Archive - 八月 21, 2007

来源：巨亨网    2007-8-21

Intel(INTC-US；英特尔)与AMD(AMD-US；超微)8月再掀 CPU价格战，花旗环球证券和高盛证券双双指出，将有利刺激主机板需求进一步成长。

花旗环球证券亚太区首席下游硬体制造产业分析师杨应超表示，Intel预定将在8月和10月底，调降入门级的dual-core CPU价格，降价达10-15%，并在第4季发布45奈米制程的“Penryn”处理器；而高盛证券亚洲科技产业研究部主管金文衡也指出，AMD将在 8月调降CPU价格，势必将激励主机板需求走强。

根据花旗环球证券了解， clone的需求持续畅旺，OEM厂也受惠于HP (HPQ-US；惠普)和Lenovo(0992-HK；联想)的急单挹注，8月的强劲需求只是揭开下半年旺季的序幕，预期出货的单月成长在10、11月前，仍会逐步上升。因此，预估8月出货将向上成长13%，第 3季也可望比上季成长13%。

花旗环球证券表示，在多家MB厂抢攻低价作业平台的驱动下，今年新兴市场的强劲需求比以往来的早，主要来自于大陆、欧洲和南美地区。并进一步预期，在暑假接近尾声之际，欧洲的 clone市场将会在未来两周内，有显著成长；而美国的返校潮需求仍维持强劲。

至于零组件短缺问题，花旗环球证券认为，下半年零组件供需仍是吃紧，但因目前美国经济情况不明，一旦11月需求下滑，多数主机板厂宁愿少赚，也比认列存货来的好，造成主机板厂为了第 4季旺季而大量备料的意愿降低。

因此，花旗环球证券预期，大型PC OEM厂要度过零组件供需吃紧的关卡，应无问题；但 7月出货已严重受影响的精英 (2331-TW下单)等小型clone PC厂，则将会持续受零组件短缺所扰。

尽管零组件短缺问题仍在，但花旗环球证券仍乐观看好主机板产业下半年的获利表现，尤其在上周台股大跌，主机板族群表现出强劲的抗跌性，因此花旗环球证券认为，即使美国消费力骤减，主机板族群每股盈余下跌的风险也有限。

来源：路透网    2007-8-21

路透法兰克福/旧金山电---德国芯片(芯片)制造商英飞凌(Infineon)<IFXGn>周一表示,将斥资不超过3.67亿欧元购买美国存储设备和数码多功能光盘(DVD)芯片制造商巨积(LSI)<LSI>的手机芯片业务。

英飞凌在一份声明中称,这宗交易将于今年年底完成,有助该公司专注通信业务。之前公司剥离了内存芯片部门奇梦达(Qimonda)<QI1Ay><QI>。

英飞凌称,此次收购将从2008年开始为营运获利作出贡献。公司将为此支付3.3亿欧元和不超过3,700万欧元绩效薪酬(performance-based payment)。

巨积一直是三星电子<005930>的重要供货商,此外还有几家中国客户。

英飞凌发言人称:"通过这次并购,英飞凌将成为三星的基带供货商。"

来源：台湾新浪网   2007-8-21

订于8月30日召开法人说明会的群联 (8299)，由于拥有相对低成本的NAND Flash，市场预期第三季每股获利将有机会挑战10元，加上群联对下半年获利展望乐观，今天股价相对强势，持续反弹。群联因传统旺季来临，加上应用市场日渐扩大，包括苹果新款iPod及iPhone等产品需求强劲，而包括三星、东芝及海力士等国际大厂新制程技术转换不顺，产出供给增加相对有限，将使得下半年NAND Flash市场供需缺口持续，价格维持高档。群联7月营收创下19.58亿元历史新高后，法人预估，下半年业绩可望持续创新高至第四季，除了因全球NAND Flash龙头厂南韩三星电子因停电意外停产，激励NAND Flash现货价急遽走扬外，法人看好 Flash的新应用，将使得产品涵盖上中下游的群联成为最大受惠厂商。此外，群联累计前7月每股税前盈余13.03元，由于拥有相对低成本的NAND Flash，因此法人乐观预期第三季单季每股获利可望挑战10元，今天激励股价持续走扬。

