Archive - 八月 14, 2007

今年上半年中国IC产业发展步伐放缓

Tagged:  
引用文字: 

来源: 半导体国际    2007-08-14


有关中国大陆2007年上半年半导体产销报告日前出炉,数据显示今年上半年大陆IC总销售额人民币607.2亿元,年增长率33.2%,相较于2006年上半年48%增长率,明显呈现增长趋缓。其中,IC设计增长减缓幅度最大,过去动辄增长逾50%荣景已不再。针对大陆晶圆厂扩产脚步渐趋保守,台积电总执行长蔡力行日前表示,大陆半导体业正经历步伐调整期;大陆晶圆代工龙头中芯国际执行长张汝京则指出,对于大陆IC芯片需求仍感乐观,尤其是消费性IC及模拟电源管理IC需求最强劲。


   根据最新统计数据显示,2007年上半年大陆IC芯片总产量约192.74亿颗,较2006年同期增长15.2%IC产业销售人民币607.2亿元,年增长率33.2%,但较2006年上半年高达48%增长率却大幅减缓。单就IC产业链来看,大陆IC设计业受MP3、数码相机等终端市场趋饱和及跌价影响,2007年上半年销售额人民币95.32亿元,年增长率仅22.8%,明显不如2006年上半年高达50.8%增长率。“中国IC产业国内与出口的总产值的发展已告别了类200643%的高增长,而步入了一个相对稳步发展的时期。”赛迪指出,“预计2007全年,产业增长将停留在30%左右。销售总额将保持在1310亿元人民币(约合173亿美元)左右。 


   大陆IC设计业者认为,IC设计产值增长大幅减缓,值得同业重视,自2007年起大陆IC设计业者像是排名第1的珠海炬力,便承受MP3控制芯片极大的跌价压力,营收及获利均面临下滑危机;另1家知名IC设计业者中星微亦在季报中呈现亏损,这些都凸显大陆IC设计业者正面临严峻新挑战,且随之而来的可能是另一波倒闭、汰换的整合潮,未来大陆要面对的不再是像过去以家数多取胜,彼此相互厮杀,大陆已到了要培养出如同联发科规模等级的头号代表性IC设计业者的阶段。 


   相较于IC设计,大陆晶圆代工、封装测试增长减缓速度则相对较慢,2007年上半年大陆IC制造产值人民币184亿元、年增长率34.3%;封装测试产值约人民币327.8亿元、年增长率36.1%,尽管IC制造及封测仍是带动大陆半导体产业规模扩大的主要动力,但总体增长率却已放缓,近期大陆半导体业界便兴起一股勿盲目扩产、转型追求实质获利的声浪,其中,中芯国际便削减2007年资本支出达3成。 


   蔡力行日前对此指出,半导体产业原本就有起伏周期,他认为,大陆半导体产业过去几年高增长,但业者近期已对扩产持审慎态度,产业正经历增长步伐调整期。 


   张汝京则表示,对于大陆IC设计长远发展仍具信心,中芯近3成业绩来自亚太地区,而大陆当地IC设计客户便占逾10%,目前中芯感受到内需消费性IC及电源管理IC需求强烈。不过,半导体业者对此指出,应与季节性因素及IDM大厂电源管理IC产能匮乏有关。 


   此外,大陆晶圆厂近年来扩产脚步明显趋于保守,中芯改为采取与当地政府合作代管方式成立晶圆厂,以减缓扩充脚步所带来成本压力;华虹NEC则接手上海贝岭8英寸厂,暂搁置12英寸厂计划;上海宏力半导体则传出原本要与同业合建12英寸晶圆厂,但最后不了了之;无锡华润上华则以先扩充8英寸厂产能为优先,选择以成本较低的方式,向海力士(Hynix)添购二手设备。    

台积电Q3再扩产一成 总产能将超联电1倍

Tagged:  
引用文字: 

来源:赛迪网      2007/8/14


   传统旺季来临,台积电与联电两大台湾省晶圆代工双雄持续积极扩产,其中台积电第三季总产能将较第二季扩增1成,联电第三季产能也将增加2.3%;台积电第三季总产能将达216.9万片约当8英寸晶圆,将为联电总产能107万片约当8英寸晶圆的1倍。


