Archive - 七月 24, 2007

eNet硅谷动力    2007-07-24  

东芝上半年净利成长料达3%,因芯片价格跌势有所缓和.

　报导称,东芝4-9月净利料达400亿日圆(3.30亿美元).

　东芝先前预测净利100亿日圆.

　报导指出,3月底时,快闪记忆体(闪存)价格年度跌幅达80%,但目前跌幅缩减至40%.

　东芝预定周五公布第一季财报.4-6月营业利润料较去年同期小幅成长,净利料成长四倍至200亿日圆,因出售音乐品牌Toshiba-EMI股权的挹注.

华强电子世界网    2007-7-24

　　根据EE Times报导，DRAMeXchange报告指出由于供货商转向更先进制造程序的过程不很顺利，导致了NAND闪存产量不如预期。再加上Apple的热门产品iPhone与 iPod会消耗掉大量的快闪芯片，因此市场担忧NAND组件将会出现缺货的现象。从第二季开始，NAND制造商就开始采用更薄的电路来生产芯片，不过由于这个技术尚未完全成熟，因此目前的产能无法达到原先的目标。

　　在过去三个月以来，NAND组件的现货与合约价格已经迅速上扬，DRAMeXchange相信这个涨价与先进程序技术的转换有关，而产量的降低与良率不够高有关。DRAMeXchange估计，iPhone与iPod将消耗第三季全球NAND组件产量的25%，NAND产能的颇大一部分被划拨给Apple，来满足下半年的需求，而市场上其它许多业者则无法取得足够的供货。由于这些因素导致市场供应紧俏，因此未来价位还可能进一步上扬。另外，由于许多比较非主流的业者已经开始累积NAND组件的库存，希望确保能够满足年底圣诞销售旺季的需求，因此第三季就可能出现快闪芯片的缺货。DRAMeXchange预期NAND制造商可能需要两到三季的时间才能够提高良率，因此闪存的价位应该还会持续攀升。

电子工程专辑   2007年07月24日  

IBM的科学家透露了一种能够达到6GHz以上速度的原型嵌入式SRAM芯片组。嵌入式SRAM保存由处理器频繁访问的数据。访问的速度越快，从SRAM到CPU的数据交换就越快。

IBM在T. J. Watson研究中心的研究员Rajiv V. Joshi表示，“随着工艺技术降低电子尺寸以实现更高的密度并遵循摩尔定律，制造电子器件的工艺存在的可变性使这个任务越来越难以实现。”

研究人员一直在寻找克服工艺可变性影响的途径，特别是当一个器件被放置在海量器件之中时，器件的接通特性存在各种变化。那些变化能使存储丢失已存储的数据，使它们表现为“不稳定”。

为了改善SRAM单元的稳定性，研究人员已经提出了各种不同的技术，如基于读或写操作的动态或双单元电源，或把更多的晶体管添加到6晶体管SRAM单元之中。

IBM的研究人员论证了一种用于消除“半选”问题的、新颖的基于硬件的解决方案，改进了Vmin并利用8T SRAM阵列提高了针对多端口应用的性能。

当字线接通且行选关闭时，半选问题就会出现，从而导致稳定性变差。新颖的“写-字节”概念生成多条本地的写字线，这些写字线只有当已选模块的写控制接通时才被选中，从而避免半选扰乱情形。因此，独立的读口消除读期间的半选，并且写字节消除写期间的半选。

片上边沿捕获电路第一次被用于测量片内信号参数，如字线脉冲宽度，以及校准SRAM单元的性能。

片上脉冲特征提取技术显示，可以测出数量级为50到60 ps宽的微小脉冲，从而精确地确定SRAM单元运行的速度有多快。这种芯片以65nm绝缘体上硅(SOI)工艺制造。

Digitimes    2007/07/24   吴宗翰／台北

　台系DRAM厂近来纷纷上修2007年资本支出，继上周茂德为提高70奈米制程投片数量，率先调高2007年资本支出达到18.75亿美元，力晶23日也对外宣布调高2007年资本支出达新台币710亿元，主要用于提高2007年70奈米制程技术产出比重。台系DRAM厂在70奈米制程技术良率稳定后，为了奠定下半年获利基础，调高资本支出全力冲刺70奈米制程技术产能。

