来源：台湾新浪网
NAND Flash合约价继7月上旬全面大涨逾18.27%后，7月下旬合约价持续走扬，涨幅逾2.06%。随着市场供给趋于吃紧，NAND Flash 7月现货价及合约价同步大涨，其中7月上旬合约价大涨逾 18.27%；16Gb规格产品合约均价20.35美元，涨幅达20.06%；8Gb规格产品合约均价上涨 18.27%；4Gb规格产品合约均价涨幅最大，达23.3%。7月下旬合约价出炉，根据集邦科技调查，16Gb规格NAND Flash合约均价进一步攀高至 20.77美元，涨幅约2.06%；8Gb规格产品合约均价10.32美元，涨幅2.69%；4Gb规格产品合约均价6.14美元，涨幅6.86%。集邦科技表示，第三季起NAND Flash市场将供不应求，供需缺口约0.3%，第四季供需缺口将进一步扩大至1.5%，预期下半年NAND Flash价格将愈小不易。
来源：巨亨网
欧洲最大半导体制造商STMicroelectronics NV(STM-FR；意法半导体)，在与Intel Corp.(INTC-US)合资成立闪存公司之后，由于资产账面价值减低，第2季亏损7.58亿美元。
STMicroelectronics在今日的声明稿中指出，每股净损84美分，去年同期则为净利1.68亿美元或每股盈余18美分。营收下降3.1%至24.2亿美元。若不计算资产账面价值减低的9.06亿美元，STMicroelectronics获利符合预期。
供应过剩与激烈的竞争，使得今年的芯片销售有所下滑。上个月，半导体产业协会(The SemiconductorIndustry Association)下修今年对全球芯片销售成长的预估，从10%缩减至1.8%。STMicroelectronics执行长Carlo Bozotti曾在4月时提出「个人意见」，认为今年全球芯片销售将会成长4-5%。目前该公司尚未发表任何官方产业预估。
若不计算资产账面价值减低，STMicroelectronics的营业获利为1.34亿美元，符合《Bloomberg》调查分析师所获得的平均值，分析师预估STMicroelectronics的营收为24.4亿美元。
成立于1987年，由意大利与法国国有芯片制造商合并后诞生的新公司－STMicroelectronics，在米兰今日股价下挫2.6%至13.72欧元。年初迄今，该股下跌2.4%，落后已上涨13%的费城半导体指数。
该公司说，第2季扣除制造成本后的毛利率，从去年同期的35.4%缩减至34.7%。
今年5月，STMicroelectronics与Intel合并他们不赚钱的闪存业务，并把新公司命名为Numonyx，为全球最大的手机储存芯片制造商。当时STMicroelectronics表示，多数减值费用将在第二季认列。
来源：巨亨网
根据集邦科技市调资料， 7月下旬NAND Flash合约价大致呈现持平及部份小涨状况，预期 8月份NAND Flash合约价也将呈现持平及部分小涨的状况。
集邦科技分析师指出， 7月上旬多数NAND Flash的合约价已大幅调涨20-30%，反应过 7月供货吃紧的状况。7月下旬部份SLC平均价格上涨约 5-10%，如同上旬再次反应NAND Flash供货商持续提高MLC产品的比重而使 SLC产品的供给减少使然。
集邦分析师指出，一般 7至10月为传统NAND Flash 下游厂商备料的需求旺季，但今年 5-7月因NAND Flash 主要供货商在新制程的转换上仍处于调整期，使得市场呈现供货不足的现象，预期在 8月底制程生产较顺利后，届时NAND Flash市场供货吃紧状况才会获得舒缓。
不过集邦指出，有见于 8月份的供货状况仍将略显不足，预期 8月份NAND Flash合约价也将呈现持平及部份小涨的状况。
来源：联合新闻网
DRAM本月下半月合约价顺利调涨5%，内存市调机构集邦科技预估，DRAM需求高峰将落在第四季，尽管DRAM股上季财报不佳，但昨外资仍买超力晶 (5346)、南科 (2408)、华亚科(3474)3档已召开法说会股，由于力晶、华亚科将有下月除权息，短线外资法人布局时机，值得观察。
DRAM股法说会后行情失灵，即使三大厂都释出看好下半年的利多，但由于第三季市况与年初预估有所差距，近期股价纷纷走弱。
不过，外资昨仍买超力晶达5.78万张，华亚科、南科也是买超状态，与本土法人相比，有逢低布局味道，法人指出，DRAM合约价本月已开始调涨，对DRAM厂本季的营收回升有利，其中南科、力晶7月的营收即可见到成长，粗估南科将可回升至40亿元以上，营运已在第二季落底。
集邦也公布最新的研究报告，在现货价方面，上周现货价格持续缓步下跌，主要原因在于终端通路与部分模块厂仍在消化其库存水平，导致现货市场交易量平淡。预计七月底至八月上旬库存逐渐去化后，将会有回补库存的需求出现。
