Archive - 八月 20, 2007

闪存价格维持高档到第3季模块厂受益

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来源:巨亨网     2007 / 08 / 20


 三星停电 Flash大商机报到


韩国三星电子闪存(NAND Flash)生产线日前因停电而暂时停产,受到影响的生产线包括五条NAND型闪存生产线与一条大规模集成电路芯片(LSI)生产线,预估该事件至少将使当前Flash供应短缺情况延续至9月上旬,对Flash是个大商机。


日前全球第一大模块厂金士顿创办人孙戴维回台湾时表示,「DRAM的商业模式越来越无聊,就是供给与需求的平衡而已,只要厂商在制程转换的过程中,有一些闪失,就可能让DRAM的报价回升,所以『bed News is good News(因祸得福),第3季是厂商制程转换的旺季,错误的机率会提高,因此理论上DRAM报价也会回升。」至于讲到Flash内存的走势,孙戴维说,闪存的新应用越来越多,所以需求就会提高,例如iPhone火红,闪存的需求就会提高,未来还会有新的需求会出来,例如MP4、固态硬盘等,所以只要价格降低,需求就会提高,因此长线来说,闪存应该会旺到2008年。


如今看来,孙戴维当时预言成真,三星的生产现出现问题,确实让Flash的报价上扬,也连带DRAM价格的走势回升,新产品的运用,更是这波闪存商机大成长的最重要因素。


 


三星出差错 业者收割旺季商机


在全球NAND产出中,向为三星、东芝、海力士、IM Flash四强垄断市场。根据市调机构数据显示,在今年第2季全球高达28.67亿美元的闪存的销售中,三星拿下约43.9%的市占率,其次为东芝的 28.4%、海力士的16.8%,以及英特尔加上美光的IM Flash4.8%。


三星老大哥出错,闪存晶圆厂停电,影响所及除让NAND闪存供应量短缺外,也将牵动全球供应链生态。其中,因NAND后续报价强势看涨,包括东芝、海力士,以及IM Flash三大供货商坐收渔翁之利,而台湾为模块产品的大国,包括威刚(3260)、创见(2451)、群联(8299)、劲永(6145)、至上 (8112)等台系内存模块厂,在NAND的产出上,可因为报价上扬,首先获利。其中创见与威刚、群联与劲永都会受惠,但受惠程度不一,至于谁是最大获益者,可能得看公司库存多寡,拥有丰厚库存才是最后赢家。


Flash五雄中,受益的赢家应该是威刚,威刚董事长陈立白解释,威刚在6月底,已经增加NAND Flash库存的布局,因此乐观预估今年第3季,业绩将比第2季成长4成以上。由于上半年DRAM报价暴跌,威刚牺牲很多的利润,帮DRAM国际大厂走货,算是给了很大的人情,下半年NAND Flash大缺货,国际大厂将回报人情,威刚缺货的影响将是最小的,若以目前Flash报价短时间上涨两成的状态下,威刚第3季的成长性,更可能超过 45%。


 


手机使用Flash 超过MP3


不过缺货的现象,导因于新产品运用,导致NAND Flash终端需求快速扩散。根据拓?产业研究所研究,过去由数字相机(DSC)独霸应用闪存型态,近期已转变成MP3播放器、手机、DSC金三角撑起一片天局面,3者合计占NAND Flash应用达80%,随身碟应用则紧追在后。值得注意的是,自2007年第3季起,由于插卡式手机快速普及,使得手机占NAND Flash应用比重已正式超过MP3播放器。


2007 年手机的使用比例逐渐增加,在NAND Flash不断扩大产品应用之际,NAND Flash的市场需求将与各种消费性电子产品息息相关,其中以苹果第4季将推出新一代iPod nano,再加上iPhone在欧洲与亚洲陆续有上市计划,快闪记忆的需求还是会不断拉高。


今年市场上一线品牌,包括SanDiskSamsungSony等皆推出外型亮眼且功能创新的MP3PMP、数字相框等产品。整体来看,今年下半年MP3 PMP、数字相框等市场,将因这些一线业者的新产品出现,让Flash的需求不弱,集邦科技推估,AppleiPod nano4季推出,待三星产能顺利开出后,Flash价格仍可维持高档,8Flash行情攀高,因此估计创见(2451)、威刚(3260)及劲永 (6145)等模块厂业绩红不让。其中威刚第3季营收季增率43%,毛利率上扬至7%,EPS3.5元﹔全年营收成长20%,EPS可达10元。