力晶表示，目前力晶的70奈米制程技术良率已高达85%左右，而力晶的70奈米制程技术量产1Gb的DRAM颗粒约700多颗，而量产512Mb的话则可高达1,400多颗，相较于竞争对手的70奈米制程所量产出的颗粒数多出不少，力晶为了调高70奈米制程的生产比重，也上修2007年资本支出达710亿元。

到目前为止力晶已花费约312亿元的资本支出，而瑞晶为了采购ARF SCANNER机器使其制程技术进一步提高，因此调高力晶2007年资本支出。估计到2007年第3季70奈米制程比重将达到30%，第4季平均将达到50%，第4季底则会有高达70%采用70奈米制程技术，到时12A及12B与12M加总起来约有10万片左右产能采用70奈米制程技术量产。

茂德也因为预计要提高晶圆三厂产能及加快晶圆四厂量产脚步，最初三厂规划月产能仅五万片，但至2007年上半已经提高到六万片，预计9~10月间可达满载6.5万月产出。另外也逐步提高70奈米制程的投片量，目前规划12寸厂在2007年底全数导入70奈米制程技术，平均生产成本能够降低25%~30%。至于晶圆四厂部分，则预计在2007年12月投片，等到2008年首季将有上万片的月产出，因此茂德2007年的资本支出也将从最初的12亿美元，提高到18.75亿美元。

至于瑞晶部分力晶则表示7月开始投入规划3万片产能，到2007年11月将慢慢拉上至3万片，估计瑞晶2007年资本支出到现在已花200亿元，2007年第4季会再加更多资本支出，主要是为了2008年5月将产能拉到7万片全产能，现阶段至7月分投片量约8,000片，已比预期6,000片要多出许多，至于一开始会直接以1Gb投产，而R2现阶段破土进度也已提前至8月破土。

来源：台湾新浪网

受到主要股东内存模块大厂金士顿 (Kingston)将Micro SD卡封装订单交予华泰 (2329)传言影响，导致力成 (6239)股价近期弱势，力成近日已对此说法进行消毒，激励股价止跌回升。力成表示，现有Micro SD卡生产线主要供应策略伙伴英特尔的需求，以致无法承接金士顿Micro SD卡订单，由于英特尔未来还有更多订单挹注，力成准备将目前每月300万颗的Micro SD卡封装产能，再提高到月产能500万颗、700万颗。此外，由于力成DRAM、Flash封测订单满载，估计本月营收再创新高机会相当高，对今年营运前景，力成仍抱持高度信心。

来源：科技投资网

力晶(5346)表示，公司投入Nand flash产业三年，终于将有第一阶段成果！预计在年底前，力晶Nand flash将以70奈米正式量产，若竹科土地取得顺利，下半年力晶12C厂将正式动土，未来12C、12D厂都将用作Nand flash生产用途。

力晶发言人谭仲民表示，力晶未来将会生产包括SLC及MLC的Nand flash，下半年70奈米8Gb的MLC进入量产，目前正在发展50奈米16Gb MLC的Nand flash，未来力晶还会继续往40奈米开发，除了下半年即将动土的12C厂将完全用来生产Nand flash外，未来新建的12D厂也将用来生产Nand flash。

仅管力晶在Nand flash己有重大突破，然力晶总经理谢再居仍不讳言，今年下半年到明年中力晶的营运状况仍要看DRAM的市况，毕竟FLASH目前单月产能5000片、明年中时提高到1万片，对整体而言贡献仍不算大，预计要到明年3Q、4Q时才会较有贡献。

来源：巨亨网

HP(HPQ-US；惠普)今(23)日发表全新mini系列NB，并首次采用LED 背光技术。惠普科技个人系统事业群副总裁暨总经理陈敬宏表示，目前市场上14寸机种仍是主流、占比近50%，值得注意的是12寸机种第1季成长性高达125%，预计下半年成长力道续强，推估该产品可占公司整体营收拉升至20%。在Vista与Santa Rosa逐步发酵下，对第3季持乐观看待。

受到政府预算案影响，今年上半年商用NB机种呈现衰退状况，而消费性机种则因Vista与 Santa Rosa逐步发酵下、成长快速，今年上半年年增率高达 50%。机种方面以12寸成长力道最大，第1季成长达125%。

