Archive - 七月 19, 2007

巨亨网    2007 / 07 / 19  

一家研究公司表示，个人计算机(PC)的销售额第2季高过先前预期。 估计全球PC出货量第 2季增加 12.5%至5880万台，高过先前预测的 11.7%；而另外一家研究公司表示，PC出货量成长 11.7%至6110万台，日前预估为 10.6%。

这主要是因为亚洲市场的强劲需求，和美国市场销售额的回温所致，美国市场的销售额第 2季上扬7.2%，2006年第4季则下跌0.5%。

笔电的大幅成长也超出预期。

笔电在美国和亚洲市场的强劲成长，为Hewlett-Packard Co. (HPQ-US)带来利多，它在这两大市场的市占率都非常高。去年HP从Dell Inc.(DELL-US)夺回世界第 1的宝座，今年第2季它在全球市场的市占率从 15.9%扩张至19.3%。HP在全球PC市场的市占率，从 14.9%扩大至18.2%。

由于Dell过度依赖桌上型计算机对美国企业的销售，让它饱尝苦果，它的市占率已经从17.8%下滑至 15%。至于其它计算机大厂，宏碁 (2353-TW下单)继续维持高速成长，2家研究公司皆指出第2季宏碁的销售成长逾50%。

来源：存储时代   2007-7-19

由于市场需求上升，同时贯穿整个2007年前半年的降价终于止跌反弹，市场调研机构iSuppli将最近DRAM供应商的市场状况从负面（Negative）转至中性（Neutral）。同时NAND闪存市场的评级也获得了和DRAM相同的调整，尽管很多人认为目前NAND的高价只是短期现象。

在今年1月中旬，降低了DRAM市场的评级，之后DRAM市场历经了长达6个月的低迷，仅仅到了1月底价格就下降了70%。然而，到了7月份，市场需求开始好转，6月底DRAM芯片的OEM价格开始触底，并于7月上半月开始反弹。

尽管提升了DRAM市场的评级，但是该调研公司表示仍然会关注渠道方面库存的状况， DRAM供应商库存已经在减少，但是现货市场的库存水位仍然较高。根据OEM厂商的估计，库存水位仍有三到四周左右。

供应商一致抵制价格的进一步下跌以及市场触底是7月上半月DRAM价格上涨的原因。如果批发商和其他渠道商开始出售库存，市场需要就会下降。大多数批发商和其他渠道商在一到两个月之前购入内存的价格要高于目前的行情。

虽然DRAM市场前景看来不错，然而第三季度DRAM供应的位（bit）增长要低于今年的第一和第二季度，因为供应商将产能转换为利润更高的NAND闪存。台系厂商正在转入80nm以下的工艺制程， NAND闪存的高价是DRAM市场的有利因素。

虽然坚挺的价格对于NAND闪存供应商非常有利，第二季度时价格的增长主要是因为供不应求，这种状况不会维持很久，DRAM供应商为NAND分配更多的产能之后，到8月份NAND的价格将会再次下降。韩系DRAM厂商三星电子（Samsung Electronics）和海力士半导体（Hynix Semiconductor）在五月底六月初时就将DRAM产能转换为NAND，其影响到8月份就会显现出来。除了iPhone之外，NAND闪存市场还需要更多的推动力，才能在今年下半年恢复供需的平衡。

HKEPC.COM    2007-7-19

据市调机构DRAMeXchange指出，上周DRAM现货市场交易冷淡，通路商与模块厂追高囤货意愿不强，市场观望意味浓厚，促使现货价格向下微调。合约市场方面，七月下旬合约价仍然乐观，DRAMeXchange预计将有5%的涨幅，若成功增加DDR2 1Gb 70nm的产出，第三季获利可期。

上周DRAM现货市场交易清淡，交易量与买气也较两周前萎缩，连带影响DRAM现货价走势向下微调。DDR2 eTT颗粒微幅下降至2.17美元，跌幅1.81%；而品牌颗粒DDR2 512Mb则是下跌至2.24美元，跌幅为2.61%。

根据DRAMeXchange观察指出，近期DRAM现货需求疲弱的原因有三点。第一是Intel CPU将于七月下旬展开新一波促销方案，终端消费者在等待降价，使得市场需求尚未转强。第二是DRAM现货价格在上个月走势强劲，已高于合约价，通路商与模块厂普遍以消化之前低价库存来增加获利，对于进一步追高囤货的意愿不大。第三则是DRAM合约价格在七月初急涨之后，DDR2 512Mb颗粒价格拉升至2美元以上，市场观望意味浓厚而导致买气紧缩。

合约市场方面，在七月上旬合约价向上调整，DDR2 667 512MB UDIMM平均涨幅达16%以上的影响下，OEM厂商拉货的状况还算顺利，并没有因为价格上涨而显著的降低拉货数量。至于七月下旬的合约价， 集邦科技抱持着乐观的态度，预计将有5%的上涨空间；而在DRAM原厂的看法，DDR2 667MHz 512MB UDIMM/SODIMM应该可以到达20-21美金的水平，而DDR2 667 512Mb颗粒的平均售价可望为2.2美元。展望未来，若DRAM厂成功地在第三季增加DDR2 1Gb 70nm的产出，则获利可期。  

