Archive - 七月 27, 2007

来源：联合新闻网

鉴于内存价格波动剧烈，国内存储器封测龙头大厂力成（6239）宣布投入6亿到10亿元，进军逻辑IC封装市场，要与日月光（2311）、硅品（2325）等大厂一较高下，全球封测业竞争态势将升温。力成董座蔡笃恭表示，目前正备料、设置产线，预计明年大量投产，初期专攻手机及QFN（扁平式无引脚）封装市场。

力成昨（26）日举行法说会，蔡笃恭表示，乐观看待下半年内存封测市场景气；力成大股东、并为全球最大内存模块厂商的金士顿创办人孙戴维罕见的出席力成法说会，他表示，只要有大厂制程转换出现问题，价格就会上扬，NAND型Flash绝对会「缺货」，行情明年看好。

蔡笃恭认为，DRAM价格已触底回温、Flash市场需求持续强劲，力成下半年营运将一季比一季好，第三季营收可较第二季成长5%到10%，第四季再较第三季成长5%到10%。力成7月营收较6月成长，将再创单月历史新高纪录，9月营收可突破20亿元大关。

孙戴维昨出席力成法说会，让市场先前揣测金士顿自力成抽单、转单至华泰（2369）的谣言不攻自破。孙戴维强调，金士顿不会对力成抽单，参与华泰私募纯粹是「友情赞助」，与当年投资力成的模式不可相提并论。

但受大盘短多获利卖压回吐影响，力成昨日股价开高走低，终场大跌6元，收在161.5元，成交量近6,200张。

金士顿是全球最大内存模块厂，孙戴维昨日表示，DRAM最「坏」的时期已过去，下半年行情审慎乐观，尤其只要有大厂制程转换出现问题，价格就会上扬；Flash的应用市场不断成长，举凡SSD（固态硬盘）、i-Phone等牵动市场对Flash需求大增，NAND型Flash绝对会「缺货」，Flash行情明年看好。

力成第二季营收55.89亿元、毛利率30.5%、营业利益15.52亿元、税前盈余15.09亿元、税后纯益14.03亿元，较首季下滑3.2%，单季每股税后纯益2.98元，合乎市场预期。

来源：路透社

韩国海力士半导体<000660>周五表示,其动态随机存取内存(DRAM)平均售价在第二季大跌43%,降幅高于上季的下滑27%.

海力士在声明中表示,NAND闪存(闪存)芯片价格在第二季上扬25%,上季则为下滑44%.(完)

来源：巨亨网 

全球第 2大内存芯片制造商Hynix SemiconductorInc.(000660-US) 27日公布第 2季财报，由于DRAM价格大跌，净利较去年同期衰退 36%。中国大陆最大晶圆代工厂中芯国际 (0981-HK；SMI-US)第 2季也是受到DRAM市场的压力，由盈转亏，净损达 205万美元。

Hynix第2季净利降至2090亿韩元(2.26亿美元)，去年同期获利3240亿韩元。营业获利衰退 87%至 420亿韩元，营收成长 23%至 1.942兆韩元。(1美元兑922韩元)

Hynix 表示：「虽然需求成长，价格回稳，但第 2季市场仍过度供给。」公司第 2季DRAM平均售价较第 1季下跌 43%，但出货成长 21%。NAND闪存(flash)第 2季价格上涨 25%。

公司预期第 3季DRAM价格应可较第 2季上扬5%左右，出货则成长约 15%。NAND因公司计划扩张产能，第 3季价格预期会下跌。

中芯国际第 2季亏损 205万美元或每股 1美分，去年同期获利 136万美元或每股 1美分。营收成长3.7%至3.748亿美元。

去年第 2季有1890万美元的退税，但今年退税锐减至 160万美元。

尽管DRAM价格持续面临压力，中芯表示，行动电话需求正在成长，而且电源管理芯片和消费电子产品的需求很强劲。

中芯第 2季90奈米制程的晶圆比重已升至 22%，高于第 1季的 14%和去年同期的1%以内。

国际电子商情  2007年07月26日 

据DRAMeXchange发表的一份报告，在向更先进的NAND闪存制造工艺过渡过程中出现的生产问题，已导致产量低于预期。另外，由于iPhone和iPod预计将消耗大量闪存芯片，市场已开始担心闪存会出现短缺。