在合约市场方面，集邦指出，7月下旬DRAM DDR2 512MB模块顺利调涨1-2美元不等，涨幅大约在5%左右。部分PC OEM 厂商面对旺季的合约报价采取一个月单一价格，因此7月下旬报价的涨幅已经提前在七月上旬获得反应，再加上部份DRAM 厂商7月下旬的报价也顺利调整至20美元之上，显示在旺季需求来临下，供过于求的缺口已获得舒缓，若DRAM厂在第三季转进70奈米成本下降迅速，获利可期。
依各家DRAM厂财报推估第二季的DRAM成本，大约已经下降至2.2-3.2美元不等，相较于目前的DRAM价格，部分厂商有机会在第三季达到损益两平。而华亚科与力晶也都认为下半年DRAM平均价格将逐季往上提升，预期第四季DRAM均价将有机会比第三季好。
集邦观察，下半年PC出货量高峰将集中在10至11月，相较于去年将有12%的成长，优于原先预期水平。除此之外，第四季为PC消费性机种出货旺季，每台PC中的DRAM搭载率将有大幅度的提升，因此就需求端角度而言，DRAM需求高峰确实会落在第四季左右。
来源：联合新闻网
NAND Flash本季需求旺，价格持续走扬，对于8月涨势能否续强，内存市调机构集邦科技今表示，7月上旬多数NAND Flash的合约价已大幅调涨20%-30%，已反应本月供货吃紧的状况，目前8月看起来供货仍不足，合约价仍将呈现持平及部分小涨状态。
据集邦调查，7月下旬的NAND Flash合约价，大致呈现持平及部分小涨的状况，7月上旬多数NAND Flash合约价已大幅调涨20%-30%，已反应过本月供货吃紧状况。
分析师指出，此次部分SLC平均价格上涨约5%-10%，如同上旬再次反应NAND Flash供货商持续提高MLC产品的比重而使SLC产品的供给减少使然。
7-10月为传统NAND Flash下游厂商备料的需求旺季，但在5-7月因NAND Flash主要供货商在新制程的转换上仍处于调整期，使得市场呈现供货不足的现象，集邦预期，在8月底制程生产较顺利后，届时NAND Flash市场供货吃紧状况才会获得舒缓。
来源：巨亨网
全球第2大内存芯片制造商－南韩HynixSemiconductor Inc.(000660-US)周三表示，计划在2012年之前兴建3座12寸晶圆厂，并希望维持每年营收20%的成长率，到2010年达到180亿美元。
Hynix在公布此中长期业务计划时指出：「目前12寸晶圆占整体产能比重约40%，2012年将升至90%。」
Hynix也表示，准备最晚在2009年进军相变化(phasechange)内存市场。相变化内存是较先进的芯片，传输速度比闪存(flash)快，也较节能，因此适用于数字相机和音乐播放机等装置。
Hynix也有意重回非内存业务，公司预期到2017年，此业务占整体营收比重将超过30%。
Hynix将在本周五公布第2季财报，分析师预估获利锐减99%至46.6亿韩元(509万美元)，营业获利也预期衰退99%至27.9亿韩元。营收预估成长23%至1.94兆韩元。
DIGITIMES
自上个月底开始实施的大陆严打动作，已暂告一段落，据了解，现阶段仅开放一些手机零组件可以进入大陆市场，因此使得手机所需的记忆卡突如其来爆增不少。面对这波需求，目前几家NAND Flash供应大厂已开始蕴酿将在8月起调涨晶圆报价，预期调涨幅度约为5%~10%；且由于苹果(Apple)推出iPhone需求持续增温中，市场认为未来NAND Flash的芯片报价也将会同步增加。
大陆严打措施已实施近1个月左右时间，多数记忆卡通路商或盘商均低调以对，过去几周大陆市场对于记忆卡需求相当低迷，使得记忆卡的售价持续处于相对低档状态。不过自本周起大陆开放一些手机用零组件进口，连带使得记忆卡需求同步水涨船高。
据了解，正因为大陆手机市场的门户重启，大陆内需市场已将盘商或是通路商手上现有库存消化殆尽。因此近日开始拼命四处采购记忆卡，来满足一些内地手机代工厂或当地品牌手机大厂所需，记忆卡需求突然爆增，记忆卡售价同样是拼命飙涨。
再加上几周以来记忆卡平均换算成单颗NAND Flash价格，是低于NAND Flash制造大厂所卖出的颗粒价格，照理来说记忆卡换算成单颗颗粒报价应高于原本制造商所卖出售价，这也使得记忆卡价格开始出现补涨效应。
而这波记忆卡价格补涨力道是否仅是昙花一现，NAND Flash制造商普遍认为可能性不高，原因是苹果的iPhone需求依然热络，使得三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)等NAND Flash制造商仍持续供货给苹果，一般市场预料到了8月这些供应大厂依然有机会续涨晶圆售价达5%~10%。