联合新闻网     2007.07.19

DRAM下半月合约价续涨5%-10%，今合约大厂南科(2408)强势表态、茂德(5387)除息走强，加上本周五及下周一南科、力晶(5346)将陆续召开法说会，对第三季的看法趋于乐观，类股买盘逐步加温。

南科、华亚科(3474)母子档法说会将在周五召开，受惠南科本月下半月合约价持续调涨5%至10%，今该股盘中有买盘大单急拉，有为法说会行情加温迹象。

尽管南科上季财报因为DRAM价格下跌，获利难度高，但该公司对于目前OEM客户的掌握度已愈来愈高，至季底的订单需求强，另看好下半年消费性电子产品需求带动，在产能排挤效应，DRAM厂持续大量供应DRAM的机会不大，预料法说会中对下半年的看法转为正面。

茂德今除息1.0158元，盘中最高填息4成，走势相对其他同业有劲，茂德目前暂定8月初举行法说会，对于合约价持续走扬趋势，该公司表示，可以感觉市场回温热度，预估下半年营运可比上半年好。

专业内存市调机构集邦也公布DRAM下半月合约价，集邦表示，7月下旬合约价仍然乐观，预计将有5%的涨幅，若成功增加DDR2 1Gb 70奈米的产出，业者第三季获利可期。

至于现货市场方面，集邦认为目前需求还是疲弱，主要原因有三。第一是英特尔CPU将于7月下旬展开新一波促销方案，终端消费者在等待降价，使得市场需求尚未转强。第二是DRAM现货价格在上个月走势强劲，已高于合约价，通路商与模块厂普遍以消化之前低价库存来增加获利，对于进一步追高囤货的意愿不大。第三则是DRAM合约价格在七月初急涨之后，DDR2 512Mb颗粒价格拉升至2美元以上，市场观望意味浓厚而导致买气紧缩。

联合新闻网  2007.07.19

茂德（5387）为筹措中科三、四厂营运建厂资金，今（19）日将与银行团签订207亿元的联贷契约，茂德70奈米制程进度居国内DRAM厂之冠，70奈米较前一世代制程节省三成以上的生产成本，茂德规划年底前将三厂全数转成70奈米，即将投产的四厂，年底前亦有1.5万片产能导入70奈米量产，有助茂德营运竞争力提升。

茂德昨（18）日进行1.02元现金股利的除息，由于权值不高，除息首日即填息15%，终场股价上涨0.15元、收13.3元，成交量10.5万余张。

茂德今年资本支出规划18.75亿美元，避免股本膨胀，茂德未来筹资倾向以联贷方式进行。

茂德今年初已发行3.5亿美元的ECB，这次再向银行团联贷207亿元，今年度的资本支出资金已全数到位。

茂德表示，此次联贷资金用途主要用于三、四厂转入70奈米制程之用，年底前，茂德生产机台可望全数由目前90奈米转为70奈米。

茂德目前新竹12寸厂月产能有2万片，中科三厂产能约5万片，本季即可将三厂产能拉高至6万片，年底前再提高至6.5万片。另外中科四厂目前建厂进度顺利，预计年底前有小量产出，今年规划可产出1.5万片。

茂德70奈米制程目前是国内DRAM厂中进度最快，本月单月投片量超过3万片，远高于力晶的1万片，70奈米目前平均良率已达85%以上，茂德今年底前将会有超过九成产能转为70奈米制程。

继四厂即将进入量产阶段，茂德亦顺利取得五、六厂建厂土地，公司也开始规划七、八厂建厂计划，未来将在中科再盖四座12寸晶圆厂，总投资金额超过2,300亿元。

国际电子商情   2007年07月19日 

SEMI消息，据新华社报道，湖北省单体投资规模最大的高科技制造项目——武汉12寸芯片厂一期工程主体结构已全线封顶，预计明年一季度，中国中部地区第一条12英寸90纳米集成电路生产线将在武汉光谷投产。

武汉芯片厂将分三期建设，一期工程总投资100亿元，由省、市、区三级财政共同投资，委托中芯国际集成电路制造公司经营管理，计划于今年年底建成，明年一季度投产。三期工程完成后，产量将达到每月10万片，年产出200亿元以上。

据介绍，12英寸90纳米集成电路生产线主要采用12英寸90纳米技术生产存储类芯片，包括动态存储器、静态存储器、闪存等，这些产品是各类消费电子产品如计算机、数码相机、MP4、数字家电、手机、显示器件等的核心部件。有关负责人说，目前芯片订单已排满到2009年。此项目将带动湖北半导体产业发展，并增加中国高端芯片的生产能力。

赛迪网    2007-07-19　　

7月19日消息，国外媒体报道，据中国台湾调研公司DRAMeXchange预计，今年第三季度，全球25%的闪存都将被苹果iPod和iPhone所用掉。

    DRAMeXchange称，今年第三季度，闪存公司25%的闪存产量都将输送给苹果，用于iPod和iPhone等产品中。当然，DRAMeXchange这里所指的闪存是指NAND闪存。