至于创见,台湾厂有7SMT线,月产能250万片,上海厂现为8SMT线,最大月产能400万片﹔创见预计第4季于上海厂再扩增4 SMT线,产能将再增加200万片,第二期扩厂将在明年4月完工,第2季增加4条生产线,届时大陆月产能提升至800万片。今年创见上、下半年营运比重约为46﹔伴随下半年DRAMFlash行情同步看俏之际,有利海外销售与品牌策略奏效,激励全球市占率更上层楼。创见第3季营收季增率36%,毛利率 12%,全年营收成长74%,EPS可达12元。


 


创新产品 商机持续


模块厂除了掌握原料报价上扬而获利外,另一个增加公司竞争力的,就是新产品的设计,威刚与神通集团创办人侯清雄创办的锣科技(SiPix),已经开发出类似电子纸的大拇哥产品,也进入电子纸产业,凭借着电子纸低耗电、可挠曲的特性,在行动装置上的应用也愈来愈多。其中一项就是用在记忆卡上,由于现在手机、数字相机、NBMP3,几乎所有电子产品都有一张记忆卡,不过记忆卡外观都一样,加装了显示器之后,可以直接看出内部的储存空间和相关信息,今年威刚与锣科技合作的产品,还获得CES的金质奖,未来这类新产品的开发,可运用在智能卡片,经由显示画面辅助方便更改密码,可以增加交易安全性,还有电子卷标商机,由于传统标签需要人工更换,而且容易出错,使用电子卷标可以透过无线网络的环境实时更新信息,发展上相当快速,未来相关Flash产品更值得期待。


 


劲永攻日本市场 潜力大


另一家内存模块厂劲永国际,更与日本东京电气化学工业(TDK)共同签订合资意向书,双方将在台湾合资成立新公司,从事储存媒体产品研发及销售业务,特别锁定工业计算器及商用计算器的NAND固态硬盘模块应用领域。劲永于2005年获得日本上市公司Asset Managers Group投资后,就顺势打入日本内存模块市场。由于日本内存市场一直是个封闭型市场,劲永则透过大股东之力,成功打入日本数大电子通路。以TDK在技朮及专利上的雄厚实力,加上劲永国际在工控领域完整的研发、销售及通路基础,双方将可扩大合作范围,并跨入商业计算器应用领域,尤其是在被视为未来明星产品的NAND固态硬盘(SSD)产品的应用与发展,劲永国际总经理吕美月掌握各种差异化布局,还在车用市场上与大陆知名厂商合作,抢进2008年的未来明星产品,将掌握Flash的大商机,持续发烧的机会。


 


 

南韩Samsung Electronics预估Q3芯片业务营业利益成长2-3倍

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巨亨网      2007 / 08 / 20


周一南韩Samsung Electronics Co.(005930-KR)投资人关系部门主管Woosik Chu表示,相较于第 2季,公司预估第 3季在芯片业务的营业利益将成长 2-3倍。  


Chu 表示:「市场对内存芯片的需求非常强劲,我们将提高DRAMNAND芯片的契约价格。」


不过,他婉拒说明具体价格将增加多少。


Chu 表示,液晶 (LCD)电视的毛利率预估将从第 2季的9%升至14-16%

GeIL黑龙内存超强散热曝光

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来源:小熊在线     2007年08月20


台湾媒体消息透露,著名高端内存厂商GeIL即将推出一款全新的内存散热系统,同时采用铝合金散热片与热导管设计,将大大提高超频玩家的系统性能。


这是GeIL继碳纤维散热系统后推出的第二款高端内存散热系统,也是目前业内首个同时应用散热片与散热导管的内存散热产品,这一设计能够将热管散热设计的性能损失降到最小。据称,这款内存散热系统专为GeIL黑龙系列内存设计,将在今年第四季度进入中国大陆市场。目前预计价格不详。


除此之外,根据此前的DRAM市场统计,GeILDIY渠道市场全球出货量已经达到第三名,预计将在今年下半年推出更多高端型号内存。


              

