不便宜,因此在今年仅看到高阶、大约仅有5.8%的笔记型计算机采用,低于原本市场预期。


「预计明年NAND Flash价格更为平易近人后,笔记型计算机厂商才会愿意采用,」陈思圣说。报告尺出根据NAND Flash2005年至2007年两年多来的市场价格统计,NAND Flash正以平均每年跌价50%的速度缓步下降,预计到2009年,市场上就可以普遍看到100GB以下的各种NAND Flash应用产品。


而另一拉抬笔记型计算机采用NAND Flash的主因,即在于固态硬盘(SSD, Solid State Disk)。尽管固态硬盘一直往大容量方向发展,厂商竞相推出32GB64GB产品;但是陈思圣表示,固态硬盘今年到明年的焦点并非大容量产品,而是2GB4GB8GB等小容量。


「华硕的低价计算机Eee PC采用固态硬盘,加上Classmate PCOLPC也用NAND Flash当作储存媒介,是NAND Flash在笔记型计算机端成长的另一主因,」陈思圣说。


根据IDC的资料:今年全球用于手持式计算机的固态硬盘出货量为704千个;明年大幅成长到2159千个;后年6014千个。


Turbo Memory和固态硬盘系在今年正式浮上台面。主要目的都在于加快计算机开机速度,将时常存取的数据或操作系统存放在内存里,减少存取硬盘的次数。和前者相比,固态硬盘的另一优势在于防震。


纵使有上述优点,但是由于闪存的单位价格仍过于昂贵:以固态硬盘为例,每一GB要价大约7块美金,大约是传统硬盘的五倍,导致市场仍维持曲高和寡的阶段,目前仅有一向以高阶定位自居的日系笔记型计算机厂商如富士通(Fujitsu)、新力(Sony)等采用。惠普(HP)则表示年底才有可能推出。联想(Lenovo)、华硕(Asus)暂无计划。


相较于固态硬盘,Turbo Memory的际遇则稍微好过一点。包括了宏碁(Acer)、华硕(Asus)、联想(Lenovo)、东芝(Toshiba)都已推出Turbo Memory机种,唯前者尚停留在高价位机种。


针对报告指出明年预计超过一成的笔记型计算机采用NAND Flash的说法,华硕和联想两大笔记型计算机厂商表示不令人意外。联想产品事业部经理李宗幸表示,该公司目前虽仅在高阶T系列机种采用Turbo Memory,但预计在今年稍晚推出令X61开始支持Turbo Memory


「市场还不愿意大幅采用Turbo Memory的原因在于需要测试时间,预计到了明年,会有更多笔记型计算机开始支持,」华硕笔记型计算机产品经理廖逸翔说。

ASML:半导体明年景气旺

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来源:联合新闻网      2007-9-12


艾司摩尔(ASML)亚太区策略营销协理郑国伟昨(11)日指出,台湾地区第四季晶圆厂装机动能,目前看来内存厂要较晶圆代工厂积极。内存厂正加速安装ASML较具成本竞争力的i-Line机台,估计可增加10%的晶圆产出,抵抗售价下滑。


分析师认为,内存厂加速装机,反映的是降低成本,并非是终端客户的需求转强。昨天DRAM现货价格再往下探,主流的512Mb DDR2颗粒报价来到1.3美元的低价,显示第四季供给仍然超过需求,厂商唯有加紧降低成本因应。


半导体设备暨材料展(Semicon Taiwan 2007)今天正式开始,ASML全球卓越创新中心负责人赵中榛昨天在展前记者会上表示,第四季半导体设备装机状况良好,明年景气仍将延续成长。


设备厂商分析,设备厂商装机时间与制造端的景气落差大约三到六个月,估计今年半导体景气将于第四季达到高峰,明年第一季到第二季间将会落底,符合半导体的季节效应。不过,明年第一季晶圆厂将进入岁修旺季,且今年第四季制造端产能准备充足,明年修正力道恐怕会超乎预期。


晶圆代工龙头台积电与联电第三季营收表现亮眼,法人因此下修代工厂第四季展望,除了反映第三季的营运更旺外,也反映了第四季营运到顶后的修正效应。

奇梦达推出 Micro-DIMM 1 GB 模块

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来源:D-cross