  晶圆代工产业于去年第四季起面临市场库存问题,不过台积电与联电等全球前两大晶圆代工厂今年来依然积极扩产,其中台积电今年上半年资本支出已达11.9亿美元,联电上半年资本支出也达6亿美元。


  随着市场库存问题有效缓解,台积电第二季产能利用率达94.4%水平,而在下半年市场步入产业传统旺季,公司预计第三季将大举扩产1成,第四季再扩产6%,全年总产能将较去年增加18%,资本支出将达26亿至28亿美元。


  而联电第二季产能利用率虽仅约76%,不过公司仍决定第三季持续扩产2.3%,产能利用率也将攀高至9成以上,公司估计,今年总产能将较去年增加7%,资本支出约10亿至12亿美元。


   观察两公司扩产计划,联电产能扩增将以12英寸厂为主,而台积电虽然产能增加同样以12英寸厂为主,不过其余6英寸厂及8英寸厂产能也将同步扩增。台积电第三季总产能将达216.9万片8英寸晶圆规模,将大幅超越联电的107万片8英寸晶圆。

英特尔与意法半导体合产闪存欧洲获准

Tagged:  
引用文字: 

来源:慧聪网     2007/8/14


  当地时间本周一,欧盟委员会核准了英特尔与瑞士意法半导体公司“联合生产闪存芯片”的请求,这意味着二者在组建联合部门生产手机闪存芯片的道路上又清除了一个重大障碍。


  英特尔、意法半导体公司以及Francisco等三家公司达成协议,未来将创造一个新的独立的半导体公司,新公司的核心策略是提供各种闪存芯片,主要为手机、MP3播放器、数字相机、计算机和其它设备提供存储支持。据悉,新公司的主要设备和技术将主要来自英特尔和意法半导体两家公司。


  作为向联合公司提供NOR闪存部门,英特尔公司将得到4.32亿美元的现金,而作为提供其整个闪存部门的补偿,意法半导体公司将得到4.68亿美元现金。意法半导体公司公司的闪存芯片部门包括NOR闪存芯片部门和一个与现代半导体公司联合的NAND闪存芯片部门。


  欧盟通过评估认为,这一联合公司不会对存储市场形成垄断,因为无论从买方市场还是卖方市场来看,当前闪存芯片市场上留有充足的的空间供双方去选择。


  根据市场调研机构的数据显示,尽管去年全球NOR闪存芯片的市场收入为83亿美元,但整个领域依旧没有能够实现赢利。去年,由英特尔和意法半导体销售的NOR闪存芯片的收入为36亿美元。


  就英特尔而言,截至目前尽管NOR业务没有实现赢利,但英特尔依旧维持其运营。在2005年英特尔与美光科技公司联合生产NAND闪存芯片之前,英特尔每年在NOR业务的亏损高达1.5亿美元。

CPU45奈米新制程 创造需求

Tagged:  
引用文字: 

来源:中时电子报      2007-08-14


   英特尔四五奈米新制程已在下半年进入量产阶段,第四季后将陆续推出包括Penryn在内的十五款中央处理器(CPU)产品,由于制程微缩至四五奈米后,覆晶基板规格将由目前量产的X64版本改为X66版本,基板层数也将扩增至4/4/45/4/5,英特尔基板代工厂已开始进行X66基板量产准备工作。由于今年全球各大基板厂均无大扩产动作,但X66版覆晶基板因层数增加,将出现三○%至四○%左右的产能自然耗减,第四季后将出现供不应求荣景。


   X66与过去X64版本最大的不同之处,就在于覆晶基板层数的增加,由于基板层数每增加一层,同一生产线实际的覆晶基板产出量,将会自然耗减一○%,因此这回基板层数由原本的八层至十一层,大幅增加至十二层至十四层,产能自然耗减率达三○%至四○%间,将能有效去化目前过剩的覆晶基板产能,同时导致整个市场出现供给吃紧市况。


 

PCM可望取代NOR Flash 台商宜把握市场先机

Tagged:  
引用文字: 

来源:电子工程专辑      2007-08-14


相变化内存(Phase Change MemoryPCM)是近年来内存业界热门研发主题之一,针对此一新式内存技术发展趋势与厂商专利现况,工研院IEK-ITIS计划发表最新研究报告指出,台湾已有不少厂商投入该技术的研发,相较于FeRAMMRAM,在PCM领域发展机会较大。