桌上型计算机 旺到下季

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来源:联合新闻网     2007-8-20


英特尔为掌握计算机返校商机购买潮,89月在封测厂商日月光、品加码下单,挤爆日月光9月产能利用率,再加上9月初处理器降价,带动宏碁等品牌计算机大厂看好下半年的返校商机,桌上型计算机(DT)第三季成长一成以上,尤其是新兴市场需求强劲,买气可望持续到第四季。


据了解,英特尔看好下半年PC景气,并预测桌上型计算机用芯片组小幅缺货,已向国内载板业者南电加码下单,同时也向国内封测业者日月光、品加码下单,日月光的封测投产量成长率高达两成;台积电虽为英特尔芯片组最主要的委外代工伙伴之一,但由于英特尔外包比重不高,受惠程度有限。


由于PC买气高于市场预期,PC绘图芯片大厂恩威迪亚(Nvidia )在晶圆代工业者台积电、封测业者日月光、品部分扩大下单,整个PC供应链似乎动了起来。但由于部分NB零组件缺货,但业者预期,随着缺货状况910月逐步改善,部分买气可望递延至第四季。


英特尔9月调降NB处理器售价,降幅在10%30%间,Santa Rosa笔记本计算机平台为主要受惠者,并带动802.11n无线通讯模块和芯片需求;且由于该平台整合Turbo Memory内存(在主机板上加装NAND Flash,缩短操作系统启动时间等),内存相关业者群联、创见等也可望受惠。


宏碁、戴尔、惠普等品牌PC大厂在今年上半年陆续推出新机种,以及新通路策略等影响,今年第二季DT市场需求强劲,尤其是新兴市场对DT需求强劲,使得第二季出现淡季不淡的荣景,台湾DT总体出货量达1,059万台,预期第三季也会在返校商机下,展现传统旺季的成长动力。


 


 

DRAM现货价走势新闻分析

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来源:联合新闻网   2007-8-20


DRAM市场近期出现合约、现货市场不同调的奇特现象,合约价上扬、现货市场跌价,主要是受到南韩三星生产线日前停工影响,国际PC大厂担心内存供货不稳,对合约价采取宽松态度。不过,全球大厂70奈米良率渐趋稳定,大举向现货市场销货,让现货价出现下探今年低点危机。


根据OEM客户端讯息,第四季搭载Vista的新款PC或笔电已进入零组件铺货阶段,DRAM内存模块搭载量从1GB提升到2GB ,是近期合约市场需求增强的主因。另外,PWM等模拟IC需求也大增,使得第三季半导体市场买气趋于热络。


然而,70奈米制程调整两季之后,8月开始国内外DRAM厂的良率都大增,但是碍于OEM合约市场认证时程关系,颗粒多半销往现货市场,造成现货价格本周以来下跌逾10%,但8月合约价仍上扬的奇特现象。


值得注意的是,现货价率先于合约价下跌,若报价不及早恢复上扬的轨道,加上第四季末碰上传统淡季,出现死亡交叉的机会就将大增,恐会为DRAM厂后续的营收与获利表现蒙上阴影。

B/B值走低 半导体景气亮警讯

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来源:联合新闻网    2007-8-20


半导体景气走势出现警讯。北美半导体设备与材料协会(SEMI)昨(17)日公布7月北美半导体设备订单/出货值(BB值)为0.84,创20055月以来新低。


BB值在1以上代表景气扩张,在1以下则表示景气反转向下。今年6月,BB值为0.917月大降至0.84。分析师表示,BB值通常领先半导体景气六个月,尤其是半导体制造业。7BB创近年两年多来低点,透露半导体业者的扩产计划趋缓,这项讯息为台股的半导体类股增添变量。


外资圈也对半导体业者营运走势,抱持保守看法。瑞信证券便认为,半体导厂的存货水位虽低,却还不到复苏的时候。其中,被视为景气走势指标厂的晶圆代工龙头台积电,因晶圆价格持续走跌、客户和存货水位持续动荡,下半年的获利表现,预期成长有限。


