Archive - 七月 28, 2007

来源：驱动之家  2007.07.28

受DRAM内存芯片价格持续下滑的影响，全球各大内存厂商的经营业绩几乎全部愁云惨淡，收入也纷纷大幅缩水。

据DRAMeXchange统计，512Mb DDR2 DRAM内存芯片的价格在第二季度下降了40％以上，导致全球销售收入相比第一季度减少24.4％。尽管如此，DRAM内存厂商还是成功扩大了12寸晶圆的产量，并成功转入70nm工艺，总体销量也比第一季度增长了23％。

在全球十大DRAM内存芯片制造商中，只有钰创科技(Etron)实现了11.5％的增收，排名也从第十升至第九，其它厂商则无一例外都是负增长，其中力晶(PowerChip)的幅度高达47.6％。

就市场份额而言，三星进一步巩固了自己的领先地位，则平均售价下跌40-50％、收入减少12.8％、出货量增加31％的基础上又获得了3.6个百分点的份额，目前已达27.2％，而第二的Hynix从22.7％降到了20.9％。

来源：经济日报   2007.07.28   记者何易霖／台北报导

集邦科技（DRAMeXchange）昨（27）日公布全球第二季DRAM厂排名，韩国三星以市占率27.2%的市占率，持续坐稳龙头宝座。

台湾主要DRAM芯片制造商中，南科（2408）以4.2%的市占率排名第六，表现最佳；力晶（5346）、茂德（5387）则分别以3.4%与3.2%的市占率，排名第七与第八。

以各区域的DRAM品牌厂商销售额排名来看，韩系厂商市占率合计达48.2%，较第一季攀升。台系厂商市占率13.7%，较首季的16.4%下滑。

台湾业者与国外厂商联盟与三星抗衡的效益持续发酵，其中「茂德-海力士联盟」第二季市占率达24.1%，与三星的差距仅在三个百分点左右，屈居第二；「南科-奇梦达（Qimonda）」与「力晶-尔必达（Elpida）联盟」联盟，则分别以17.8%及15.8%的市占率，分居三、四名。

相较于第一季三星与海力士（Hynix）争夺龙头战况激烈，市占差距不到五个百分比，最后由三星险胜保住龙头地位的紧张战况，三星第二季起意识到海力士威胁，持续增加DRAM投片数量，并且积极拉高80奈米以下制程投片比重达50%以上，使得第二季位成长率高达31%，与海力士在第二季的市占差距再度扩大到五个百分点以上。

集邦表示，第二季全球DRAM品牌厂商销售额较首季衰退24.4%，主要受到DRAM价格大跌超过四成影响，不过大多数DRAM厂商仍依照年初的资本支出计划，继续扩充12寸产能及提升制程技术，使得第二季产业的位成长仍有23%水平。

集邦预估，在制程转进70奈米后，加上新产能持续开出，今年全球DRAM产业位成长率将高达90%以上水平。

来源： 路透东京  200.07.28

日本Sony<6758>正考虑委托台湾台积电<2330>代工45奈米(纳米)或更先进制程的微芯片.

报导指出,台积电的系统芯片产量是Sony的10倍,若委托台积电代工,Sony将可大幅节省高阶微芯片的生产成本.

Sony在2月时曾表示,暂定计划在2009年初前开始45奈米芯片的商业生产,而且可能不会自行生产.

来源：工商时报  2007.07.28  李纯君、彭暄贻/台北报导

集邦最新调查数据出炉，受到内存价格暴跌影响，今年第二季全球DRAM品牌厂商销售额较第一季下滑超过二成，但特别的是，三星市占重回27％，除力保DRAM市场龙头宝座，也拉开与海力士的距离。

相较今年第一季，DDR2报价大跌四成，导致全球DRAM产业第二季产值大幅下降，以个别公司来说，三星由于在第一季感受到海力士紧追在后，因此在产能配置上仍持续增加DRAM投片数量，并积极拉高80以下奈米制程的投片比重达五成以上，因此使得第二季位成长率高达31％，另外在利基型内存方面，比重也提高将近至五成。

由于三星持续增加内存的投片数量，加上透过提高单价相对稳定的利基性内存产出比重，让DRAM总销售额下滑幅度仅达12.8％。反观海力士，第二季位成长率仅21％，标准型DRAM投产比重偏高，在平均售价下跌达四三％的拖累下，营收衰退幅度达三成，虽仍稳居全球第二名宝座，但与三星的距离又被重新拉开。

