Archive - 八月 10, 2007

hrbit.com      2007-8-10

　　近日，国际著名半导体芯片制造商奇梦达（Qimonda）正式对外宣布，作为全球首批DRAM供应商，奇梦达已经开始向重要主板厂商和高端内存制造商提供全新的DDR3芯片及相关模组。此外，奇梦达新一代DDR3内存全面通过英特尔平台的认证。

                               奇梦达512MB DDR3-1333内存外观

　　奇梦达目前可提供512MB/1GB DDR3内存，该产品为非缓冲型DIMM，工作频率包括有：800MHz、1066MHz和1333MHz等多种规格，其中部分产品甚至可以超频到1600MHz以上水平。众所周知，超频是提高PC系统性能的常用手段，它可以显著提升3D游戏、软件测试等应用的速度和成绩。

　　奇梦达本次提供全线DDR3内存，可以应用在包括台式机、笔记本电脑和能够处理视频编辑和高端游戏等数据密集型应用的工作站。“我们的DDR3-1333内存可提供出众的性能，而且该产品还具备非凡的超频潜力。”奇梦达计算类业务部副总裁Michael Buckermann表示，“DDR3内存再次通过英特尔的认证，充分表明奇梦达技术的领先优势，以及奇梦达已做好该新兴市场的准备。

　　奇梦达512MB DDR3-1333内存等效频率为PC3-10600，编号为IMSH51E03A1F1C-13H，整条产品产自德国。该产品芯片编号为IDSH51-03A1F1C-13H，生产日期为2007年第4周。

　　奇梦达DDR3内存芯片采用PG-TFBGA-78封装，现已经开始量产，并且即将向客户发货。目前，奇梦达正与合作伙伴台湾南亚携手开发第一代DDR3内存模组。

2007-08-10    CNET科技资讯网    

英特尔会宣布在今年开始生产相变内存（phase-change memory）吗？相变内存是一种正在开发中的技术，可能取代目前大行其道的闪存。

这是“闪存峰会”上的猜想之一。观察人士表示，英特尔和意法半导体已经组建了一家合资企业，可能很快公布以商业化规模生产相变内存的计划。意法半导体非常急于在市场上推出相变内存产品。

英特尔还没有正式公布会在何时推出相变内存的计划。英特尔闪存集团战略规划经理格雷格说，英特尔已经开发了90纳米工艺的相变内存样片，并相信这种芯片将在未来取代闪存芯片。

Objective Analysis分析师吉姆表示，英特尔、意法半导体合资企业名为Numonyx。发明相变内存技术并将它许可给英特尔等大厂商的是一家名为Ovonyx的公司。Numonyx上个月表示，将为消费者市场生产内存，并将在今年晚些时候公布更详细的计划。

相变内存的材料与CD光盘相似。这项技术的开发已经有很长时间了，英特尔的合伙创始人摩尔在1970年的一篇文章中就阐述了相变内存技术。三星、飞利浦等厂商也在开发相变内存技术。

巨亨网    2007 / 08 / 10

   台积电(2330-TW下单)7月营收出炉，就非合并财务报表方面，单月营收约新台币287.66亿元，较6月增加13.9%，较去年同月增加4.3%，创下历史新高；累计今年 1-7月营收为1649.64亿元，较去年同期减少11.4%。

 就合并财务报表方面， 7月营收约294.83亿元，较6 月增加12.9%，较去年同期增加5.5%；累计今年1-7月营收约为1692.98亿元，较去年同期减少9.9%。

 第3季进入电子业各产品线的传统旺季，终端客户需求持续增温，其中来自PC市场需求强劲，公司因此将PC全年的成长率由 10-11%调升至13%，手机市场的成长率则可达13%，消费性产品的需求亦将持续成长。

 整体而言，台积电第 3季的营运将延续上季成长力道，产能利用率持续攀升，先进制程占整体营收的比重将再温和上扬。

 台积电预期第 3季合并营收将介于850亿至870亿元，将较第 2季再成长13.45%至16.12%；而产品毛利率将介于43%至45%，营业利益率也将介于33%至35%，与第 2季持平。

西部硅谷    2007-8-10

　 刚结束的AMD Technology Analyst Day 2007大会上，AMD制造部门资深副总裁Doug Grose透露了更多AMD未来制程技术方向。

 　Doug Grose表示，研发初期与IBM合作，透过IBM先进的制程技术可加速其研发速度，现时AMD正与IBM合作以浸没式微影技术、Ulta-Low-K、High-K及Metal Gate技术，制作45奈米及32奈米制程产品，并已为22奈米进行初期的研发工作。量产方面则采用「 FlexFab」理念，除了自己所拥有的晶圆厂商外，还会交给Chartered、TSMC及UMC代工，多供货商政策将效分散AMD的风险，提升供货弹性。