SEMI表示,7BB值下滑,主要因半导体新设备订单减少;且新设备下单力道由先前强劲转弱。


全球最大半导体设备商应用材料(Ap-plied Materials)认为,今年半导体新设备主要由DRAM厂扩产承揽,但今年DRAM市况不佳,价格急跌,业者在新设备支出上趋缓,应材上季新增订单比前一季减少14%,已反应这样的状况。


应材并透露,虽然内存业者迄今仍多维持资本支出规划,并未下修扩产计划,但因DRAM景气仍下滑,整体设备买气并未转强,预计本季新增订单将持平或再下滑5%


市场也普遍看淡今年半导体景气走势,各大知名半导体研究单位都纷纷下修今年半导体产业年成长率。


 


 

DRAM价格上扬 南科茂德受惠较大

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来源:联合新闻网    2007-8-20


第三季为个人计算机出货旺季,DRAM合约市场需求加温,继8月上旬合约价上涨3%5%后,即将公布的下旬合约价预期持平或呈现小涨,惟市场预期DRAM价格将在9月达到高点,加上传出OEM厂即将杀价的消息,现货市场交易开始转趋清淡,国内DRAM厂中以南科(2408)、茂德(5387)合约比重较高,近期合约市场价格表现优于现货,南科、茂德受惠较大。


茂德表示,在70奈米的良率及量产效益逐渐增加下,第三季位成长率可达30%。南科受惠华亚科(3474)产能持续开出,第三季位成长率约10%,本月及9月预定产出,目前也全数销售一空。


法人表示,第三季DRAM价格比第二季上扬10%,配合DRAM厂商70奈米制程的推展进度推估,合约比重高的南科、茂德第三季营收成长会相对亮眼,预估分别25%40%以上的营收成长幅度。


集邦科技表示,近期大多数PC OEM厂商的DRAM搭载率已经达到平均1.21.4GB不等的内存容量,显示合约市场需求确实逐季往上。


不过,第二季库存释出及售后市场自行升级比例降低,导致现货与合约市场需求两样情。


集邦科技估计,桌上型计算机加上笔记型计算机第三季出货数字可望达到6,900万台,较上季成长15%,有助合约价市场维持相对高档。市场即预期本月下旬合约价格持将持平或呈现小涨,有利于力晶(5346)等DRAM厂的营收与获利表现。


茂德目前大约50%的产品为销往合约市场,25%销往现货市场,因转入70奈米制程速度最快,下半年营运成长动能十足。茂德估第三季位成长率可达30%,其中中科三厂9月后6万片产能将全数以70奈米生产。法人估茂德第三季营运幅度高达四成以上。


茂德表示,11月起三厂所有产出将全数改为70奈米,四厂8月起开始搬机,9月将有3,000片的投片,11月时投片可达1.5万片,到明年第一季时,投产量可达2.5万片。


南科合约比重更大于茂德,到9月为止,所有既定产出的产能都已预定销售完毕。


南科认为,Nand flash的需求将压抑到DRAM的供给量,苹果iPhone带动市场Nand flash的需求,大厂将DRAM厂将产能转到Nand flash的效应,可望进一步缩小市场上DRAM的供应量。

三星部分产能转向NAND闪存 公司市场份额猛增

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来源:国际电子商情          2007年08月20 


市场研究机构日前表示,2007年第2季度三星电子(Samsung)NAND闪存销售额达到14亿美元,比第1季度的12亿美元增长18.9%。三星在2007年上半年将部分产能从DRAM转向NAND闪存,该公司的NAND市场份额猛增至45.9%,比1季度的44.1%高几乎两个百分点。


市场研究机构内存/存储系统分析师表示,“三星第2季度表现强劲主要是按容量计算增长11%,出货量增加归功于扩大苹果iPhoneiPod等消费电子市场。同时,东芝(Toshiba)由于处于56纳米工艺迁移初期,按容量计算仅增长2%。不过,iSuppli预计东芝56纳米生产工艺稳定后,出货量增长将超过30%。”


三星销售收入增长18.9%,在NAND市场表现强于两大竞争对手东芝和Hynix Semiconductor(海力士半导体)。东芝销售表现疲软,第2季度的市场份额比三星低18.4%,第1季度比三星低13.4%。根据iSuppli透露,Hynix由于60纳米工艺过程迁移遇阻,NAND闪存按容量计算出货量降低4%


 


 

