Archive - 七月 31, 2007

存储时代    2007年07月31日

受到NAND闪存厂商制程转换进度不顺的影响，7月份NAND闪存供给端大幅减少，价格也因此一路上涨，内存模组厂商包括威刚、创见、群联等受到NAND闪存涨价激励，7月营收纷纷增长，劲永则因为6月营收一举冲到24亿元新台币（台币/美元汇率约为100:3.045），因为基期较高的原因，初步估计7月营收不会高于6月水平。然而以毛利率来看，在涨价的效应加持之下，各厂商的毛利率则是相当的亮丽，单月水平都要高于6月和第二季度的平均水平，为步入第三季度的传统旺季打了一剂强心针。

威刚、创见6月营收分别落在35亿元新台币和34亿元新台币，7月的DRAM价格表现弱势，然而NAND闪存的价格则是受到缺货影响而一路上涨，威刚和创见的营运也因此雨露均沾。目前创见DRAM模块和NAND闪存产品营收比重约4比6，威刚则约5比5，在7月营收方面，两家都有成长超过10~20%实力。

创见30日正式公布上半年财报，第二季度营收93.29亿元新台币，税前8.31亿元新台币，税后6.01亿元新台币，单季毛利率为10.9%，换算每股税前2.46元新台币，每股税后1.78元新台币；合计上半年财报，自结营收为189.28亿元新台币，年增率88.7%，平均毛利率10.15%，合计税前为18.71亿元新台币，税后15.06亿元新台币，年增率接近60%，换算每股税前5.54元新台币，税后4.46元新台币。

威刚第二季度毛利率也提升至6%，预计第三季度将持续成长至8%水平，第三季度营收可比第二季度增长40%之多，而由于NAND闪存表现大幅优于DRAM，威刚也自6月起调升NAND闪存比重至50%；此外，对于DRAM后市表现，威刚也认为接下来可稳中透坚。

群联近期受到NAND闪存供给不足，价格水涨船高的挹注，股价一度冲破700元新台币，坐上股后宝座，日前仍保持在600元新台币以上的价位，成为近期飙涨最为猛烈的相关族群之一；而群联7月订单回笼，价格调涨的挹注下，预计7月营收也将较6月12.8亿元新台币大幅成长，回升至15亿~20亿元新台币之间。

此外，劲永由于6月营收表现优于预期，合并营收达25亿元新台币，整体基期拉高，加上日前受到NAND闪存缺货的影响，部分订单无法如期出货，预计7月营收可能无法如期成长，会较6月小幅减少，然第三季度成长的趋势没有改变。

整体而言，内存模组厂商7月的业绩在步入传统旺季之际，已打了一剂强心针，且以毛利率来看，受到NAND闪存缺货影响，第三季度毛利率提升的幅度应该会更明显。

存储时代     2007-7-31

闪存的合约价格在7月下半月继续上涨，不过目前涨势已经逐渐减缓。DRAM厂商预计第三季度价格将轻微上涨，同时出货量也大幅提升了。同时，NAND目前价格也呈现上升趋势，这主要得益于闪存应用范围的不断拓展。

DRAM报价一片涨声

根据内存交易机构DRAMeXchange（集邦电子）的数据，在7月上半月，512Mb DDR2芯片的合约价格上涨了20%以上，不过7月下半月的上涨幅度回落到了3%。

DRAMeXchange表示，目前一些PC OEM厂商向DRAM厂商索要报价的次数从两次减到了一次，因此在上半月提升了报价之后，下半月的涨幅开始变小。

此外，DRAMeXchange估计在10月和11月的旺季，PC的出货量将会大涨，同时全年的增长率将达到12%，而市场调研机构iSuppli估计，2007年全球PC的出货量年增长率为11.2%，和先前预计的数据基本符合。笔记本将会成为重要的推动力，同时台式机的增长也相当可观，同时每台计算机所搭载的内存容量也在增加。

供应端方面，在2007年剩下的时间里出产将会逐渐增加，之前只有海力士半导体（Hynix Semiconductor）产能从DRAM转到了NAND。某些分销商和模组产商在6月之前囤积了大量的DRAM，希望在市场状况好转之后再进行出售，以补回第二季度时的损失。某些DRAM生产商也在增加库存量，DRAMeXchange指出，这些都是影响内存价格上涨的潜在因素，该机构估计，2007年下半年，512Mb和1Gb DDR2的价格将会分别稳定在2.20~2.50美元和4.50~5.00美元。

三星电子（Samsung Electronics）刚刚宣布了第二季度的运营表现，预计在第三季度DRAM的平均售价（ASPs）将会增长20%，2007年内出货的计算机内存搭载容量将超过1.4GB。尔必达内存（Elpida Memory）估计DRAM的平均售价将会在2.5美元左右，某些DRAM生产商已经减少了资本支出，而转入80/70nm制程并不顺利，同时PC OEM厂商计划让50%的出货量搭载2GB的内存。