从第二季度开始，NAND闪存厂商已经开始生产基于更薄电路的芯片。但是，由于该技术并未完全成熟，因此目前的产能达不到当初的生产计划。

在过去三个月里，NAND闪存的现货价格和合同价格快速上涨。DRAMeXchange认为，价格上涨归因于向更先进生产工艺过渡过程中产生的问题。

据DRAMeXchange的数据，第三季度iPod和iPhone将大约用掉全球25%的NAND闪存。由于相当一部分产能分配给了苹果以满足下半年的预期需求，许多下游厂商一直无法获得充足的闪存芯片。DRAMeXchange表示，25%的产能分配给苹果，还将导致市场供应更加紧张，可能进一步刺激价格上涨。

另外，由于许多下游厂商开始为圣诞节销售季节囤积库存，预计第三季度会出现闪存芯片短缺。DRAMeXchange表示，闪存制造商可能大概需要两到三个季度才能把成品率提高到较高水平，因此闪存价格预计会继续上升。

DIGITIMES    2007/07/27

　 小型记忆卡的应用市场从早期的数码相机为主，近年来逐渐拓展至手机、PDA、GPS卫星导航等可携式电子产品。尤其随著多媒体手机愈来愈普及，影音功能愈来愈强大，在庞大的资料储存需求之下，更加速了记忆卡市场需求的快速成长。

另一方面，记忆卡的规格发展除了配合可携式电子产品轻薄短小的趋势演进之外，多媒体的应用亦使得记忆卡的记忆容量需求愈来愈大。因此在记忆卡体积愈来愈小、记忆容量愈来愈大之下，记忆卡的组装产生了结构性的改变。

生产方式变革 开启封测厂获利新契机

以SD系列的记忆卡为例，早期SD卡的组装系采用TSOP或WSOP封装成型的Flash芯片，以SMT的方式置于记忆卡的电路基板，再利用超音波等方式将上下两片外壳接合而成卡体。此种组装方式一般存储器模块厂均可自行生产，或者外包给专业SMT代工厂。

然而演进至microSD卡时，由于记忆卡体积大幅缩小，加上高容量的需求，使得microSD卡必须采用Flash裸晶，并以COB(Chip on Board)的方式直接黏合(bonding)至基板，甚至因容量需求而必须磨薄并堆叠Flash芯片，另外并置入控制IC、被动元件等零组件，然后再以半导体封装的压模(molding)制程密封，最后施以滚轮、雷射或水刀切割方式完成卡体。

然而前述制程属于半导体层级的多芯片封装(MCP)或系统级封装(SIP)的一种，并非模块厂所熟悉擅长的技术领域，必须仰赖专业IC封测厂才能完成，因此模块厂或记忆卡品牌业者不得不将记忆卡的生产转包给封测厂代工。在庞大市场需求之下，自然吸引了国内IC封测厂竞相投入记忆卡封测的代工行列。

目前国内IC封测厂跨足记忆卡封测业务的业者有矽品、华泰、胜开、力成、典范、菱生、华东等封测业老将。其中矽品在记忆卡COB封测的产能位居国内第一，主要客户包括新帝(SanDisk)与三星电子(Samsung Electronics)；华泰的产能目前居次，主要客户为存储器模块大厂。另外在专业记忆卡代工厂方面，除了较早进入记忆卡代工业务的友昱与硕达之外，新进的坤远、群丰等业界新秀，亦挟著模块厂策略投资的优势，积极抢进分食市场大饼。

除了前述已投产的厂商之外，即将投入记忆卡封测市场的IC封测厂商尚包括联测、福懋科等业者。就连以逻辑IC与混讯IC封测为主的龙头日月光，亦与力晶合资成立存储器封测厂日月鸿，除了进军DRAM封测业务之外，并承接Flash与小型记忆卡封测订单，使得记忆卡封测市场的竞争张力更加紧绷。

市场竞争者众 富爸爸等于获利保证？

存储器模块厂与记忆卡品牌业者为了确保封测产能与质量稳定性，不乏策略投资记忆卡封测代工厂的例子，如金士顿与力成的策略合作关系；京元电、联电与威刚合资成立的坤远；群联、美商PNY、宇瞻、铼德等合资成立的群丰；创见投资典范…等，这些上下游之间的策略联盟与投资关系，正好符合国内电子产业近年来流行的「富爸爸」概念。

「富爸爸」概念目前已是电子产业经营的获利捷径，这种模式在IC封测产业亦早已有成功的先例，并已成为业者竞相模仿的趋势。业者指出，透过引进下游模块厂客户成为股东，虽然无法保证在市场竞争上具有绝对的优势，但不可讳言地，对于订单来源的稳定，将产生不小的助益。