若以各区域的DRAM品牌厂商销售额排名，韩系厂商市占率近五成，市占率相较今年第一季持续攀升，其次为台系厂商市占率13.7％，但相较第一季超过16％的市占出现下滑趋势，而台系厂商除了第二季新增的产出数量减缓之外，产品集中于标准型内存使得平均售价下滑幅度达四成以上，也是造成台系厂商自有品牌销售额市占率大幅下滑的原因。

以各策略联盟厂商市占率观察，今年第二季三星市占率重新回升至27％，却相对压缩到各家竞争对手的市占率，至于第二季大多数DRAM厂商位成长率多半在二成之上，但是由于产品别过于集中在标准型内存，使得平均售价跌幅达四成以上，因此造成营收大幅度下滑。

来源：工商时报  2007.07.28　 涂志豪/台北报导

受到第二季DRAM价格崩跌约四成，以及○．一三微米以下先进制程激烈的降价竞争等影响，上海晶圆代工大厂中芯国际第二季营收较首季小幅下滑三．五％，并出现约二百万美元左右的税后亏损。至于第三季营运展望部份，中芯认为手机相关芯片转强，电源管理及多媒体芯片需求上扬，本季营收应可较成长二％至五％。

虽然中芯定位在晶圆代工厂，DRAM产品主要是为尔必达（Elpida）及奇梦达（Qimonda）二家国际大厂代工，但因DRAM占营收比重约在三成左右，所以第二季DRAM价格重跌约三成，中芯也间接受到冲击。中芯国际总执行长张汝京表示，DRAM价格下跌的确是造成中芯第二季营收下滑重要原因。

虽然台积电表示，第三季在绘图芯片、芯片组等计算机相关芯片订单强劲回流下，营收可成长一三％至一六％，但中芯因本身产品结构中，扣除DRAM后的计算机相关芯片比重并不高，所以中芯对第三季的展望并不如市场预期。

为达到全年获利目标，中芯表示将降低DRAM占营收比重，而在尔必达及奇梦达等二大客户要求下，中芯年底前也会进行DRAM制程微缩工程。此外，中芯昨日宣布，下半年就会开始量产二Gb NAND闪存，中芯也开始投入八Gb NAND芯片的研发，预期明年后成为全球重要NAND供货商之一。

来源：工商时报   2007.07.28　 涂志豪/台北报导

日本整合组件制造大厂新力（Sony），已经正式评估将四五奈米以下先进制程芯片，委由台积电代工。新力过去主要芯片均在自有十二寸厂及八寸厂中生产，但随着制程技术微缩至四○奈米及三○奈米以下，技术开发及生产制造费用需投入数千亿日圆资本支出，为了降低成本，根据日本外电报导，新力已开始评估四五奈米委外代工的可行性。业内评估，若新力正式下单，台积电将有机会获得PS3游戏机核心逻辑芯片代工订单。

由于先进制程微缩至六五奈米以下，技术研发及设备投资金额已愈来愈高，所以包括飞思卡尔（Freescale）、德仪、意法半导体（STMicro）、恩智浦（NXP）等欧美主要IDM厂，已决定执行资产轻减（asset-lite）计划，包括与晶圆代工厂合作研发四五奈米以下制程技术，并扩大先进制程委外代工。

日本IDM厂虽然在过去几年已陆续关闭出售或缩减本身旧有晶圆厂或封测厂，但对于四五奈米以下先进制程的投资，直到近期才有合作开发计划，如东芝、NEC、富士通等已组成制程共同开发联盟，瑞萨科技（Renesas）及松下电气产业（Matsushita）也自成联盟，只剩下新力还未表态是否加入其它联盟。然据日本外电报导，新力已评估与晶圆代工厂的合作计划，有意将四五奈米以下芯片委由台积电代工。

事实上，新力在今年二月中旬举行的战略说明会中，负责半导体事业的新力执行役副社长中川裕就表示，新力已决定转向资产轻减的策略方向，会将投资集中在最具竞争力的领域，如CCD或CMOS影像传感器芯片等。当时新力就曾表示，目前PS3的中央处理器Cell除了在自有长崎十二寸厂中以六五奈米投产外，也委由IBM代工，不过明年下半年Cell芯片微缩至四五奈米以下后，就不排除扩大委外代工。

当时市场认为，新力宣示要扩大委外代工，可能会集中下单至IBM，但现在则传出，台积电亦会是重要委外代工合作伙伴。国内半导体业者就透露，新力其实已将部份六五奈米数字相机特殊应用芯片（ASIC）委由创意电子设计，并小量在台积电投片生产，所以新力未来委由台积电代工四五奈米以下芯片，并不是无迹可循，若新力在下半年或明年上旬，决定要与台积电建立合作关系，则台积电当然可顺理成章取得PS3等核心逻辑芯片代工订单。

来源：中央社  2007.07.28