来源：台湾新浪网   2007-8-21

由于近期DRAM现货价走跌，PC OEM厂已不再接受DRAM制造厂涨价要求，因此使得8月下旬DRAM合约价持平表现；至于NAND Flash方面，供货商与通路商对产品价格各有坚持，同样使得8月下旬NAND Flash合约价持平表现。近期DRAM现货价缓步走跌，目前已跌破2美元关卡，根据集邦科技调查，今天DDR2 512Mb ETT价格仅约1.78美元，DDR2 512Mb 667MHz品牌颗粒现货价约2.04美元，低于8月上旬合约价2.19美元，也因此PC OEM厂已不愿意接受供货商涨价要求，致使8月下旬DRAM合约价持平表现。而NAND Flash反映南韩三星意外停产事件，8月上旬合约价全面大涨逾19.02%，只是多数记忆卡及随身碟业者为反映成本增加，调涨产品售价，影响终端通路市场买气明显减缓。集邦科技表示，由于时序步入产业传统旺季，市场供需吃紧，因此NAND Flash上游供货商并没有降价意愿；另方面，记忆卡、随身碟业者的NAND Flash颗粒，及下游通路商成品库存水位约1个月，因此在上下游业者各有坚持下，8月下旬NAND Flash合约价持平表现。

来源：CNET   2007-8-21

CNET科技资讯网8月21日国际报道 韩国三星电子一位发言人星期一表示，预计内存芯片部门第三季度的营业利润将比上一季度增长两倍或者三倍。

三星投资关系部门的负责人Chu Woo-sik说：“市场对内存芯片的需求相当强劲。我们同时提高了DRAM和NAND芯片的合同价格。”但他拒绝透露详细的增加数字。

NAND闪存芯片被广泛用于消费电子设备当中，比如数码音乐播放器以及数码相机，而DRAM芯片用于个人电脑。

此前，由于DRAM价格上涨以及闪存芯片，液晶显示器价格趋于稳定，三星和分析师均预计第三季度的收入将大好。

按照收入排名，三星是世界最大的计算机内存芯片生产商，第二季度，由于DRAM价格急剧下滑，三星营业利润为3.5亿美元，比前一季度下降39%，也比去年同期的数字下降67%。

Chu说：“NAND芯片的需求大增，诸如高端手机以及便携式多媒体播放器对这种芯片的需求非常大。由于返校季节即将来临，很多学生升级他们的电脑设备，DRAM芯片的销量也很好。”

来源：技术在线   2007/08/20  

　　韩国海力士半导体(Hynix Semiconductor)开发成功了用于小型高速移动终端的1Gbit 移动DRAM。预定2008年第1季度开始量产，主要应用于手机等产品。近来, 对能够满足便携电子产品小型化、大容量化、高速化的移动DRAM产品的需求不断扩大。此次的产品不仅具有较大的数据容量——1Gbit，还在现有的相同容量产品中实现了最小尺寸，数据处理速度也为高速。

　　该产品使用66nm工艺技术，缩小了芯片尺寸，工作频率为200MHz，通过32个输入输出引脚最大可实现1.6GB/秒的数据处理速度。还实现了耗电的最小化。另外，该产品还配备有该公司研发的“One Chip Solution”功能，能够根据应用对象的产品指标来改变数据处理速度及方式。

来源：半导体国际   2007-8-21

全球NAND型快闪记忆体(Flash)大厂美光(Micron)近来针对全球NAND Flash市场未来发展发出警语表示，目前NAND Flash厂制程技术发展相当快速且先进，但微影技术无法跟上NAND Flash厂发展，尤其令人感到惊讶的是，微影设备商技术竟远落后NAND Flash大厂数年，几家NAND Flash厂商为于未来顺利发展，还必须领先微影设备商，自行开发一些相关技术。