NAND闪存需求前途光明

根据DRAMeXchange的数据，MLC（多级单元，Multi-Level Cell）芯片引领着NAND闪存的价格持续上涨，不过和DRAM非常相似，其上涨势头也在减弱。

DRAMeXchange指出，低容量SLC（单级单元，Single-Level Cell ）芯片的短缺是过去的三个月NAND价格快速上涨的主要原因，而最近价格的上涨则是因为60/50nm制程转换不顺而导致产出减少，而且某些芯片厂商在短期内还无法恢复先前的产量。

苹果（ Apple）刚刚公布了财政报告，iPhone的销售数据要低于预期，DRAMeXchange认为，iPod和iPhone对NAND闪存的需求使得非苹果客户遭受了压制，这也促使NAND的价格上涨——苹果目前在2008年售出1000万台iPhone。

三星作为苹果的主要芯片供应商之一，在推出容量为1GB~8GB的新型NAND闪存产品之后，重新修订全年NAND闪存出货量位增长（bit growth）率，从先前的110%提升到了130%，可用于音乐手机和32/64GB的SSD（Solid-state-Drives）。

PConline   2007/07/31

　在iPhone的带动下，NAND闪存市场近期一片大好，国内的晶元代工大厂中芯国际也抵制不住NAND闪存市场的诱惑，在近期宣布，下半年将开始量产2Gb NAND闪存颗粒并已经投入8Gb NAND闪存颗粒的研发，预计明年将成为全球重要的NAND闪存颗粒供应厂之一。

受到今年Q2内存价格崩盘以及0.13微米制程代工竞争激烈影响，国内晶元代工大厂中芯国籍Q2营收出现约200万美元左右的税后亏损。做为晶元代工大厂，目前中芯国际主要在为尔必达(Elpida)和奇梦达(Qimonda)两家内存颗粒大厂代工，为了达成全年获利目标，中芯将降低内存颗粒营收比重，在尔必达和奇梦达要求下，中芯在年底前会进行内存颗粒制造工艺微缩工程。

来源：中时电子报

       虽然DRAM、模块厂商第二季受制报价重挫以及汇兑损失压力，导致第二季获利多为衰退状态，惟模块龙头创见（2451）因拉高FLASH比重，搭配全球营销策略奏效，第二季毛利率逆势攀扬达10.9％；上半年营业利益年增率高达92％，税前盈余比去年同期大幅跃升76％，每股税前盈余5.54元。

       与模块厂同业相较，创见蝉联上半年营收、毛利率及EPS三冠王。

       据了解，在Nand Flash与DRAM需求持续向上的趋势不变下，创见可望维持高成长的动能。

       法人推估下半年营收约二○％以上增长，全年毛利率有机会重回往例的12％水平，年度每股税前盈余上看12元。

       创见第一季因本业持稳，且业外汇兑收益挹注，表现优于市场预期。

       第二季再度受惠全球营销策略奏效，单季毛利率水平顺利站回二位数，单季本业获利比去年同期大幅提升59％，烘托第二季每股税前盈余达2.46元。

        创见上、下半年营运比重向来约为四比六；伴随下半年DRAM、FLASH行情同步看俏之际，有利海外销售与品牌策略奏效，激励全球市占率更上层楼。

        创见台湾厂有七条SMT线，月产能250万片，上海厂现为八条SMT线，最大月产能400万片；创见预计第四季于上海厂再扩增四条SMT线，产能将再增加200万片。第二期扩厂将在明年四月完工，第二季增加四条生产线；届时，大陆月产能提升至800万片。

来源：巨亨网

NB产业在旺季效应带动下，下半年前景看好。高盛证券亚洲科技产业研究部主管金文衡表示，第 3季只要零组件供应无虞，一线NB代工厂的出货成长可望比上一季增加 20%，并点名纬创(3231-TW下单)和仁宝(2324-TW)，列为NB代工厂的首选。

金文衡认为，第 3季需求畅旺，在零组件供应无虞的前提下，NB出货量将会超出预期。因此，将一线NB代工厂2007年的出货预估，由原本的7620万台上修到7790万台；2008年则是由原来的9670万台，上看到9750万台。

各家NB代工厂为了抢单，价格下杀严重，导致毛利受到挤压，金文衡指出，纬创和仁宝是这波价格战中，较不激进的厂商，因此，明年获利可望比对手来的高。

而受到市场版图扩张的激励，金文衡也预期纬创和仁宝明年的营收成长将会向上攀升，尤其是纬创，在宏碁 (2353-TW)、Dell (DELL-US；戴尔)和 HP(HPQ-US；惠普)的加持下，第3季有机会在一线NB代工厂中脱颖而出。

至于NB国际大厂近期将敲定明年的代工订单，先前传出 Dell转单造成冲击的广达(2382-TW)，上周却杀出重围，拿下HP和Dell大单，明年可望继续稳坐NB代工一哥。

