Archive - 七月 26, 2007

ITHOME   2007-07-26

目前的AMD Opteron处理器可支持双信道，每个信道支持4个内存模块，而G3MX可额外增加两个信道，因此内存模块总数可达16个，相当于可以让Opteron服务器达的内存支持达到64GB。

AMD今日（7/25）宣布将开发新的内存技术Socket G3 Memory Extender (G3MX)，为Opteron处理器增加可用内存。

G3MX预计2009年才会问世，这种技术主要是支持JEDEC1的DDR3规格，并增加每一个服务器处理器可用内存。AMD指出，该公司将和IDT与Inphi公司合作开发G3MX技术，而上述两家公司也将会销售G3MX技术的部分零组件。

AMD指出，G3MX将针对的是高阶与部分中阶服务器，透过增加这些系统的可用内存，提高数据库等关键性应用的效能；而提高内存容量后，对于虚拟化效能提升也相当有帮助。

虽然目前多数服务器处理器都已经是64位，理论上支持的内存不再受到4GB的限制，但由于每个内存模块（DIMMs）数量因主机板上的芯片组而有一定限制，因此通常服务器都无法使用到理论上最多的支持内存，而G3MX便是为了解决此问题而开发出的技术。

Opteron产品经理Kishna Weaver指出，目前的AMD Opteron处理器可支持双信道，每个信道支持4个内存模块，而G3MX可额外增加两个信道，因此内存模块总数可达16个。

以目前服务器内存模块每条最高达4GB来计算，相当于可以让Opteron服务器达的内存支持达到64GB。

Kishna Weaver指出，G3MX将随着下一代Opteron平台推出，除了一些4路处理器高阶系统外，还会有一些2路中阶系统也将采用 G3MX。

巨亨网   2007 / 07 / 26

封测厂超级法说今(26)日将由力成 (6239-TW下单)率先登场，摩根士丹利证券科技分析师王安亚表示，日月光(2311-TW)、矽品(2325-TW)和力成，第 2季财报可望达到预期目标，提升目标价为55元、73元和 170元；并预估第 3季营收将分别向上成长达 10-15%、10%和 5-10%，其中又以日月光成长幅度最大。

高盛(亚洲)证券顾问吕东风也点名看好日月光。他认为，日月光的大客户RF Micro Devices (RFMD-US)成长动能强劲，下单大增，预期第 3季日月光将有产能吃紧的现象。

王安亚认为，日月光 9月将发放 1.5元的现金股利，加上低阶制程登陆成功，大陆市场可望成为日月光下个阶段发展重点。此外，台股目前的股价净值比约 2.2倍，相较于2000年的高点，仍有成长空间，可望带动日月光股价持续上涨，甚至有超越矽品的可能。

矽品第 2季营业利益率，王安亚预期将可达到 25%，登上10年来新高；彰化新厂预期在第 4季开出新产能，使获利能力在短期内达到最高。在大陆厂方面，也计划扩充产能规模，预期在 2年后营收成长达到年增率50%，

但王安亚也提醒，明年上路的员工分红配股费用化制度，将使矽品多支出15-20%的净利。

今日举办法说的力成，王安亚预期，内存制程持续维缩，成为力成在第 2季仍可维持31%的毛利率和28%的营业利益率的主要原因。大股东金士顿的加持，力成第 2季表现不逊色，力成今年获利可望与金士顿相看齐。

而受到DRAM产业第 2季表现惨淡的影响，王安亚认为，力成下半年的获利成长将以IM Flash业务为主。

此外，受到DRAM大厂相继转入70奈米制程的影响，虽然新制程测试耗时较长，但产量增加。故王安亚预期，封测厂将随DRAM大厂，同步扩产70奈米。

巨亨网    2007 / 07 / 26

台积电 (2330-TW下单)今(26)日公布第 2季财务报告，合并营收约达新台币749.18亿元，税后纯益约254.84亿元，每股盈余0.96元。累计上半年税后盈余445.91亿元，每股盈余1.68元。  

与去年第 2季相较，台积电今年第 2季营收减少8.8%，税后纯益及每股盈余皆减少 25.1%。与第 1季相较，第 2季营收增加 15.4%，税后纯益及每股盈余皆增加35.3%。