 　Chartered现时正主力AMD代工90奈米处理器，其Chartered Fab 7晶圆厂己在提升制程技术，预计2007年下半年将提升至以生产65奈米产AMD处理器为主。TSMC将主力为AMD代工绘图芯片、芯片组及整合性芯片产品，去季已为AMD生产约2百万片晶圆，并预期将会于第四季以55奈米代工AMD绘图产品。

 　Doug Grose指出，AMD 45奈米技术可望于2008年下半年量产，透过Ultra-Low-K技术，效能进一步提升约20%，并保持相同的功耗水平。此外，AMD计划采用High-K/Meta Gate技术于第二代45奈米及新一代32奈米之中，进一步提升芯片频率及能效表现。

eNet硅谷动力    2007-08-10 

　  计算机微处理器制造商英特尔的官员本周四表示，公司计划投资10亿美元在越南构建芯片工厂，2009年开始制造产品。

　　英特尔（越南）产品总经理Rick Howarth向媒体称，公司将在越南西贡高科技园区构建一个占地50万平方英尺的芯片工厂。今年12月份开始构建，2009年中期完成，2009年九月份开始批量生产，最初将雇请500名员工，到年底之前新工厂的员工总数将增加到1000名。

　　总经理表示，英特尔计划新工厂大约需要三年时间达到最高产能，届时每年能够制造六亿个芯片，雇请的员工总数将达到4000名。

　　尽管新工厂从动工到投产大约需要二年时间，但英特尔几乎没有停顿，今年三月份，在工厂附近的办公室已经破土动工。支持新工厂的基础设施和工程资源正在紧张的筹备中。

　　总经理表示，胡志明市陈旧的供电系统是英特尔的主要烦恼之一，公司试图构建二条高压线路向新工厂供电。但明年晚些时候三个新发电厂的建立使英特尔得到安慰。

　　在新工厂运作之前，英特尔还需要解决工程师和高水平管理人员严重匮乏的问题。英特尔为了雇请新工厂中一些关键位置上的员工，已经把他们送往亚洲其他工厂中进行培训。

　　与此同时，英特尔还将通过帮助当地的大学开发IT课程，构建一个人才渠道。并正在与美国的大学就在越南高科技园区建立一个新的科技大学进行磋商。总经理表示，越南政府和科技园区的领导已经同意支持这一计划。未来数月内，英特尔可能将与美国的合作伙伴达成协议，为明年秋季建立一个学院铺平道路。

中时电子报   2007.08.10

    根据国际半导体设备暨材料协会（SEMI）的最新统计，即使内存供货商遭遇亏损窘境，但全球晶圆制造商仍致力于增设十二吋厂，尤其以台商最为积极，预计到明年底全球十二吋厂的单月总产出将较今年底成长一倍。

    SEMI指出，目前全球正有二十五个新的十二吋晶圆厂逐步加入生产行列，预计到明年底时，全球十二吋晶圆产能将较今年底成长达一倍，亦即到明年底，七十三家的十二吋晶圆厂单月产量将超过六百二十万片晶圆。

    根据SEMI的数据显示，在这波全球晶圆厂疯狂投入扩建新厂的动作中，其中以台湾最积极。其次为日商，新增产能占比为三成与二成，再来便是逐渐崛起的大陆，占比为一六％；此外明年晶圆厂的构建总支出预期将提高四成，达新高的百亿美元，其中，又以南韩增加投资的金额最高，其次才是南亚各国。

来源：中时理财网   2007.08.10

    集邦科技最新报价，受到三星跳电事件所牵动供需吃紧影响，八月上旬Nand Flash合约价，平均大涨一五％至二五％；其中Nand Flash4Gb SLC、MCL更是弹跳二五％至三四％之多。

    八月DRAM、FLASH行情联袂攀高，创见（2451）、威刚（3260）及劲永（6145）等模块厂业绩红不让；分析师认为，DRAM、Flash价格可望逐月提升至十月份，推估模块厂八月营收续扬一○％、二○％，第三季营运季增率上看四○％。

    七月DRAM行情劲扬九．六％至一五．七％，而Flash报价也因供需吃紧，向上调涨三．二％至一七．一％，带动内存模块厂单月营收较六月攀扬一五％、二○％之多；其中族群龙头创见，七月营收已连续第四个月攀扬，创历史次高纪录，七月底Flash比重提升达六三％，DRAM三七％。

