Archive - 七月 23, 2007

NAND flash产能不足 Apple消耗大量快闪芯片 价格恐上扬

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来源:巨亨网2007 / 07 / 23


 


根据DRAMeXchange的产业研究报告,当NAND闪存制造商把生产线过渡至较为先进的NAND闪存时,出现产量低于预期的情况。此外,由于预期第 3iPhoneiPod将会消耗大量快闪芯片,市场担忧快闪芯片可能会面临供给不足的窘境。


 


今年第 2NAND闪存制造商便已经开始生产更薄的集成电路的芯片。然而,在科技尚未发展成熟之际,当前产量已经跟不上原本预计的生产计划。


 


过去 3个月NAND闪存的现货价格与合约价格快速上扬。DRAMeXchange相信价格的上涨,主要是由于过渡至先进阶段出现问题所致。因为良率过低,导致产量快速下滑。


 


依据DRAMeXchange的数据,iPod的销售长红,加上大量芯片库存至第 4季,届时iPhoneiPod将会占全球第 3季整个NAND闪存 25%的产量,许多下游供货商担忧无法确保有这么多的快闪芯片,并且NAND闪存的短缺,亦可能会导致价格上升。


 


许多下游供货商会在圣诞节来临之前,囤积大量快闪芯片,因此第 3季很可能会出现快闪芯片的短缺。


 


 


 


 

劲永上半年每股纯损0.81元 看好下半年DRAM、Flash将双涨

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来源:巨亨网2007.07.23  


 


 内存模块厂劲永国际 (6145-TW下单)自结上半年合并营业净损、税前损失及税后纯损分别为新台币2.37亿元、1.61亿元及1.65亿元, 上半年每股税后净损0.81元。


 


劲永上半年自结合并营收为137.63亿元,较去年同期109.81亿元增加约 25%;自结合并营业毛利为1.37亿元,较去年同期2.88亿元减少1.51亿元。劲永第 2季受到DRAM Flash产价格跌幅过大影响,以致获利表现不如第1


 


不过劲永指出, 6月份受到DRAM价格跌深反弹,同时Flash受到 iPhone上市热卖激励下,下半年需求看好,该公司6月单月获利表现已经明显成长,惟整体第2季仍呈亏损,单季每股税后纯损约0.83元。


 


展望第 3季,劲永指出,拜笔记型计算机大厂促销动作积极,加上预期在低价效应下、 8月起终端市场买气可望加温,在诸多利多讯息加持下,市场乐观认为, DRAM市况将反转,价格也将触底翻升。


 


Flash方面,劲永指出,三星电子预期NAND Flash 价格则可望在下半年止稳,主要是拜内存容量较高的新产品(如新款手机、内建固态硬盘的笔记型计算机/UMPC) 陆续推出之赐。因此预计第3 FlashDRAM将延续6月份上涨走势。


 


劲永指出,该公司将持续自有品牌及通路布建,产品创新如近期推出i810玩美碟颇受市场好评,客户需求强劲;此外该公司 DOM产品过去在工业计算机领域亦占有一席之地,将有利于未来 SSD市场开发,由于无论在技术及规格发展方面,均较同业起步为早,加上既有客户的基础,希望在 SSD领域仍将保持领先,以提高获利贡献。


 

三星内存: 三星50nm制程内存颗粒获得Intel官方认证

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来源:www.thethirdmedia.com     2007-7-23


   据消息报导,三星公司近日宣布,其50nm制程的DDR2 1Gb内存颗粒已经获得了Intel的官方认证。而且将于2008年上半年开始正式量产50nm制程存储芯片。


   据悉,三星的50nm制程存储芯片除了使用在现有DDR2内存颗粒中外,还将制造各种下一代包括DDR3GDDR4GDDR5以及手机用DRAMDRAM中,可谓意义深远。

二线晶圆厂先进工艺纷向一线大厂看齐 将打破工艺分水岭局势

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电子产品世界    2007-07-23


  近期全球二线晶圆厂纷抢进0.13微米以下先进工艺,包括马来西亚晶圆代工厂Silterra、以色列晶圆厂宝塔半导体(Tower Semiconductor)分别宣布,计划以募资、借贷方式来扩充先进工艺产能,未来随着二线晶圆厂纷跳脱成熟工艺藩篱、迈入先进工艺,不仅恐造成先进工艺价格雪上加霜,并将让0.13微米、90纳米工艺不再是一线晶圆厂独霸天下,甚至得重新改写“先进工艺”定义。


  目前90纳米、0.13微米工艺由台湾晶圆代工厂台积电、联电称霸,其中,台积电90纳米、0.13微米工艺各占营收比重达23%26%;联电则各占约21%16%。台积电、联电2家可说在90纳米、0.13微米工艺各霸一方,而这2个世代先进工艺亦可说是一线与二线晶圆厂之间主要技术分水岭,过去二线晶圆厂多集中于0.250.18微米工艺及半世代0.15微米工艺,不过,这个现象最近却明显发生变化。


