Archive - 八月 15, 2007

联合晚报       2007.08.15  

8月进入内存需求旺季，NAND和DRAM价格都有机会走高。巴黎证券认为，从供给和需求的角度观察，主要一线大厂已开始削减资本支出，8吋旧厂汰换加速，下半年DRAM产能增长率将下滑到4.6%以下，明年产业前景可望拨云见日！

巴黎证券科技产业分析师陈淑玲指出，今年第1、2季，全球DRAM供给量增加了10.5%和15.1%，但进入下半年以后，增长速度放缓，第3、4季各仅约4%和4.6%的幅度。观察明年的情况，顶多也只有中单位数的比率。

至于NAND闪存方面，一线大厂虽然正在布建新产能，但二线厂持续减产，以及8吋旧厂汰换加快，一拉一扯，明年NAND产能增长也相对有限。

各内存大厂历经连续6年大量提高资本支出后，现在都在削减明年资本支出，其中，美光和奇梦达最积极，二线厂也有30%的削减幅度，使得明年整体资本支出将首度下滑，幅度约10%左右。

过去内存产业有一项「Hwang's Law」定律，是三星半导体事业总裁黄昌圭提出的，意指每一年内存的芯片密度，都会提升一倍。现在由于技术瓶颈的限制，这项定律已经被打破了。陈淑玲表示，业者都透过更大尺寸的晶圆，来暂时解决技术瓶颈，现在明年晶圆产能增长率将趋缓，换言之，最后一道可能造成供过于求的问题也没了。

巨亨网     2007 / 08 / 15

昨(14)日美股再度重挫，晶圆双雄 ADR跌幅都高达4%以上，冲击双雄今(15)日股价表现不佳，台积电(2330-TW下单)、联电(2303-TW)皆回测波段低点。双雄股价走低，台积电向60元寻求支撑，联电徘徊在历史低点 17-18元区间。法人认为，晶圆双雄基本面转佳，股价何时能反弹，将会是台股止稳观察指标。

晶圆双雄第 3季接单热络，据设备业者表示，超微新款北桥芯片 RD790、新版绘图芯片R670本月底正式投片，超微订单塞入台积电，部分小单被迫转移至联电，8月后晶圆双雄已没有 90奈米以下制程及12寸产能，产能塞爆。

虽然晶圆双雄基本面超乎市场预期的好，不过股价走势却不领情。在外资卖压下，台积电股价自 7月旬自高档73元回档，今日盘中再见到波段低点60.8元，一个月期间，股价跌幅已达16.8%，远大于此波大盘跌幅11%。法人指出，台积电领先大盘下跌，目前已经回测至60元重要关卡，能否在基本面支撑下率先止稳，将会是大盘领先指标。

台积电昨日董事会也核准资本预算5980万美元，建立12寸晶圆级封装技术与产能的规划，正式跨足封测市场。不过台积电也强调，未来仍将与下游封测业合作伙伴密切合作，建立完整的半导体供应链，创造客户最大的利益，并非刻意与日月光、硅品大厂争食封测市场。

巨亨网      2007 .08 .15

集邦科技分析师指出，DRAM价格预期将在 9月达到下半年高点，但在产能移转至NAND FLASH效应下，第 4季价格向下修正幅度应该比预期缩小。

根据集邦科技调查数据显示，近期大多数PC OEM厂商的DRAM搭载率已经达到平均1.2到1.4GB不等的内存容量，显示合约市场需求确实逐季往上，而第 2季库存释出及售后市场自行升级比例降低，导致现货与合约市场需求两样情。

上周现货报价受到 Samsung停电事件影响而短暂走高，但后续追价力道不强，使得部份库存水位较高的通路商反手杀出手中的库存。根据集邦报价，DDR2 eTT报价在上周五(10日)再度跌破 2美元关卡，来到1.93美元。

时序进入传统PC销售旺季，但现货市场终端需求始终没有明显放大，尤其 7月份为大陆地区往年的销售旺季，需求也显得十分冷清。尽管现货市场需求已较上个月回温，但仍不足以刺激现货市场价格。

至于合约市场部分，集邦指出， 8月上旬合约价格仍上涨 3-5%不等的幅度。PC市场的销售旺季来临，OEM厂商积极拉货，带动合约市场价格上涨。

集邦科技估计桌上型计算机加上笔记型计算机第 3季出货数字可望达到6900万台，较上季成长 15%的幅度。集邦分析师表示，近期大多数PC OEM厂商的DRAM搭载率已经达到1.2到1.4GB不等的内存容量，显示合约市场需求确实逐季往上。