值得观察与注意的是自2005年起，国际NAND Flash大厂直接供应记忆卡成卡的动作频频，甚至一度祭出记忆卡成卡价格低于Flash晶圆(wafer)的策略。业者表示，未来若Flash大厂直接供应成卡渐成趋势，影响所及将排挤Flash的wafer供应量，使得生产microSD卡的wafer货源减少。

所谓「巧妇难为无米之炊」，在wafer供给不足的情形之下，无论是对于模块厂或记忆卡封测厂而言，即使策略联盟关系再紧密，如果没有获得国际Flash大厂的wafer支持，模块厂只能沦为记忆卡成卡的通路买卖，而记忆卡封测厂亦将面临产能闲置的隐忧。

记忆卡封测价格厮杀激烈 产品良率成重要关键

除了wafer供应不足的问题之外，现阶段记忆卡封测市场虽然需求持续增加，但在竞争激烈的环境之下，封测代工价格亦出现下滑走势。另外，在记忆卡容量愈来愈高之下，记忆卡的生产制造亦将面临技术瓶颈。业者在抢进市场之余，更应思索如何提升产品良率，并进一步降低生产成本，以期在竞争激烈的产业环境中脱颖而出。

据了解，记忆卡封测的价格从2006年的1.5美元，目前单位平均报价已滑落至1美元左右，甚至有业者喊出0.8美元以下的价位。当然，接单价格会依接单量与客户而不同，单一个案的报价并不能视为整体市场的价位水平，但是以目前市场的供需状况来看，记忆卡封测价格向下的趋势将是无可避免的。

面对价格的竞争，生产成本就成为胜出的重要关键，而影响生产成本的因素相当多，其中以产品良率最为关键。业者表示，记忆卡封测有许多技术瓶颈，包括芯片堆叠技术、压模、microSD不规则外型的切角等，这些都关系著产品的良率。为了解决前述制程的复杂度，目前已有业者开发出先以molding方式完成卡体外壳，完成COB制程之后，再将上下2片外壳密封，省去切割导角的制程，大幅缩短制程时间及设备投资成本。

而在堆叠技术方面，随著记忆卡容量愈高，Flash芯片堆叠的层数也愈多，但良率却会随著堆叠层数愈来愈低。例如2颗Flash芯片堆叠的良率可达99%，但高阶4颗芯片以上的堆叠良率则可能低于95%；不过业者指出，高阶产品的单价较一般产品高出不少幅度，若良率可达一定水平，还是会积极发展高阶产品，以获取更高的利润。因此如何提升多层Flash堆叠的产品良率，已成为业者的努力重点。

国际大厂主导规格 台厂专利布局不可轻忽

目前全球小型记忆卡产业龙头非新帝(Sandisk)莫属，新帝在规格制定与专利权方面掌握绝对的优势，尤其目前小型记忆卡一面倒地朝向SD阵营的microSD卡发展，更使得新帝在小型记忆卡市场的地位难以撼动。对于台系记忆卡模块业者或品牌商而言，新帝产业一哥的地位并不会构成直接的威胁，但在专利权方面却让台系记忆卡业者感觉到压力不小。

业者表示，由于记忆卡业者必须每年向SD协会申报SD卡销售数量与金额，并支付6%的权利金，在目前产业高度竞争的环境之下，业者利润将愈来愈低，因此销售额6%的权利金，将吃掉业者不少的毛利。虽然目前权利金的申报与缴交并未真正彻底统计、落实申报，但未来待台系记忆卡业者实力坐大之后，将成为不可轻忽的隐忧。

影响所及，台系模块业者与记忆卡封测业者亦纷纷发展并申请自有的技术专利。然而从记忆卡封测厂的角度来看，由于目前各封测业者的制程大致相同，因此未来封测技术的专利权之争亦将逐渐浮上台面，预料专利保护战亦将向上游延烧至记忆卡封测厂，业者更应积极布局专利技术，以便于在未来的专利大战中，获得更多的谈判筹码。

国际电子商情   2007年07月27日 

欧洲最大芯片制造商意法半导体(ST)日前公布第二季度大幅亏损，因其把闪存业务分拆到了一家合资企业之中并由此产生了大笔支出。营业额低于去年同期但高于今年第一季度，受到无线和数字消费市场的强力支撑。