一旦调涨成功，记忆卡售价自然没有下跌道理，因此这些盘商及通路商愿意在此时补进记忆卡，毕竟未来市场下跌空间有限，但上涨空间却相当可期。
华强电子世界网 2007-7-25
继南亚科（2408）、华亚科（3474）宣告DRAM合约市场热度活络讯息后，主攻现货市场的力晶（5346）也以报价逐季回升、70奈米效益发挥为由，传递下半年营运稳健乐观看法。力晶董事长黄崇仁在法说会中表示，八月底时DDR2 512Mb ETT价格可望回到2.5美元，第四季有机会上看3美元，总体下半年价格约落2.5美元至3美元稳健状态。
近来DRAM报价逐渐好转，而根据力晶总经理谢再居表示，在DRAM部分，因Vista与消费性电子产品需求的提升，加上自90转入70或是80奈米制程有其难度，再者八寸厂除役，因此下半年DRAM市场是乐观的。
黄崇仁则更进一步推测，八月份512Mb之DDR2（Finish Good）报价可回稳到2.5美元，到了第四季进一步上涨到2.5至3美元间，另外第三季
力晶总经理谢再居指出，在DRAM价格超跌可望刺激需求、部分厂商80奈米以下制程转换发生困难，以及整体产出受到Nand Flash产能排挤效应和八寸厂渐退出市场因素，下半年DRAM没有悲观的理由。为突破获利空间，力晶下半年将集中火力于70奈米制程转换上；第三季70奈米制程约达总产出30％，年底拉高至70％，以强化成本结构降至2美元之下。
谢在居说，从长期行情观察，Nand Flash现货利润多优于DRAM，力晶推展Nand Flash进度未歇。70奈米 NAND Flash产品将于第四季正式于
力晶第三季因无新产能开出，转投资的瑞晶也仅小量投产，单季新增产能力道，端赖制程技术推进贡献；八月前受制仍处制程转换调整期，第三季DRAM位出货成长约10％，第四季方有大幅提升表现。
据了解，虽然力晶第三季受制70奈米制程转换的成本条件恐要到八月才有获利贡献，所幸旺宏持股出脱利益入帐，增添单季获利增长；第四季70奈米跃居生产主流，重新启动DRAM获利攀升贡献。
力晶毛利率为负16.49％，单季税前亏损54亿元，税后亏损38.44亿元，单季每股亏损0.56元，但半年报仍有获利，累计上半年税前获利27.39亿元，税后36.88元，每股获利0.54元。
来源：科技投资网
路透东京电---日本经济新闻周三报导指出,东芝<6502>、富士通<6702>及NEC电子<6723>已达成协议,将合力开发先进的32纳米(奈米)芯片,以赶上竞争对手.
这三家公司先前已在洽谈分摊估计达1,000-2,000亿日圆的发展成本,以便更能够与英特尔及三星电子<005930>等芯片业领导厂商竞争.
这三家公司计划成立一家合资企业生产芯片,东芝料将持有低于半数的较多股权.
5月时,三星、IBM、特许半导体(Chartered)、英飞凌及Freescale Semiconductor表示,将合力开发32纳米芯片.
东芝与NEC电子已经合作开发45纳米芯片.根据研究机构iSuppli资料,东芝是2006年全球营收第四大的芯片厂商,NEC电子排名第11.报导称,富士通排名第27.
来源：电子工程专辑
华邦电子(Winbond)以自行研发之WinStack 0.13微米制程，推出3款W19B系列的并列式闪存，将闪存应用的涵盖领域除了PC产品之外，扩大至消费性及通讯等
W19B160B和W19B320B的内存容量为16Mb和32Mb，主要的产品规格为Erase Suspend/Erase Resume、Boot Block、Write-Protection、Hardware Reset，除此之外32Mb另外提供Security Sector，让重要的数据更加安全。
这两款产品皆操作在2.7V~3.6V的工作电压，提供×8/×16两种数据传输频宽，数据读取速度达70ns。适合多种应用产品如DVD录放机、MP3音乐播放机、打印机、各式网络通讯设备、机上盒(DVB-S,-T)、汽车、消费性电子等。
W19B
工作电压为2.7V~3.6V。应用产品包含数字相机、DVD录放机、机上盒(DVB-C)、各式高阶网络产品、低价手机等。所有W19B系列的产品组件使用封装的脚位及指令集皆符合JDEC标准。
W19B160B将在2007年6月先提供48脚TSOP封装样品，供货时间为2007年8月，而48球TFBGA封装样品将在2007年10月提供；W19B32B的48脚TSOP封装样品提供时间为2007年9月，供货时间为2007年第4季初，而48球TFBGA封装样品将在2007年Q4底提供；W19B
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