而现货与合约市场需求两样情的状况，集邦进一步指出，部分DRAM厂商与模块厂商在第 2季价格底部时囤积了许多库存，数量不易掌握，使得现货市场不时传出有低价库存释出，破坏了目前的市场价格。此外、PCOEM厂商在 DRAM搭载量已经提高到相当高的比重，使得消费者到售后市场自行升级比例降低。

而部份大陆通路商指出，大陆地区民生用品的物价涨幅过大，影响到消费者需求，也是 7月份旺季不旺的主要原因。

展望未来几个月，集邦分析师表示，厂商在下半年绩极转进70nm，DRAM价格将在 9月达到下半年高点，但第 4季价格向下修正幅度在产能移转至NAND FLASH效应下应该比预期缩小。

来源：联合理财网   2007.08.15

大陆昨（14）日公布第一批适用集成电路（IC）鼓励企业名单，共94家IC制造、封测厂商，将适用租税、通关等优惠政策。日月光、威宇（已被日月光并购）、硅品、合晶等四家台资半导体业者，被列入首波奖励名单。

大陆「十一五」规画期间将投入300亿美元，发展半导体产业。昨天大陆发改委会、信息产业部、海关税署及国家税务总局连手发布，据「国家鼓励的集成电路企业认定管理办法（试行）」，核定第一批政策鼓励的IC企业。

根据该办法及其相关措施，适用优惠政策的半导体厂商主要是投资超过人民币80亿元、采0.25微米以下制程的半导体企业，经大陆官方核准后，可享受进口原材料、设备、仪器等相关退税，及设备加速折旧摊提等优惠。

发改委等公布的文件显示，第一波适用优惠措施的企业有94家，其中有与台积电有渊源的宁波中纬等晶圆代工厂，及具有台资背景的日月光、威宇、硅品、合晶等四家。

上述四家台商列入首波优惠名单，有助业者壮大当地投资规模，并藉由租税减免提升获利能力。合晶刚与锦州阳光新能源集团合组So-largiga 公司，朝最大太阳能级单芯片供货商迈进，且规划赴港挂牌在即，受惠最多。

目前日月光在对岸的公司有：日月光电子元器件（上海）有限公司、日月光高新科技（上海）有限公司、日月光半导体（昆山）有限公司、日月光半导体（上海）有限公司及去年底收购成功的威宇，此次获得补助，有助日月光集团扩大大陆布局。

硅品目前在苏州设有晶体管厂、模块厂，已接近损益平衡，日前又新增申请3,000万美元赴大陆投资额度，设置低阶封测产线，将生产快闪记忆卡、DRAM模块、微型摄像模块等电子零组件。

来源：中时理财     2007.08.15

  八月DRAM、FLASH现货价因进入旺季价格持续上扬，市场推估DRAM厂商单月营收成长幅度可望续扬一○％至二○％，第三季营运季增二七％至四三％；其中茂德（5387）、华亚科（3474）弹跳幅度可望领先，各达四三％、三一％之多。

  永丰金证券指出，以当前市况来看，DRAM报价可望维持二个月的涨势，第三季在DRAM厂商积极转进70nm，以及DRAM价格回升带动下，营运可望转亏为盈，惟转换初期Bit Growth将受影响，因此第三季除茂德外，各家厂商Bit Growth皆仅有一○％至一五％。

  在第三季DRAM价格比第二季上升一○％前提，配合DRAM厂商70奈米制程的推展进度推估，第三季营收季增率约二七％至四三％；其中华亚科营收动力虽略少于茂德，惟单季毛利率一六．八％，仍为族群最高水平。

  OEM大厂的南亚科成长幅度约二七％，毛利率一三．六％；茂德为DRAM厂中成长力道最佳者，第三季毛利率约一二．九％；力晶第三季营收季增二八％、毛利率八．九％。

  力晶下半年集中火力在70奈米制程的转换上，目前良率已超过八○％，预计第三季时70奈米制程可达总产出的三○％水平，1Gb的产品也会大量生产。

来源：中时电子报    2007.08.15

   由于OEM大厂对DRAM需求的回温，台系内存厂七月营收均显著回升，惟七月份五一二Mb的DDR2均价为二．一美元，对照市场所传出业界单颗DDR2平均总成本二．二至二．六美元，外资圈传出，南亚、茂德、力晶与华邦等内存大厂七月单月恐怕还是难逃亏损窘境，最快要到八月份以后才有机会打平。