该公司公布，第二季净亏损为7.58亿美元，而去年同期为盈利1.68亿美元。

营业收入比第一季度增长6%，但比2006年第二季度下降3%，为24.2亿美元，与Thomson Financials访问的分析师的预估相符。去年第二季度营业收入为24.9亿美元。

意法半导体第二季度陷入亏损，主要是因为与资产减值相关的费用和重组费用高达9.06亿美元，这导致其第二季度营业亏损7.72亿美元，而2006年第二季度营业利润为1.69亿美元。

意法的总裁兼首席执行官Carlo Bozotti在声明中表示：“从营业角度来看，在无线和数字消费市场的带动下，意法半导体营业收入环比增长，具体展示了我们提高销售的能力，而且我们相信，将扩大市场份额。”

意法半导体在第二季度提列的一次性支出细目显示，把闪存业务划入Numonyx相关的费用为8.57亿美元。Numonyx是意法半导体、英特尔和私募股权投资公司Francisco Partners在5月设立的新公司。

意法半导体还公布，在以前宣布的900万美元重组费用基础上，又为正在进行的重组提供了4,000万美元的费用。

DIGITIMES    2007/07/27

　 台积电总执行长蔡力行26日首度明言，台积电全力发展具高附加价值、成本竞争力的SiP(System in Package)封测，他更信心地喊出要将转投资公司精材打造成「一流后段公司」！这是台积电首度以「富爸爸」身分公开畅谈封测转投资，亦代表既有台面上封测业者要等著接招了。此外，蔡力行亦指出，45奈米制程技术代工CPU将在2007年产生业绩贡献，间接证实台积电与超微(AMD)已达成合作协议。

台积电第2季来自先进制程0.13微米以下占营收比重约53%，其中90奈米制程占26%、65奈米制程则接近3%，45奈米制程9月将量产。蔡力行谈起技术领先相当具信心，并表示客户也很有信心，2007年起台积电45奈米High-K/Metal Gate将跨入入门级PC CPU代工，对下半年营收产生贡献，由于台积电与超微合作风声不断，蔡力行此言则间接证实双方确有合作。

蔡力行更首次畅谈对台积电跨足封测的期待，他说，台积电是精材最大法人股东，持有精材逾50%股分(另一大股东是美商豪威)，投资精材属于台积电策略性跨足后段封测布局，相信精材必能打造成为世界一流后段封测厂，并带给台积电及客户相当高附加价值及很好的成本竞争力。

蔡力行说，精材所主攻封测是晶圆级封装(Wafer level)，相当具有成本优势，同时芯片尺寸覆晶封装(Flip Chip CSP)表现也很不错，希望精材能成功，让未来台积电许多客户能很放心地与精材合作。他观察到，确实很多客户见到这点正往这个方向走，精材的生意已相当不错。目前精材董事长由台积电前研发资深副总蒋尚义担任。

事实上，台积电内部已成立SiP部门并耕耘封测技术多时，同时已于2007年跨入65奈米制程覆晶封装，预计2008年进一步跨入45奈米制程封装。而台积电首次在财报中把对精材资本支出台面化，并且不避讳与精材的转投资策略布局关系，另起炉灶，亦让台积电不满足于与既有封测伙伴合作关系传言明朗化。

而台积电对于精材「一流后段」的期待，亦将是继台积电转投资创意设计服务之后，最具代表性的转投资。台积电已转投资布局进行垂直整合，包括设计服务、后段封测，让台积电逐渐走向集团化，足以与一应俱全的整合元件厂(IDM)互别苗头。

来源：科技投资网

被动组件大厂华新科(2492)不改对今年展望的乐观看法，总经理朱有义指出，今年华新科整体将成长3成，而因下半年游戏机量较上半年好；PC、NB今年产业年增率高于20%，客户订单大增；手机则因打入大陆联想供应炼、且韩国LG订单增加，因此下半年将较上半年大幅成长，7月就可以看到营收大幅增加。

由于今年上半年华新科主要供应的微软XBOX订单表现并不佳，朱有义表示，华新科占微软供货比1/3，XBOX第1、2季出货不如预期，第3季已见升温，预估第4季量还会放大。

至于日本SONY PS2方面，华新科仍持续出货，PS3部分虽仍以日系零组件为主，但华新科已通过认证，有机会争取未来释出的订单；不过由于华新科合并日商Kamaya后，Kamaya对PS3芯片电阻的供货比达4成，朱有义认为，日前PS3宣布将降价刺激买气，将有利Kamaya相关效益在8月显现。