近来全球各大DRAM厂为能有效运用旗下晶圆厂，加上NAND Flash市场成长率远高于标准型DRAM，促使多家DRAM大厂纷投入NAND Flash市场，就连台系DRAM厂力晶及茂德，也相继宣布将投入NAND Flash市场研发及制造行列，其中，力晶更是大张旗鼓地投入兴建12寸厂，希望能赶上新一波记忆体需求潮。

不过，正当DRAM大厂纷投入NAND Flash市场，美光却提出警语，美光NAND Flash发展事业群副总裁Frankie Roohparvar表示，目前NAND Flash发展所遇到最大瓶颈在于微影技术，事实上，微影技术已远落后NAND Flash技术至少好几年。目前微影技术设备供应商完

全跟不上NAND Flash厂商技术，NAND Flash厂已领导半导体业界制程技术。

美光表示，现在其于50奈米制程技术，甚至在扫瞄机发展前便已完全准备好，美光必须先将微影技术给准备好，才有助于美光在50奈米制程技术顺利发展。目前193奈米浸润式扫瞄机到了45奈米制程可能已无法使用，至于下世代浸润式扫瞄机，预计将可使用到32奈米制程。

多家DRAM厂指出，做NAND Flash困难度确实较标准型DRAM要难上许多。NAND Flash发展不仅在微影技术上将出现瓶颈，过去采用NAND Flash架构到45奈米制程以下时，便会遭遇到一些物理极限限制，因而发明SONOS架构技术，使DATA Flash到45奈米制程以下时，依然可继续走下去。

目前全球各大DATA Flash厂无不想尽办法，希望能不断改良SONOS架构，使其早日顺利量产商业化。不过，SONOS仍有瓶颈待克服，最快要到2008年才会见到类似SONOS架构的TANOS产品量产。TANOS结构系由钽金属、氧化铝(高K材料)、氮化物、氧化物和矽晶层所组成，TANOS结构采用，也象征产业界首次将金属层和高K材料结合应用于NAND设备中。

由于各大半导体厂已体认到，若不采用SONOS架构，应无法再将DATA Flash带进下一世代，因此，包括飞思卡尔(Freescale)、赛普拉斯(Cypress)等大厂，均开始积极投入研发。

来源：华强电子世界网    2007-8-21

　　根据AMD最近在日本展示的路线图，RD8xx系列芯片组将在明年过渡到45nm工艺。

　　RD790采用65nm，而未来的RS780M将是AMD明年的主打移动平台，而之后将由45nmFusion在2009年取代。

　　AMD现在将八核心、DDR3支持和socketAM3列为2009年发布，不过我们知道现在四核心都很难获得足够的软件支持，会有人需要8核心吗？

　　希望AMD可以在2009年支持DDR3，但在其路线图上并未提及这一计划。从路线图上我们还可以看到明年会出现的6MBL3cache和支持UVD、DX10、AMDHyperFlash，并支持2MBL2cache的新移动平台。

来源：Digitimes   2007-8-21

每年7~9月是NB台代工厂订单敲定的时刻，攸关来年业绩的订单争夺战早在几个月前早已台面下厮杀激烈，近日2008年NB品牌大厂组装订单也逐渐明朗，前4大NB代工业者积极抢单下各产品线互有领先，其中广达因在惠普、宏碁合作紧密，不仅拿下惠普主流机种15.4英寸最大代工订单，宏碁也确定在商用12.1英寸和消费型Aspire机种等4款新产品线交由广达负责；不过，NB业者认为，纵使大部分订单在7~9月决定，但NB产业竞争节奏快，变动的插曲也多。