  近期SilterraTower相继宣布筹资计划,拟扩充0.13微米及90纳米工艺产能。其中,先前才加入欧洲微电子研究所(IMEC)9065纳米工艺技术开发计划的Silterra19日又宣布为因应先进工艺成长所需,未来几年将分3阶段扩充产能,第1阶段将在既有产能规模上扩充0.180.13微米及其半世代0.11微米工艺产能至单月4万片,并将少量扩充90纳米工艺产能(1000~2000);第二阶段是积极寻找8英寸厂购并对象;第三阶段则拟自建12英寸晶圆厂,主要用来扩充9065纳米先进工艺所需,初期单月产能约2~2.5万片。


  半导体业者透露,Silterra这项扩产计画需对外募资15亿~20亿美元,将以现有股东及对外募资双线并行,目前马来西亚官方投资公司Khazanah持有Silterra9成股分。Silterra执行长Kah Yee Eg则表示,透过这项扩充产能计划,未来4~5Silterra营收将可望呈现每2年倍数成长趋势,总产能亦将达到单月10~12万片8英寸约当晶圆,工艺光谱则从0.18微米工艺跨至65纳米工艺。


  无独有偶地,Tower亦宣布与银行签订4000万美元长期借贷,用来扩充Fab 2产能。Tower执行长Russell Ellwanger表示,由于Fab 2持续产能利用率超过90%,亟思扩充产能,将Fab 2单月产能一举提升至超越2.4万片,并计划于2008年以后达4万片产能,其中,新增产能部分将以采用0.13微米与90纳米工艺为主。


  半导体业者指出,当初90纳米工艺量产时,市场竞争比起0.13微米工艺激烈,而65纳米工艺又比起90纳米工艺竞争更激烈,就连台积电总执行长蔡力行亦如此坦言,而随着二线晶圆厂相继宣布跨入0.13微米、90纳米先进工艺,恐更将搅乱一池春水,使得价格环境更为雪上加霜,同时以0.13微米、90纳米等先进工艺作为一、二线晶圆厂之间分水岭,亦将逐渐消弭,甚至恐怕连“先进工艺”定义也会被改写。


 

创见力夺模块厂三冠王

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来源:中时电子报   2007.07.23


   


模块厂相继公布上半年营运成果。除了劲永(6145)单季营运处于亏损外,威刚、创见(2451)毛利率均有向上提振表现;其中挟业绩冲刺题材,一举蹿升模块厂商股王的创见,第二季毛利率从9.35%逆势向上达10%,上半年每股税前盈余从2.68元累进至5元水平,坐拥模块厂营收、毛利率、EPS三冠王。


 


  受惠旺季需求助阵;法人推估,创见下半年约有100%的增长实力,全年每股获利交出近期新高记录,达11元、12元水平。


 


  劲永第二季受制DRAMFlash价格跌幅过大影响,单季每股亏损约0.83元;上半年营收年增率25%,税后损失1.65亿元,每股亏损0.81元。劲永表示,拜笔记型计算机大厂促销动作积极,加上预期在低价效应下,八月起终端市场买气可望加温,预期第三季FlashDRAM将延续六月份的上涨走势,有助于营运回升。


 


   创见第二季营收93.29亿元,年增率65.03%,上半年获利不仅居模块族群领先地位,与全球前三大厂金士顿、威刚等相较也有超前优势;六月底DRAMNand Flash比例42%、58%。


 


   创见上海第一期厂房已顺利完工并开始运转量产,目前月产能650万片,上海一厂八条SMT生产线,月产能400万片,预计第四季再加四条SMT;届时产能可达600万片,至于二厂兴建工程明年四月完工,明年第二季再增四条SMT,推升上海月产能达800万片。


 


  根据创见规划,整个上海厂区预计于五年内全部建制完成;届时所有需要大型厂区进行量产的产品线如MP3播放器、外接式硬盘、数字相框、卡片阅读机等,在产能及质量上都会获得大幅度的挹注与提升。


 


 

内存业 淘汰大战开打

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新闻分析:上攻万点 内存股扮要角

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来源:联合新闻网 2007.07.23


 


NAND Flash市场走强,在全球最大NAND芯片制造商韩国三星喊出「NAND下半年将缺货」后,威刚(3260)、创见(2451 )等台系内存模块大厂也陆续跟进看多,新帝拿出第二季转亏为盈的亮丽成绩,且预期出货持续成长,引爆「新帝概念股」风潮之际,也更加确定NAND Flash一路向上的市况。


 