台积电指出，第 2季的营收符合 4月26日所公布的业绩展望。来自先进制程(0.13微米及更先进制程)的营收占全季晶圆销售的 53%，其中90奈米制程的营收占全季晶圆销售的 26%；来自65奈米制程的营收接近3%。毛利率为 43%，营业利益为 33%，而税后纯益率较首季增加 5个百分点达到 34%。

驱动之家　2007-07-26

Digitimes报道，Rambus正在积极联络台湾DRAM厂商，采用自己的高速XDR内存架构，宣称整个内存业界低估了多核心架构对内存带宽的需求。

目前，只有三星、奇梦达和尔必达通过授权采用了XDR架构。Rambus提供的数据显示，由于Intel和AMD不遗余力的推广多核处理器，2006年多核心PC已经占据34.4%左右的份额，2007会提高到67.7%，2009年达到100%。与此形成鲜明对比的是，内存厂商对多核心趋势兴趣不高。根据Rambus的说法，多核心处理器对内存带宽的要求最高可达100GB/s，而DDR2仅能提供12.8GB/s，DDR3也只有25.6GB/s，XDR架构则可立即提升到102GB/s。

目前，XDR内存的出货量已经超过2500万，但很显然，绝大部分订单都来自于索尼的PS3游戏机。

ZDNet China    2007-07-26

　CNET科技资讯网7月26国际报道由于没有能够抵御住有史以来最大幅度的降价之一，全球芯片厂商第二季度业绩都显得有些“惨不忍睹”，但它们在本周三表示，目前最糟糕的时期已经过去了。

　　全球第三大内存芯片厂商Qimonda(全美达)将第二季度运营亏损增长一倍的罪魁祸首归咎于PC内存芯片价格下跌了60%。意法半导体表示，高额的重组费用是其第二季度亏损的主要原因。二家公司都于周二晚些时候公布了业报。

　　这两家厂商业绩证实了三星二周前预示的一个业界趋势。三星在二周前公布了“4年来最差的业绩”，将认为元凶是计算机内存芯片价格的大幅度下跌。

　　Qimonda和意法半导体显得“若无其事”，预计在暑假之后、圣诞销售旺季前会出现季节性反弹。

　　但Qimonda拒绝就芯片价格、销售、利润作出预期，意法半导体将2007年销售增长速度的预期下调到了不足2%。

　　永远都乐观的芯片厂商似乎没有能够停止过高地估计PC、消费电子、电信等领域客户的需求，这使得芯片市场供过于求，价格打着滚儿下跌。

　　许多厂商将希望寄托在了它们认为能够带动销售的“业界狂热”上——微软的Vista或苹果的iPhone。

　　但是，Vista表现令人失望，并没有能够刺激计算机内存的大幅度增长。仅靠iPhone也无法拯救闪存芯片市场。通过提前预测市场需求，能够同时生产DRAM和闪存的芯片厂商努力在做出前瞻性反应。

　　例如，数月前，三星、Hynix将部分DRAM产能用于生产闪存，这将有助于减轻供过于求的问题，推动DRAM价格的复苏。

　　但是，这样的举措只能临时地将价格压力由一种内存芯片转移给另一种内存芯片。iSuppli表示，闪存价格的复苏并非是需求增长了，而是供应减少了，因此是不可持久的。

华强电子世界   2007-7-26

　　台湾力晶称第三季DRAM现货均价将较上季成长35% .

　　据国外媒体从台湾获得消息报道，台湾动态随机存取记忆体(DRAM)制造大厂--力晶半导体周一表示,第三季DRAM现货均价将较上季成长35%.

　　力晶公布,第二季净损为38.45亿台币,较市场预估的净损35.7亿台币为差.

　　该公司去年同期获利31.9亿台币,第一季则获利75.3亿台币.

　　力晶半导体今日收盘涨0.92%至22.05台币;台湾柜台指数则收高2.08%,报227.31点.