   根据集邦科技的报价，DDR2五一二Mb七月份的合约均价为二．一五美元，现货市场的ETT均价为二．一二美元，而单月最高的合约价与ETT价位也仅二．二五美元与二．三美元，显见内存市场虽自七月起触底反弹，报价上也站稳二美元大关，但实际平均成交价位，依旧不理想。

   依业界统计，现阶段各家台系内存厂的成本分析，单一DDR2五一二Mb芯片总成本，南亚为二．六美元、茂德为二．四美元，至于力晶为二．二美元，显见在市场报价与业者成本间仍有一定落差的前提下，外资圈预期，七月还是亏。

   另外内存厂也私下坦承，以目前的DDR2价格来说，台系内存厂要赚钱恐怕不可能，至于八月份的报价方面，虽然合约市场回温，继八月上旬小涨后，下旬也会续涨，但幅度不大，至于现货市场端不论报价与买气依旧低迷不振，因此整体平均价格应该也不会太理想。

   即使制造端方面，台系内存厂都已全数加码转入七○或是八○奈米制程，但据业者透露，目前七○奈米制程的良率并不稳定，因此不论成本结构或是产出效率当然也不及九○奈米，因此整体来说，目前有不少内存大厂内部自行估算，八月份营运绩效恐怕是打平甚至小亏，营运绩效拨云见日的时间点，恐怕还是要等到九月后才有机会。

来源：中时电子报    2007.08.15

    华亚科(3474)昨日除权除息，股价走扬。由于华亚科为台湾DRAM厂第二季营运唯一获利的公司，股价相较DRAM股抗跌，本波股价修正幅度相对温和，昨日除权息首日，股价开高后，维持高档横盘量缩整理。终场上涨0.85元以35.9元作收。

    受惠DRAM价格走稳，新产能持续开出，华亚科7月营收攀升至40.67亿元，较6月成长14%，创下近6个月来新高，也较去年同期成长18.67%，前7月营收为271.82亿元，较去年同期成长21.59%。

    在产能持续扩充，加上第三季营收回温，预期第四季DRAM价格上扬的速度加快，华亚科下半年营运渐入佳境。

来源：Yahoo奇摩    2007-08-15   

集邦科技最新报告指出，DRAM现货与合约市场需求呈现两样情。集邦表示，近期大多数PC OEM厂商的DRAM搭载率已经达到平均1.2到1.4GB不等的记忆体容量，显示合约市场需求确实逐季往上。而第二季库存释出及售后市场自行升级比例降低，导致现货与合约市场需求两样情。预期DRAM价格将在9月达到下半年高点，但在产能移转至NAND FLASH效应下，第四季价格向下修正幅度应该比预期缩小。

上周现货报价受到三星停电事件影响而短暂走高，但后续追价力道不强，使得部份库存水位较高的通路商反手杀出手中的库存。根据集邦科技(DRAMeXchange)DDR2 eTT报价在上周五(10日)再度跌破2美元关卡，来到1.93美元。

时序进入传统PC销售旺季，但现货市场终端需求始终没有明显放大，尤其7月为大陆地区往年的销售旺季，需求也显得十分冷清。尽管现货市场需求已较上个月回温，但仍不足以刺激现货市场价格。

至于合约市场部分，8月上旬合约价格仍上涨3-5%不等的幅度。PC市场的销售旺季来临，OEM厂商积极拉货，带动合约市场价格上涨。集邦科技估计桌上型电脑加上笔记型电脑第三季出货数字可望达到6900万台，较上季成长15%的幅度。集邦分析师表示：近期大多数PC OEM厂商的DRAM搭载率已经达到1.2到1.4GB不等的记忆体容量，显示合约市场需求确实逐季往上。

而现货与合约市场需求两样情的状况，集邦进一步指出有以下几个原因：

第一、部分DRAM厂商与模组厂商在第二季价格底部时囤积了许多库存，数量不易掌握，使得现货市场不时传出有低价库存释出，破坏了目前的市场价格。

第二、PC OEM厂商在DRAM搭载量已经提高到相当高的比重，使得消费者到售后市场自行升级比例降低。

第三、部份大陆通路商指出，大陆地区民生用品的物价涨幅过大，影响到消费者需求为7月旺季不旺的主要原因。

展望未来几个月，分析师表示，厂商在下半年绩极转进70nm，DRAM价格将在9月达到下半年高点，但第四季价格向下修正幅度在产能移转至NAND FLASH效应下应该比预期缩小。