    八月三日南韩三星半导体厂区发生停电事件，旗下六至九及一四厂的生产均受挫中断。由于该厂区为三星的NAND Flash主要生产地，集邦科技预估，停电事件将影响三星约五．五％NAND Flash月产出量，及全球约二．二％的NAND Flash月供给量，刺激NAND Flash合约价大幅上涨。

    花旗环球证券报告指出，多数厂商已完成存货调整，DRMA现货价格八月就会开始走扬；同时，受到五○奈米和六○奈米题材发烧，九月后NAND FLASH价格将有进一步上扬的可能。

    永丰金证券推估，威刚第三季营收季增率四三％，毛利率上扬至六．九％，ＥＰＳ三．五元；全年营收成长二○％，ＥＰＳ九．八元。创见第三季营收季增率三六％，毛利率一二％，ＥＰＳ约三．五元；全年营收成长七四％，ＥＰＳ一一．九元。

来源：巨亨网    2007 / 08 / 09

根据集邦科技资料， 8月上旬NAND Flash合约价反应南韩Samsung停电事件，平均上涨约 15-25%。集邦分析师指出，由于短期内NAND Flash市场供货不足，预估8月下旬合约价将持平或小涨。

Samsung 半导体厂区在8月3日下午发生停电事件，使得该公司的6、7、8、9以及14厂的生产均受到停电中断的影响，但三星已宣布于8月4日下午恢复到正常生产状况，根据该公司初步估计损失约4300万美元。

由于该厂区为 Samsung的NAND Flash主要生产地，集邦科技预估该停电事件，将影响Samsung至少 5.5%的NAND Flash月产出量及全球约2.2%的NAND Flash月产出量。

来源：吴锡日报    2007/08/10

中国半导体巨无霸的第三次飞跃,箭在弦上。海力士－意法半导体将增资约１５亿美元，启动三期扩产,三期完成后,总投资累计达到５５亿美元。昨天,市委常委、常务副市长贡培兴率领相关部门负责人专程赴京,举行海力士－意法半导体项目专题汇报会，向国家发改委、商务部、信息产业部和国家环保总局等部委有关负责人,以及江苏省发改委相关负责人汇报三期项目情况。

　　贡培兴说，无锡正处于转型发展的关键时刻，面临着重要的转折关头。为确保经济社会又好又快发展，我市正在加快转变增长方式，创新发展模式，提升发展质量，在优化产业结构和空间结构上求突破，在推动科技创新创业上求突破，在保护资源环境上求突破，并大力发展高新技术产业和现代服务业，加快建设“三谷三基地”。海力士项目的建设进一步推动了我市“硅科技”产业的发展，带动和辐射作用明显，形成更大的产业集聚效应。

　　海力士－意法半导体公司自２００５年立项、２００６年在新区投产以来，在不到两年的时间内，以技术含量最高、投资规模最大、建设速度最快夺得了中国乃至全球半导体领域的多项第一，目前，投资规模已经达到了近４０亿美元，随着二期项目的展开，达产可形成月产１２英寸晶圆８万片、８英寸晶圆７万片的产能，年销售额超过１５亿美元，成为中国最大的半导体生产基地，生产技术达到世界最先进水平，制程６６－８０纳米，其１２英寸存储器产能将占到全球此类产品产能的十分之一，由此，奠定了无锡――中国“太湖硅谷”的地位。而就在今年六月启动的海力士－意法半导体二期项目调试生产不久，公司的三期扩产项目又紧锣密鼓地推进。据了解，三期项目总投资约１２亿－１５亿美元，将不新增用地，利用公司现有厂房及公共设施进行改扩建，设计产能为１２英寸晶圆３万片－４万片／月，扩产计划完成后，投资方――海力士半导体株式会社在全球半导体界的排名将从第七位上升到第五位。

tom.com　  2007年08月10日

   据中国台湾媒体报道，上周三星电子内存芯片工厂发生断电事件引发供给紧张，闪存芯片子8月以来价格猛涨，最高达25%。

亚洲最大内存芯片交易所集邦科技公司产业研究处协理陈有裕陈，由于三星电子公司8月3日发生工厂跳电意外，导致六条生产线停产一天，全球闪存芯片产量因而减少2.2%。陈表示，8月上半月的闪存芯片合约价 较7月下半月上涨15%到25%。

业内人士介绍，苹果iPod也是采用三星的内存芯片，为了保持利润苹果很可能对iPod进行提价。

另外，韩国媒体Edaily报道，三星电子已调高8Gb（1Gb=10亿位）NAND芯片价格，由8美元涨至9.50美元。报导还称，三星还计划在短期内调高动态随机存取内存（DRAM）的合约价。但三星发言人拒绝证实或否认这项报导。

三星工厂曾因电力瘫痪停工 芯片生产线已恢复。