因此，高盛证券将广达明年的出货预估，由原来的3100万台，上修到3400万台，远远胜过仁宝的2800万台和纬创的1760万台。但金文衡也表示，明年广达的出货成长和获利表现，相较于其它对手，仍是较为疲弱。

而日系计算机大厂Toshiba(6502-JP；东芝)销售佳，今年 NB出货目标上看 1000万台，金文衡指出，英业达(2356-TW)挟着价格优势，可望分食仁宝明年的Toshiba大单。

金文衡也提醒，尽管整体NB代工产业前景看好，但零组件供货短缺的情形和终端市场需求是否如预期强劲，将是值得关注的焦点。

来源：中时电子报

        近年对DRAM市场布局转趋积极、与台湾力晶（5346）展开结盟的日本DRAM大厂尔必达（Elpida）指出，五月中旬PC用主要DRAM产品DDR2的报价曾一度跌破2美元，六月中旬才开始回升，以致四至六月DRAM产品的平均售价下滑35％，在整体出货量年增13％情况下，当季营收下滑24.1％。

       尔必达认为，七至九月DRAM报价将维持在2.5美元附近或以上的可能性极大，约较第二季上涨5％至10％，主要因各厂暂缓对DRAM设备投资、产能转换为闪存等因素所致。

       尔必达规划，二○○七年度（二○○七年四至二○○八年三月）设备投资额仍将维持1300亿日圆不变，十二月拟将广岛E300 十二吋厂产能自六月的8.2万片提升为9.5万片，七○奈米产品比率则由30％提高至75％。

        分析师指出，依照七月份DRAM行情走势，DRAM厂商单月营收可望持续展现复苏力道，惟南亚科、华亚科因合约报价调涨及新增产能，增长空间可望较为领先，其次为茂德及力晶。

        科技市调机构iSuppli 最新报告指出，拜全球前五大DRAM厂商（三星电子、Hynix、奇梦达、尔必达与美光）均决定在第三季降低产能、需求开始改善之赐，预料下半年整体市况可望止稳。

        此外，台湾供货商目前正面临转换至八○奈米以下制程的问题，这也是导致第三季DRAM产量位成长率可望减缓的原因之一。

        力晶正处制程移转，产出将略有下滑，单季Bit Growth仅10％，第四季70nm量产出笼以及瑞晶（Rexchip）产能开出成长幅度较高。

新闻来源：商品行情网

来源：联合新闻网

DRAM下半年行情看涨，本土DRAM 厂积极扩产。力晶（5346）与日本最大DRAM厂尔必达（Elpida）合资兴建的瑞晶已正式投片，年底月产能可达第一阶段3万片规模，启动此波台湾DRAM厂扩产列车。

尔必达估算，力晶目前月产能约11万片，年底前可达13万片，瑞晶年底前也有3万片的产出，统计尔必达、力晶、瑞晶年底月产能可达25万片，全球市占率超过三成，成为全球最大DRAM厂。

除瑞晶外，南科（2408）、华亚科（3474）、茂德（5387）、华邦电（2344）也都抢搭此波扩产列车。南科（2408）自有的第一座12吋厂8月底试产，11月正式以70奈米制程以每月数千片小量产出，明年第一季末月产能可达3万片。华亚科（3474）二厂目前月产能将近3万片，第三季末可拉升至全产能每月6万片运作，较原规划提早约一季，两座厂年底月产能合计达12万片。

华邦电中科12吋厂也正展开第二阶段扩产计划，董事会已通过投资约42亿元，本季末将再追加约400亿元资金购置机台，扩产完毕后，总月产能将由现阶段的2.4万片，倍增至4.8万片。

瑞晶主管透露，瑞晶已完成第一阶段月产能3万片量产机台建制，估计今年总产出可达5万片，明年上半年可以全产能每月6万片运作。瑞晶顺利量产，直接挹注力晶扩充产能，力晶估计，在瑞晶量产效益下，本季位成长率可达10%。

来源：联合新闻网

晶豪科（3006）近期锁定大陆通讯市场，积极布局NAND型及NOR型闪存（Flash）领域，已初步掌握并生产低容量Flash产品，陆续推出32M序列型（Parallel及Serial）闪存，并与上海中芯连手开发1G以上高容量NAND型闪存，下半年闪存业绩贡献可期。

外资法人指出，晶豪科除了推出Parallel及Serial NOR型Flash外，也积极开发1G NAND型闪存，依目前进度，下半年成果将逐渐展现。据了解，晶豪科的技术来源以自行研发为主，型态与日系厂商相似。

晶豪科目前单月营收已站上5亿元以上，下半年在通讯MCP及闪存产品线加入下，营收并不看淡。据了解，晶豪科闪存产品初期将以大陆白牌手机市场为主，委托上海中芯代工生产，双方进行研发与生产合作。

值得注意的是，上海中芯集成电路也宣布，下半年将展开2G NAND型闪存投产，并积极进入8G NAND型产品研发，预期明年将成为主要的NAND型闪存供货商。