陈敬宏指出，亚太地区像是日本、新加坡等地，对于轻薄系列NB需求逐渐增强，加上多厂投入生产，以及电池、节能改善，让12寸机型未来成长性备受看好，光是今年上半年亚太地区就成长138%。

目前12寸机种在电池续航力改善后，NB机种重量已降到约1.5-1.6公斤，若再采用LED背光技术重量可再降低至1.3公斤、电持续航力也将再延长。而 15.4寸宽屏幕机种目前有逐步转移至14寸机种的现象，以HP来说，目前15.4寸机种约占营收的30%、14.1寸为50%、12寸为20%。

HP此次也首度推出 LED背光宽屏幕，但机种锁定在12寸，HP表示，下半年会续推LED背光NB。而HP 12寸产品此次也首度打破市场行情价，价格降到 3万以下有找。

下半年HP并考虑推出大尺寸NB，像是20寸机种；而13.3寸机型若面板价钱可再往下降的话、达到成本效益，HP将计划推出。目前HP在台湾市占率约在13.3%，第2季可望微幅调升至14%。

目前市场在DRAM、面板、电池等缺货严重，是否会影响HP下半年出货状况，陈敬宏说，由于与厂商签约都是以年来看，因此缺货问题不致影响今年出货。

来源：中时电子报

 继南亚科（2408）、华亚科（3474）宣告DRAM合约市场热度活络讯息后，主攻现货市场的力晶（5346）也以报价逐季回升、70奈米效益发挥为由，传递下半年营运稳健乐观看法。力晶董事长黄崇仁在法说会中表示，八月底时DDR2 512Mb ETT价格可望回到2.5美元，第四季有机会上看3美元，总体下半年价格约落2.5美元至3美元稳健状态。

近来DRAM报价逐渐好转，而根据力晶总经理谢再居表示，在DRAM部分，因Vista与消费性电子产品需求的提升，加上自90转入70或是80奈米制程有其难度，再者八寸厂除役，因此下半年DRAM市场是乐观的。

 黄崇仁则更进一步推测，八月份512Mb之DDR2（Finish Good）报价可回稳到2.5美元，到了第四季进一步上涨到2.5至3美元间，另外第三季1G的报价也会达到5至6美元，甚至更高。

力晶总经理谢再居指出，在DRAM价格超跌可望刺激需求、部分厂商80奈米以下制程转换发生困难，以及整体产出受到Nand Flash产能排挤效应和八寸厂渐退出市场因素，下半年DRAM没有悲观的理由。为突破获利空间，力晶下半年将集中火力于70奈米制程转换上；第三季70奈米制程约达总产出30％，年底拉高至70％，以强化成本结构降至2美元之下。

谢在居说，从长期行情观察，Nand Flash现货利润多优于DRAM，力晶推展Nand Flash进度未歇。70奈米 NAND Flash产品将于第四季正式于12A、B厂投入量产，而争取的新竹12C、12D新厂，也规划将十二万片产能，悉数投入Nand Flash运作，预估明年中后，营运效益可望随之浮现。

力晶第三季因无新产能开出，转投资的瑞晶也仅小量投产，单季新增产能力道，端赖制程技术推进贡献；八月前受制仍处制程转换调整期，第三季DRAM位出货成长约10％，第四季方有大幅提升表现。

 据了解，虽然力晶第三季受制70奈米制程转换的成本条件恐要到八月才有获利贡献，所幸旺宏持股出脱利益入帐，增添单季获利增长；第四季70奈米跃居生产主流，重新启动DRAM获利攀升贡献。

 力晶毛利率为负16.49％，单季税前亏损54亿元，税后亏损38.44亿元，单季每股亏损0.56元，但半年报仍有获利，累计上半年税前获利27.39亿元，税后36.88元，每股获利0.54元。

来源：巨亨网

台湾力晶半导体股份有限公司23日表示，该公司DRAM芯片第三季度平均售价或较第二季度上涨35%。

该公司总经理谢再居(Brian Shieh)还预计，DRAM芯片第三季度比特发货量或较第二季度增加10%左右。

谢再居称，他们期待今年下半年DRAM市场行情会有所改观。

除了DRAM芯片之外，力晶半导体还生产闪存芯片，这种芯片广泛用于手机和数码音乐播放器。