　　力晶半导体表示的第三季DRAM现货均价将较上季成长35%，也是对市场的一种期望了，希望借助现货均价上涨，恢复从前获利。

国际电子商情  2007年07月26日 

据DRAMeXchange发表的一份报告，在向更先进的NAND闪存制造工艺过渡过程中出现的生产问题，已导致产量低于预期。另外，由于iPhone和iPod预计将消耗大量闪存芯片，市场已开始担心闪存会出现短缺。

从第二季度开始，NAND闪存厂商已经开始生产基于更薄电路的芯片。但是，由于该技术并未完全成熟，因此目前的产能达不到当初的生产计划。

在过去三个月里，NAND闪存的现货价格和合同价格快速上涨。DRAMeXchange认为，价格上涨归因于向更先进生产工艺过渡过程中产生的问题。

据DRAMeXchange的数据，第三季度iPod和iPhone将大约用掉全球25%的NAND闪存。由于相当一部分产能分配给了苹果以满足下半年的预期需求，许多下游厂商一直无法获得充足的闪存芯片。DRAMeXchange表示，25%的产能分配给苹果，还将导致市场供应更加紧张，可能进一步刺激价格上涨。

另外，由于许多下游厂商开始为圣诞节销售季节囤积库存，预计第三季度会出现闪存芯片短缺。DRAMeXchange表示，闪存制造商可能大概需要两到三个季度才能把成品率提高到较高水平，因此闪存价格预计会继续上升。

电子工程专辑   2007年07月26日   

全球半导体设备市场持平。据预测，受到资本开支的削减、设计瓶颈、存储器供大于求的影响，2007年半导体设备行业预计将微增或没有增长。

该市场已经受到严重的DRAM供大于求的伤害。AMD、英特尔、Micron和其它公司已经分别削减了它们的资本开支，这些举错对于设备制造商不是好兆头。

此外，有消息显示，65nm设计在市场中要提高产量将花费比预期更长的时间。缓慢的仿真率、光学接近校正(OPC)瓶颈和其它问题正影响着65nm设计的全面上升。Pacific Crest预测，资本开支在2007年将达到559.7亿美元，比2006得上年上升3%。“2008年半导体资本开支将下滑10%到15%，”Backman说。

“在我们最近对韩国和台湾的访问中发现，在2007年迅速增长的DRAM扩展上没有任何撤退的迹象，这就可能把供大于求的状况延续延续到2008年，”他说，“此外，2008年的大多数扩产决定正被延期执行，直到DRAM报价环境得到改善。”

现代和三星已经对它们的DRAM扩产计划踩了刹车。NAND闪存环境已经改善，但是，尚无迹象表明在该领域的任何主要代工厂已经开始增产。

在各个代工厂的资本开支仍然低迷，代工厂工具供应商Mattson Technology公司的总裁兼首席执行官Robert MacKnight说。在逻辑领域资本开支的微增“无法弥补削减存储器资本开支造成的差额。”

另外，在该行业的不利预兆是芯片的平均销售价格(ASP)。单位产量上升，但是，ASP走低，Soitec SA的总裁、首席执行官兼主席Andre-Jacques Auberton-Herve说：“有点加速的趋势。”

由于这些因素的结果，半导体设备市场有望在2007年持平，Novellus Systems公司的执行销售、市场兼客户服务副总裁Tom Caulfield说。半导体设备和材料国际(SEMI)贸易组织的总裁兼首席执行官Stanley Myers预测，2007年设备行业的增长率仅仅有1%。2007年上半年增长缓慢，但是，就下半年的情况存在争议。“整体趋势在下半年将是温和增长，”研究机构的分析师Robert Johnson说。“未来两个季度的投资将放缓，”Brooks Automation公司的总裁兼执行官Edward Grady认为。

其它公司对未来稍微更乐观一些。半导体市场的普遍感觉是“非常好，”Tokyo Electron有限公司的美国单位的市场副总裁Lou Steen说。

芯片制造商仍然在购买设备，在市场中存在许多采购机会。“我们正在跟踪20个新的代工厂项目，”Applied Materials公司的总裁兼首席执行官Mike Splinter说。DRAM价格在市场中已经“趋于稳定”，预示着对整个半导体设备行业是向好，半导体设备供应商Aviza Technology公司的总裁兼首席执行官Jerry Cutini说道。“上半年的增长缓慢，”掩模修补工具的供应商Rave LLC的全球销售和市场副总裁David Lee说，“下半年看来将重拾升势。”

Digitimes     2007/07/26    

   国际DRAM大厂近来对资本支出做法与台系DRAM厂相较，几乎是南辕北辙，国际DRAM大厂对于接下来资本支出相对保守，但台系DRAM厂却不断积极加码投资。市场分析师认为会有这样情况，最主要在于台系DRAM厂与国际DRAM大厂锁定的主力商品已渐不同。