工研院IEK-ITIS计划分析师陈俊儒表示,相变化材料在1970年代开始有重量级的公司投入研究资源,但受限于当时半导体制程技术,相变化材料在2000年以前的商业应用还是以光盘片为主;直到2000年后,相变化材料制作的相变化内存无论是在专利布局、芯片试产及学术论文上开始有优异的表现。


其中一家PCM厂商Ovonyx1999年成立,将其PCM发展策略设定在智财(Intellectual PropertyIP)商业模式,提供技术以推动PCM进入内存市场。陈俊儒指出,目前Ovonyx拥有的他国专利申请数量是全球最多,美国专利数第二(仅次于Micron),还获得Intel的投资,以及授权给STElpidaSamsungQimonda等半导体大厂。


投资Ovonyx的厂商Intel亦准备推出128Mb PCM样品,并计划在2007年下半年采用90奈米技术进行量产。陈俊儒表示,这种称为Alverstone的产品是Intel的首款PCM产品,是与NOR Flash兼容的替代产品。Intel技术长Justin Rattner并曾指出,Intel的理想目标是让128Mb PCM成为NOR Flash闪存的替代品,而该公司将持续最佳化PCM的量产制程。


Ovonyx的授权厂商Samsung也将开始供应PCM的评估测试样品,该公司目前向多家大型手机厂商提供的是256Mb512Mb90nm产品。为了准备2008年上半年的量产,该公司还计划在2007年第2季和2007年年底,分别开始供应工程样品和商用样品。


陈俊儒表示,Samsung是从2006年下半年开始量产90nm制程NOR Flash,落后于同期开始量产65nm产品的Intel。为此,Samsung希望以替代NOR Flash为目的,尽早创造出PCM被采用的实际业绩,以便在与其它公司的竞争中占据领先地位。


根据ITRS预测,PCMCell Size2011年将小于NOR Flash,未来可望大规模取代NOR Flash市场(营收约72亿美元),未来市场潜力较FeRAMMRAM大。陈俊儒表示,目前先进厂商投入PCM的研发较晚,台湾厂商投入PCM研发者,相较于FeRAMMRAM反而来的多,多属于DRAM挥发性内存厂商。


因此陈俊儒认为,台湾厂商若是未来计划大规模切入非挥发性内存市场,相较于FeRAMMRAM,投入PCM研发是比较有机会的。


 

Q2全球硅晶圆出货小成长 12寸晶圆为主动力

Tagged:  
引用文字: 

来源:电子工程专辑      2007-08-14


根据SEMI Silicon Manufacturers Group (SMG)所发表的最新报告,2007年第二季全球硅晶圆(silicon wafer)出货量较上一季成长约5%。该报告指出,最近这整个季的硅晶圆产量按面积出货量计算,为22.01亿平方英寸,上一季则为21亿平方英寸。


新一季硅晶圆总面积出货量比2006年第二季成长超过12%SEMI SMG主席兼Siltronic 总裁Volker Braetsch表示:“尽管最近有很多对产业发展状况的疑虑,但晶圆出货量继续增加。成长动力主要来自12寸晶圆,在第二季大约占整体晶圆出货面积的35%。”

华邦电子2007年7月营收增长27%

Tagged:  
引用文字: 

来源:国际电子商情      2007-08-14


华邦电子日前公布自行结算的20077月份营收为新台币28.61亿元,较上个月营收22.56亿元,增加约26.8%。今年17月累计营收总额为新台币196.26亿元,相较去年同期累计营收169.83亿元,增加近15.56%


在逻辑产品方面,计算机逻辑产品表现平稳,主板相关IC与笔记本电脑输出入控制器等产品营收皆有增长;语音IC则延续旺季效应,出货畅旺,带动整体逻辑营收增长。本月内存产品受低迷市况影响稍有减缓,在中科厂90纳米制程产出比重持续提高,以及Flash产品市场需求增加带动下,本月内存营收较上月增长。


预计进入第三季,消费性电子产品旺季效应将持续发酵,而DRAM市况预期在本季亦可望逐渐改善,有助内存产品表现逐步回稳,目前中科厂80纳米制程已进入量产阶段,未来整体营收表现可望逐月转强。