NAND Flash早在6月下旬起便开始出现供货吃紧,其一来自于苹果iPhone及新款iPod需要高容量NAND支持,需求量庞大,加上数字相框、固态硬盘等新产品应用,也吃去不少NAND产能;其二是因为NAND Flash供货商陆续转进更先进的制程生产,但因制程微缩技术尚未成熟,生产良率仍无法达到一般正常水平,原本的计划产出的数量也就连带受影响而减少。


 


在「供给增加有限,需求持续成长」下,业者纷纷预期,NAND Flash市况发展仅有「缺货」可以形容,价格持续走扬。NAND Flash大卖,也让不少原本用来生产DRAM的产能转至生产NAND Flash,让原本有供过于求的DRAM市场获得出口,有助DRAM价格稳定,是内存界的另一大利多。


 


NANDDRAM市场同步向上,相关业者业绩随之水涨船高;就筹码面来看,相关族群占大盘权值也不低,在市场高度关切下,股价表现值得期待,可望成为协助大盘攻上万点的要角之一。

受惠宏碁和东芝新机种铺货,仁宝本季NB出货挑战600万台

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来源:科技投资网  2007.07.23


 


仁宝(2324)今年NB代工抢单积极,上半年即缴出逾千万台的好成绩,6NB出货177万台,也接近3178万台的历史新高;法人预估,仁宝受惠宏碁(2353)和东芝(Toshiba)新机种的铺货,再加上旺季效应来临,第三季NB出货有机会达600万台。


 


仁宝第二季NB出货512万台,较第一季490万台略有成长,今年仍以Dell为最大客户,约占出货比例的30%,不过宏碁和东芝也有各占20%的比例,第三季NB单月出货可望挑战历史新高。


 


法人指出,仁宝第三季NB出货将可达到600万台,第四季为全年高峰,将可达到620万台以上,全年逾2,200万台,在较投资的统宝(3195)第四季可望损益两平,和威宝亏损缩小,对获利改善可望有所挹注。

NAND组件在第三季即可能出现缺货现象

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来源:科技投资网 2007/7/23


 


根据EE Times报导,DRAMeXchange报告指出由于供货商转向更先进制造程序的过程不很顺利,导致了NAND闪存产量不如预期。再加上Apple的热门产品iPhone iPod会消耗掉大量的快闪芯片,因此市场担忧NAND组件将会出现缺货的现象。从第二季开始,NAND制造商就开始采用更薄的电路来生产芯片,不过由于这个技术尚未完全成熟,因此目前的产能无法达到原先的目标。


 


在过去三个月以来,NAND组件的现货与合约价格已经迅速上扬,DRAMeXchange相信这个涨价与先进程序技术的转换有关,而产量的降低与良率不够高有关。DRAMeXchange估计,iPhoneiPod将消耗第三季全球NAND组件产量的25%NAND产能的颇大一部分被划拨给Apple,来满足下半年的需求,而市场上其它许多业者则无法取得足够的供货。由于这些因素导致市场供应紧俏,因此未来价位还可能进一步上扬。另外,由于许多比较非主流的业者已经开始累积NAND组件的库存,希望确保能够满足年底圣诞销售旺季的需求,因此第三季就可能出现快闪芯片的缺货。DRAMeXchange预期NAND制造商可能需要两到三季的时间才能够提高良率,因此闪存的价位应该还会持续攀升。

CPU价格大战首战告捷AMD见好就收,英特尔急忙登场无奈却唱独角戏

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电子工程专辑   2007年07月23


 在经过盛夏的一些小冲突之后,芯片巨头AMD与英特尔之间刚刚开始的价格战可能会鸣金收兵,因为AMD宣称近期内并没有进一步削减CPU价格的计划,AMD公司负责北美市场的总监Gary Bixler说。


人们普遍认为,英特尔会在722削减其三款台式四核处理器的价格并在729削减其四核服务器SKU的价格。英特尔原本以为降价会是个绝妙的“招数”,不料却被AMD抢了先。继此前AMD的一轮降价之后,很显然,英特尔只落了个“拾人牙慧,了无新意”的笑柄。好在,此番价格战并不是可怕的持久战。


同时,Bixler还表示,全面战争也不会爆发,AMD公司只是把其双核Athlon 64 X2FX处理器的价格削减了33%


“我们在降价行动上的表现非常透明。去年,事情已经到了极其疯狂的地步,但是,今年我们会适可而止,与渠道相互配合,实现业务上的稳定。我们提前就降价行动与我们的渠道合作伙伴做了很好的沟通。我们尚未发布我们的下一步降价行动,所以就‘持币观望’吧,离下一个降价行动还远着呢,”他说。


Bixler补充说,Athlon 64的削减并不是“对英特尔任何降价行为的反应。”