过去几个月以来不断有市场调查机构报告指出，2007年全球半导体设备成长幅度恐将不如预期，主要的「原凶」来自于2007年以来已有部分国际DRAM厂商开始下修资本支出，反倒是台系DRAM厂一股脑的全面加码资本支出。

象是台系DRAM厂中的华亚科以及茂德便陆续于法说会中释出加码投信息息，茂德2007年资本支出为了将旗下70奈米制程技术产能扩增，将原本2007年初估约12亿美元的资本支出，大幅增加到18.7亿美元；至于华亚科同样也是于法说会中正式调高2007年资本支出，主要是为了让70奈米制程技术产能继续提高。

华亚科总经理高启全日前便表示，华亚科董事会已于上月底正式通过新增70奈米与80奈米制程技术转换所需资本支出费用114亿元，因此2007年全年资本支出由原订的400亿元调升至514亿元，而上半年约已有400亿元的资本支出；至于在华亚三厂的部分，目前计划仍如预期，会不会加快进度则要视DRAM市场及需求而定。

反观国际大厂如奇梦达(Qimonda)于25日公布最新财报，执行长Kin Wah Loh指出，拜多元化DRAM产品组合之赐，2007年4~6月均价季减幅度约为40％，而同一时间计算机用的DRAM合约价则是季减将近60％。他进一步表示，虽然7月报价转佳，但为求提升财报表现，2007会计年度的资本支出将在9亿欧元左右，落在原先预估区间的下缘。就2008会计年度而言，奇梦达将资本支出大幅下修至6.5亿~7.5亿欧元，这与台系DRAM厂相较可说是截然不同。

Digitimes    2007/07/26    吴宗翰／台北

　全球4大NAND型快闪存储器(Flash)制造厂三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)、海力士(Hynix)及IM Flash等，尽管已想尽办法全力解决50奈米世代制程转换不顺、新制程良率偏低问题，但经过逾1季至今仍是原地踏步，良率可说是丝毫未有提升，加上全球NAND Flash市场已进入需求旺季，下游客户端已提出警讯，未来6个月4大厂产能加总，扣除给予苹果(Apple)需求后，几乎可确定NAND Flash市场将出现比预期更严重的供不应求。

近3个月来，包括三星、东芝、海力士及IM Flash等NAND Flash制造厂，均卯足劲设法提升50奈米世代先进程制良率，而存储器业者如此积极抢进新制程技术，最主要原因系看准一波波市场需求成长，为进一步藉由新制程技术提高产能，并增进NAND Flash产品线获利。不过，4大NAND Flash厂却遭遇到50奈米世代制程转换瓶颈，尤其至今已经过逾1季的全力改善，却仍无法将良率有效提升，可说是陷入原地踏步的窘境。

值得注意的是，全球NAND Flash总产出量无法快速拉升，如今又将进入市场需求旺季，尤其苹果iPhone及iPod对于NAND Flash需求与日俱增，以及年底圣诞节采购旺季跟著来到，全球NAND Flash需求在未来几个月内只增不减，供货缺口恐将愈益扩大。

存储器业者便大胆预期，未来几个月全球NAND Flash市场将因4大NAND Flash厂产能无法有效开出，在市场需求却是源源不绝开出情况下，势必将出现比预期还要严重的供不应求，而这亦促使多家市调机构近期纷预测，未来NAND Flash合约价将持续走扬，现货市场亦将因供应量明显萎缩，出现易涨难跌情况。

事实上，过去NAND Flash大厂在新世代制程技术转换时，都会发生整体产能明显下降状况，不过，依照过去业者转换制程经验来看，要将新世代制程良率调到正常水平所需花费时间，顶多是1个多月左右，如今这4大NAND Flash制造厂却已花上逾1季时间，但生产线良率依然处于原地踏步阶段，难怪所有下游NAND Flash卡制造商均感到忧心忡忡，担心未来价格恐将逐步垫高。

此外，存储器业者亦透露，除因新制程技术转换不顺、导致良率无法提高，进而影响到整体产出外，另一方面，由于新产出的NAND Flash颗粒属于新世代制程技术产品，下游NAND Flash控制IC厂至今亦仍无法有效供应新制程技术颗粒所需要的控制IC，这更进一步限制下游记忆卡厂商未来出货量能，并恐将形成另一个市场成长瓶颈。