而任天堂Wii部份，目前仅Kamaya在电阻方面供给任天堂Wii达到6至7成的营收比重；而华新科MLCC则已透过OEM厂通过认证，但在任天堂未释出订单予台商前，华新科并无出货机会。

另外，笔记型计算机产业进入第3季旺季，华新科技已导入(Design-in)台系大厂仁宝(2324)和、广达(2382)产品规格内，因此预估电阻及电容的产品出货量持续放大。而主机板厂商方面，朱有义则强调，在Vista效应下，已看到7月华硕(2357)、鸿海(2317)、技嘉(2376)、微星(2377)和精英(2331)的订单量明显增加。

手机部份，华新科正式打入大陆联想手机供应炼，初期以供应芯片电阻为主，未来的交易将会更密切。而韩国的LG也大量交货，预估下半年手机展望亦乐观。

法人则认为，华新科的日系客户订单产业结构及供需状况有利于产品单价的维持，因此预估今年营收将成长3成，达205亿元，税后盈余将成长近4成，今年每股税前盈余上看4元。

来源：中时电子报

全球最大IC设计大厂美商高通（Qualcomm）昨（廿六）日公布会计年度第三季（四月至六月）财报，由于全球三G手机用户数成长力道远高于市场预期，高通上季度CDMA及WCDMA等三G芯片出货量再创历史新高，达六千五百万颗规模。由于高通预估本季芯片出货最高可冲上六千八百万颗，并调高全年三G用户数至接近四亿人规模，所以高通本季订单已塞爆在台生产线，台积电、日月光、景硕成最大受惠者。

由于三G系统及手机市场已趋成熟，受惠于全球主要手机市场大规模进行三G系统世代交替，高通上季营收及获利均创下新高，连三G芯片出货量也创下历史新高。高通执行长Paul Jacobs在法说会中表示，美国三G用户数已占总市场七六％，欧洲市场三G手机销售则有八九％的年增率，新兴市场印度的三G用户数已冲上四千九百万人，韩国三G手机上半年销售量也较去年同期大增三五％，所以高通调高了今年全球三G手机出货量预估至三．七八亿支至三．九八亿支。

高通看好今年三G手机出货量将较去年大幅成长逾三成幅度，同时看好本季全球三G手机出货量将超过九千万支，本季三G芯片出货量最高预估将上看六千八百万颗。由于高通近期与诺基亚间针对授权金问题争执不下，与博通（Broadcom）间的专利战也打的火热，高通为了维持本身三G芯片市占率，已扩大对台半导体厂下单量，订单可说已塞爆了在台代工生产线。

据设备业者指出，高通第三季晶圆月投片量已较上季增加约一五％至二○％，且主要芯片均已微缩至六五奈米，与台积电间的四五奈米制程微缩也十分顺利，由于高通在今年底及明年初，还要推出逾十款的新芯片，加上第四季一向是高通出货最旺的一季，因此高通在本季末应会再扩大对台积电下单，最乐观情况将是十二吋厂月投片量可逾三万片。

高通在台积电扩大下单，后段封测厂及基板厂接单自然也十分畅旺。高通三G芯片主要采用芯片尺寸覆晶封装（FC-CSP），几乎都委由日月光代工封测，所以日月光本季营收至少会较上季成长约一五％。至于高通独家基板供货商景硕，同样受惠于FC-CSP基板订单大增，本季营收有机会较上季大增约二○％左右。

来源：电子工程专辑

集邦(DRAMeXchange)发表最新闪存市场研究报告指出，七月下旬的NAND Flash合约价，大致呈现持平及部份小涨的状况，而七月上旬多数NAND Flash的合约价已大幅调涨20~30%，反映本月供货吃紧的状况。

集邦分析师指出，此次部份SLC平均价格上涨约5~10%，如同上旬再次反映NAND Flash供货商持续提高MLC产品的比重，而使SLC产品的供给减少使然。一般而言，七至十月为传统NAND Flash下游厂商备料的需求旺季，但在五至七月因NAND Flash主要供货商在新制程的转换上仍处于调整期，使得市场呈现供货不足的现象，预期在八月底制程生产较顺利后，届时NAND Flash市场供货吃紧状况才会获得舒缓。

不过，有鉴于八月份的供货状况仍将略显不足，集邦预期八月份NAND Flash合约价也将呈现持平及部份小涨的状况。