全球芯片厂第二季产能利用率升至89.7%

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来源:国际电子商情              2007年08月20 


第二季度全球半导体工厂产能利用率连续第二个季度上升,因为人们追求更轻、更薄和更小的电子产品,从而刺激了对于采用最先进工艺的存储芯片及微处理器的需求。


国际半导体产能统计协会(SICAS)日前表示,第二季度产能利用率为89.7%,高于第一季度时的87.5%。该协会由41家大型芯片厂商组成,包括英特尔(Intel)、三星电子(Samsung)和德州仪器(Texas Instrument)


SICAS表示,市场对于采用最先进工艺的芯片需求特别强劲,包括DRAM芯片和微处理器。但由于内存厂商不断扩大产能,超过了需求的增长,因此产能利用率一年来一直低于90%。产能利用率低于90%可能导致芯片厂商没有兴趣再兴建新工厂,这对于应用材料和Tokyo Electron Ltd.等芯片生产设备供应商来说是坏消息。美国应用材料表示它预计8-10月营业额将比截止到7月的三个月减少5-10%


国际半导体设备暨材料协会(SEMI)日前表示,第二季度全球芯片订单额比去年同期下降18%102.2亿美元,比第一季度减少4%


SICAS表示,在4-6月间,所有集成电路的产能提高至每周199万片初制晶圆,上季则为每周189万片。反映芯片需求的实际初制晶圆达到每周178万片,今年第一季时则为每周165万片。


 


 


 


 

美光对NAND Flash发警语! 微影技术跟不上 发展恐有大瓶颈

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来源:DIGITIMES   2007/08/20


 全球NAND型快闪存储器(Flash)大厂美光(Micron)近来针对全球NAND Flash市场未来发展发出警语表示,目前NAND Flash厂制程技术发展相当快速且先进,但微影技术无法跟上NAND Flash厂发展,尤其令人感到惊讶的是,微影设备商技术竟远落后NAND Flash大厂数年,几家NAND Flash厂商为于未来顺利发展,还必须领先微影设备商,自行开发一些相关技术。


近来全球各大DRAM厂为能有效运用旗下晶圆厂,加上NAND Flash市场成长率远高于标准型DRAM,促使多家DRAM大厂纷投入NAND Flash市场,就连台系DRAM厂力晶及茂德,也相继宣布将投入NAND Flash市场研发及制造行列,其中,力晶更是大张旗鼓地投入兴建12寸厂,希望能赶上新一波存储器需求潮。


不过,正当DRAM大厂纷投入NAND Flash市场,美光却提出警语,美光NAND Flash发展事业群副总裁Frankie Roohparvar表示,目前NAND Flash发展所遇到最大瓶颈在于微影技术,事实上,微影技术已远落后NAND Flash技术至少好几年。目前微影技术设备供应商完全跟不上NAND Flash厂商技术,NAND Flash厂已领导半导体业界制程技术。


美光表示,现在其于50奈米制程技术,甚至在扫瞄机发展前便已完全准备好,美光必须先将微影技术给准备好,才有助于美光在50奈米制程技术顺利发展。目前193奈米浸润式扫瞄机到了45奈米制程可能已无法使用,至于下世代浸润式扫瞄机,预计将可使用到32奈米制程。


多家DRAM厂指出,做NAND Flash困难度确实较标准型DRAM要难上许多。NAND Flash发展不仅在微影技术上将出现瓶颈,过去采用NAND Flash架构到45奈米制程以下时,便会遭遇到一些物理极限限制,因而发明SONOS架构技术,使DATA Flash45奈米制程以下时,依然可继续走下去。


目前全球各大DATA Flash厂无不想尽办法,希望能不断改良SONOS架构,使其早日顺利量产商业化。不过,SONOS仍有瓶颈待克服,最快要到2008年才会见到类似SONOS架构的TANOS产品量产。TANOS结构系由钽金属、氧化铝(K材料)、氮化物、氧化物和矽晶层所组成,TANOS结构采用,也象征产业界首次将金属层和高K材料结合应用于NAND设备中。


由于各大半导体厂已体认到,若不采用SONOS架构,应无法再将DATA Flash带进下一世代,因此,包括飞思卡尔(Freescale)、赛普拉斯(Cypress)等大厂,均开始积极投入研发。