来源：阿里巴巴    2007/08/15

     根据全球半导体贸易统计组织(WSTS)最新发表的市场研究报告，欧洲半导体第二季销售状况较第一季退步，但与2006年第二季相较却呈现成长。

  WSTS的数据显示，2007年6月欧洲半导体销售额为32.07亿美元，比5月下降1.8%，比去年同期成长1.6%。年内迄今(year-to-date，YTD)半导体销售额比2006年同期成长3.2%。该机构并指出，近几个月来欧元兑美元汇率的升值，也对欧洲半导体销售额成长产生影响；以欧元来计算，2007年6月半导体销售额为23.79亿，较前一个月下降2.3%，与去年同期相较下降了5.2%。其YTD销售状况与上一年度相较则下滑4.5%。

  欧洲半导体产业协会(ESIA)表示，上半年总体半导体产品单位出货量实现正成长，显示价格变化仍对市场产生强大的压力；此种现象在世界其它地区亦然。而2007年第二季销售额比第一季大幅下降的DRAM和微处理器产品也面临相同情况。

  第二季用于消费及通讯产品的闪存和逻辑芯片销售额，与上一季或去年同期相较都是正成长；数字讯号处理器(DSP)销售额则比2007年第一季略有成长。2007上半年用于计算机和汽车的离散式组件、光电组件、标准逻辑产品和逻辑芯片销售额则未达预期，第二季销售额额较去年同期与上一季皆呈现下滑。

  以全球情况来看，全球半导体销售额在2007年6月为199.53亿美元，与上个月相较下滑1.7；不过该数据与去年同期相较成长了0.9%，YTD则成长2.1%。

来源：电子工程专辑     2007/08/15 

Z-RAM高密度存储知识产权(IP)开发商Innovative Silicon Inc（ISi），与海力士(Hynix)半导体有限公司宣布：海力士已经同意在其动态随机存储器(DRAM)芯片中采用ISi的Z-RAM技术。采用Z-RAM的DRAM将使用一种单晶体管位单元，来替代多个晶体管和电容器的组合，这代表了自上世纪70年代初发明DRAM来，基本DRAM位单元实现了首次变革。海力士已经获得了抢先将Z-RAM引入DRAM市场的机会。为确保这项优势，两家公司已经投入相当大的工程资源共同开发该项目。

Z-RAM最初作为全球成本最低的嵌入式内存技术而应用于逻辑芯片，如移动芯片组、微处理器、网络和其他消费应用。2005年12月AMD首次获得该项技术授权，将这项技术应用于微处理器设计。目前此次与Hynix的合作，使Z-RAM成为超过300亿美元的存储器市场中成本最低的存储器技术。

“ Z-RAM保证提供一种在纳米工艺上制造高密度DRAM的最佳方法，” 海力士研发部副总裁Sung-Joo Hong说。“以ISi的 Z-RAM创新为基础，我们看到了开创全新产品平台的潜力，这将帮助我们继续保持和扩展在存储器市场中所处的领先地位。”

“ 海力士决定与ISi的合作是对我们Z-RAM存储技术的实力和商业效益的进一步肯定，尤其是海力士是存储器芯片市场的主导者，它的产品被广泛应用于多种电子设备中，如个人电脑、服务器、工作站、显卡以及手持设备，如手机、MP3播放器和数码相机等，”ISi首席执行官Mark-Eric Jones说。“采用ISi的Z-RAM技术制成的存储器芯片尺寸更小，成本更低。我们期待着与海力士在下一代DRAM芯片中的合作，从而为最终用户带来极大的性能和可用性方面的优势。”

ISi的Z-RAM与目前标准DRAM和SRAM（静态存储器）方案不同，因为其单晶体管(1T)位单元结构是全球最小的存储单元，这使其成为全世界密度最高、成本最低的半导体存储方案。通过采用绝缘体上硅结构(SOI)晶圆，Z-RAM的单晶体管存储位单元可利用电路制造中发现的浮体效应(FBE）而变成现实。此外，因为Z-RAM是利用了SOI自然产生的效应，在存储位单元内无须通过改变外在工艺来构建电容或其它复杂结构。