PQI推出高速大容量16GB CF存储卡

Tagged:  
引用文字: 

来源: eNet硅谷动力     2007-08-14


  PQI——台湾劲永国际股份有限公司是全球前十大DRAM内存模组和Flash存储卡资深大厂之一,亦是全球前五大Flash Drive存储专业大厂之一。自1997年成立以来,透过完整的营销据点规划,如美国、荷兰、日本、中国香港及大陆等地,以自有品牌"PQI"营销全球。


  台湾劲永国际股份有限公司(PQI)正式推出了一款16GB超大容量、300XCF存储卡。这也是目前存储容量最大、传输速度最快的CF存储卡。据劲永国际有关人士表示,全新的CF卡读取速度达到了45MB/秒,写入速度也达到了34MB/秒。其实这枚存储卡已于6月份的computex大展中亮相,受到了广大专业摄影爱好者的高度关注。不过,价格方面该存储卡还蒙着一层纱。

日本公司将实现最先进DRAM芯片商业化生产

Tagged:  
引用文字: 

来源:新华网     2007/08/14


   最新报道,著名存储芯片制造商日本Elpida Memory公司日前宣布,将于本财年内实现世界最先进的动态随机存储内存芯片(DRAM)的商业化生产。


   据报道,Elpida公司将在量产中使用国际领先的65纳米制造工艺技术,这在世界同业内尚属首次。这一技术的应用将使生产成本比现在降低30%左右,在目前DRAM价格急剧下滑的形势下,此举将大大提高该公司的价格竞争力。


   报道称,由于供给过剩,从去年底开始,用于电脑等设备的DRAM产品价格一直下滑,目前已经跌去约四分之一。韩国和中国台湾地区的DRAM制造商多数已陷入亏损经营状态,有些已经推迟了设备投资计划。


   排名世界第四位的Elpida公司目前拥有全球市场10%左右的份额,该公司不仅在今年第二季度中实现盈利,还将赶超业界巨头韩国三星电子公司,首先展开65纳米DRAM的商业化生产。该公司希望借此维持较高盈利水平,不断扩大市场份额。


  

晶圆代工厂产能利用率激增 产能不足危机渐显

Tagged:  
引用文字: 

来源:电子工程专辑       2007/08/14


市场研究机构日前对IC代工客户们提出了预警,称2007年末开始至2008年主要代工厂有可能出现产能不足的情况。


据研究公司预测,全球最大的四家晶圆代工厂——台积电(TSMC)、台联电(UMC)、中芯国际(SMIC)和特许(Chartered)——将从第一季度78.5%的总产能利用率提升到第四季度的97.5%的产能利用率。


“四大”代工厂目前拥有几乎总的全球纯代工产能的3/490纳米以下代工业务更是占到了99%之多。


该报告指出:“今年前8个月四大代工厂产能利用率有了显著的上升,这种情况有力地促使IC代工客户们尽可能地提前发出订单,以保证今年第四季度以及明年其代工需求得到满足。”


台积电(TSMC)作为全球最大的代工厂,其产能利用率预计将从第一季度的83%上升至第四季度的100%。第二大代工厂台联电(UMC)预计面临着更大的涨幅,将从第一季度的70%猛升至第四季度的95%


位于中国大陆的最大代工厂中芯国际(SMIC)在过去的三年中大大削减了其资本支出。2007SMIC的计划资本支出为7.2亿美元,较2004年的18.4亿美元减少40%。因此,随着目前出货量的增长,到今年第四季度,SMIC的产能利用率也将上升至90%以上。


新加坡特许半导体(Chartered)是四大代工厂中唯一一家第四季度产能利用率预测值低于90%的,其预测值为88%。然而,根据IC Insights2008IC产业的良好预期,Chartered的产能利用率很有可能在明年上半年同样突破90%


总体上看,预计四大代工厂第四季度晶圆出货量将较第一季度上升42%。与此相比,其晶圆加工总产能在此期间仅增长14%。另外需要注意的是2006年四大代工厂资本总支出小幅增长8%之后,2007年其资本总支出预计也仅增长9%


以上数据结合2007年下半年以及2008年全年IC代工需求的预测,市场研究机构认为当前四大代工厂在资本支出和产能扩张方面已经有所落后,须在2008年增加资本支出,以起表率作用。