    以苹果在MP3播放器市场的份额，一定会与多家闪存厂商签署供货协议，尤其是三星，以保证闪存供货量。

    这对苹果的竞争对手而言就未必是件好事，因为他们必须要角逐余下的闪存供货。DRAMeXchange认为，今年第三季度，闪存市场可能会出现供不应求的局面。

    这主要是由于闪存厂商纷纷转向新的制造技术，最初，闪存产量和成品率必然有所下降。因此，DRAMeXchange还认为，今年晚些时候闪存价格将有所提升。

enorth.com.cn　 2007-07-19 

　　目前最快的显存都是由韩国三星电子提供，GDDR3显存速度达到了0.8ns，被NVIDIA GeForce 8800Ultra所采用；GDDR4显存量产的是0.9ns规格， AMD X1950XTX、HD 2900XT 1GB、HD 2600XT GDDR4都使用了0.9ns GDDR4颗粒。

　　GDDR4也有更快的0.7ns规格，但尚未得到大量使用。目前只有东翎生产了少量的HD 2600XT GDDR4显卡，该卡搭配了当前最快的0.7ns GDDR4显存。

　　在GDDR4显存都未能得到普及的情况下，存储芯片厂商已经在规划GDDR5显存。之前我们已经报道过，奇梦达宣布跳过GDDR4显存，直接进入GDDR5显存时代。

　　现在，作为DRAM领军人物的三星也悄悄公布了他们的GDDR5显存蓝图。根据BEYOND3D网站公布的这份蓝图，三星电子将从今年第三季度开始拿出3.2GHz-5GHz规格的GDDR5显存，这种显存采用FBGA 170Ball封装(GDDR3为FBGA 136Ball)G-Die工艺，16M×32Bit规格(与GDDR3相同)，工作电压仅1.5v(GDDR3为1.8v-2.1v)。

　　另外，三星将在今年年底到明年年初开始生产1Gb GDDR5显存，规格32M×32Bit，FBGA 170Ball D-Die工艺，工作电压1.5v，这就意味着显卡的显存容量可以再次翻翻——就拿8800Ultra来说只需12颗就能达到1.5GB 384Bit的规格，而HD 2900XT使用16颗就是2GB 512Bit。

　　预计GDDR5显存会在明年初量产，并且在下一代高端显卡上逐步取代GDDR3/4，2011年90%以上的显卡将会使用GDDR5显存，GDDR5低功耗、超高频率的特性非常吸引人，下一代游戏主机、NVIDIA、AMD、Intel的显卡都会使用GDDR5显存！

电子工程专辑    2007年07月19日   

Altera公司日前宣布，第一个在FPGA业界实现了对高性能DDR3存储器接口的全面支持。在最近通过的JESD79-3 JEDEC DDR3 SDRAM标准下，Altera Stratix III系列FPGA可以帮助设计人员充分发挥DDR3存储器的高性能和低功耗优势，这类存储器在通信、计算机和视频处理等多种应用中越来越关键。

这些应用处理大量的数据，需要对高性能存储器进行快速高效的访问。符合JESD79-3 JEDEC DDR3 SDRAM标准可满足DDR3存储器的1.5V低功耗电压供电要求，在下一代系统中，使系统功耗降低了30％，而性能更好，存储器容量更大，同时保持了对现有DDR应用的软件兼容性。

Stratix III FPGA支持直接嵌入到I/O单元中的读写均衡功能。这可以保证符合JEDEC写入均衡要求，校正到达FPGA的数据。DDR3 DRAM生产商Elpida、Micron、Qimonda、Samsung和Hynix都能够为今后的最终产品使用提供合格的各种速率和容量的DDR3存储器。

Altera亚太区市场总监梁乐观说：“通过了解客户今后的设计需求，并与JEDEC标准委员会密切协作，我们可以确保Stratix III FPGA具有符合DDR3的读写均衡功能。我们的客户将能够迅速发挥DDR3的性能优势。”

DDR3中使用的飞越(fly-by)终端提高了信号完整性，但是导致时钟和数据信号之间出现飞行时间斜移(flight time skew)。Altera针对高速工作提供交错DQ信号，从而补偿了斜移。

DDR3存储器满足了当今高级存储器应用对低功耗和高性能的需求。Stratix III FPGA 24个模块化I/O块上的1,104个用户I/O引脚均支持DDR3 SDRAM高速外部存储器接口，所有I/O块都有专用DQS逻辑，每个I/O含有31个嵌入式寄存器，可最大程度地发挥DDR3的性能。Stratix III器件支持最大时钟速率400 MHz、最大数据速率800 Mbps的DDR3。

Stratix III FPGA开发设计使用Quartus II设计软件7.1订购版，可在www.altera.com/download下载。Stratix III FPGA将于8月份开始发售。

    DDR3 SDRAM标准包括特性、功能、直流和交流特征参数、封装以及球脚/信号分配等。该标准定义了x4、x8和x16 DDR3 SDRAM器件JEDEC兼容512 Mbits至8 Gbits的最小要求。JEDEC是半导体行业标准的领先开发者。