目前NB品牌厂对下半年景气增温的乐观态度不变，包括仁宝、广达都有调升年度出货量的动作，而广达完全不受过去市场质疑部份戴尔产品移转订单至仁宝、纬创的影响，2007年的出货目标从第2季度初的2,500万台调到2,800万台，最后更自信将挑战3,000万台，而仁宝原预估2,000万台也调升至2,200万台，纬创则从1,105万台至1,200万台。

广达第2季度受惠苹果自华硕移转大量MacBook等产品订单，成为苹果主流13.3英寸机种的独占组装厂，加上宏碁给最大量的12.1英寸商用新机种，让第2季度营收与出货量向上攀高，预期第3季度NB旺季效应提前下广达年度NB出货冲向最高峰；

不过，广达在2008年戴尔订单仍旧留有遗憾，主流机种传出已遭仁宝、纬创资通分蚀，但已知2008年惠普主流15.4英寸机种、预估约400万台数量的大部份订单由广达包办，加上需求日增的东芝(Toshiba)及宏碁订单再加量，广达2008年显现填补戴尔部份订单缺额功力，将持续稳站NB代工龙头宝位。

另一NB代工大厂仁宝下半年因戴尔与东芝订单加持，出货量持续提升，且也敲定惠普14.1英寸商用平台订单。不过，仁宝2007年6月从英业达手上分食的东芝订单，2008年在英业达祭出的代工价格优势而回流，但总体来说，仁宝2008年各品牌订单比重差异不大，仁宝总经理陈瑞聪也十分看好2008年出货增长率，预期将可增长2~3成。

而纬创2007年代工主力包含戴尔额外开出的13.3英寸XPS消费机种、联想Lenovo 3000系列V100型消费机种、惠普、宏碁大部份的Aspire消费机种，预期2008年纬创将囊括宏碁14.1、15.4、以及17英寸Aspire机种最大供货商， NB出货增长上看5成。

值得注意的是，华硕2007年因品牌、代工冲突下痛失苹果计算机MacBook订单，目前负责PC代工的旗下和硕在NB代工仅剩余戴尔、东芝的零星订单，而先前为惠普代工的区域性机种2007年初已终止。不过，华硕Eee PC即将在9月上市供货，华硕品牌与代工也预订2008年正式切割，以华硕品牌年约270~330万台出货数量及2008年所预估300~500万台Eee PC订单量，未来和硕稳固脚步，也很有机会窜升代工大厂之林，但同时也得面临抢单作业的挑战。

来源：CNETNews.com.cn         2007-08-21

IBM与日本TDK达成联合开发所谓STT-RAM。在STT-RAM中，加到磁铁上的电流会改变磁场的方向，磁场方向的改变会引进阻抗的变化，不同的阻抗代表“1”或“0”。

根据目前的计划，IBM和TDK将在未来4年中开发采用65纳米工艺的原型STT-RAM产品。

硅谷一家新创公司Grandis也在试图推出商业性STT-RAM产品。Grandis正在为潜在客户生产样品芯片，计划在明年末正式在市场上推出相应产品。

此前，IBM一直在开发一种名为MRAM的更传统类型的磁性内存。但是，它在缩小这类芯片的晶体管方面遇到了困难。

IBM负责非挥发性内存研究高级经理盖拉尔说，在缩小MRAM芯片时，需要提高磁场强度，这几乎是不切实际的。要采用比65纳米工艺更先进的工艺，我们必须找到一种写数据的新机制。

IBM生产出了MRAM原型产品，但使用了较落后的工艺。IBM还没有推出商品化的MRAM产品。尽管已经推出了商品化MRAM，但飞思卡尔最近对这种技术的“寿命”表示了怀疑。

在上周的“闪存峰会”上，飞思卡尔的大卫表示，MRAM可能不适用于比65纳米更先进的工艺。

盖拉尔表示，STT-RAM和相变内存可能是未来非挥发性内存的二种可能的技术。STT-RAM的速度较高，但相变内存的存储密谋更高。他说，STT-RAM的的寿命可能会较长。