Archive - 六月 5, 2007

赛迪网   2007.06.05    作者:王木　

【赛迪网讯】6月5日消息，业界盛传台积电有意收购南韩现代半导体(Hynix Semiconductor)8英寸晶圆厂，台积电今天拒绝评论，现代发言人则表示这则报导并无依据。

据《XFN-ASIA》报导，台积电发言人曾晋皓表示，台积电正在全球寻求8英寸晶圆产能，但并未做出决定，也不能对相关细节发表评论。他说，台积电正研究向同行收购设备，或委托同行代工的可能。

南韩Hynix发言人强调，双方并未达成任何协议，Hynix正考虑减少这类生产线的多种方式，包括出售、升级改造，或用来制造其它产品。

由于DRAM芯片价格暴跌，产能扩充过快，DRAM制造商正寻求可能调整方式因应。 eetimes网站引用业界研究报告资料，表示台积电与 Hynix正进行谈判，而且已近达成阶段。

6月份512Mb DDR2单位售价已跌至 1.89美元，对照去年10月份为 6美元，DRAM正历经10年来最冷的夏天。市场研究公司 iSuppli预估，本季所有DRAM厂商都会亏本。

这则报导中说， Hynix半导体在南韩、中国和美国拥有5条8英寸生产线，12英寸生产线仅有2条。

SOHU.COM   2007年06月05日

　由于内存市场需求长期疲软，计算机OEM厂商对内存砍价过甚，三星已决定中止对计算机OEM厂商的DRAM供货，其中还包括戴尔和惠普等大厂。但如此一来正好给了其对手海力士半导体和南亚一个绝佳的机会，两家纷纷争抢OEM厂商的订单。

　据市场研究机构DRAMeXchange称，五月下旬512MB和1GB的DDR2报价已跌至14美元和28美元，512MB的DDR2-533和1GB的DDR2-667则为17.5和35美元。

　现在的DRAM价格可说已跌至谷地，报价甚至比生产成本还低。为抵制如此无理的价格，三星决定停售它的DRAM。但显然三星没有发起一个抵制低价的统一战线，它的竞争对手海力士和南亚正抓紧其停售的时机清仓处理它们的库存。

　早些时候，当DRAM颗粒的现货价格跌至1.30美元的时候，一些DRAM制造商就开始停售股票以减少损失，同时也把部分生产转到了其它产品上，以减少由内存造成的损失。

　据创见公司所称，最近现货市场的内存价格反弹是由于DRAM厂商供货减缓所致。胜创公司也注意到这点，他们希望内存市场能在六月中旬以后健康回暖。

经济日报   2007-06-05    记者：周志恒、何易霖

DRAM价格大跌效应陆续引爆，第二季能否持续获利已充满变量。指标厂力晶（5346）4日公布5月营收仅52.28亿元，创近13个月来新低，与元月高点117.3亿元相较，业绩呈现「腰斩」；南科（2408）等DRAM芯片制造业者也认为，5月DRAM价格「跌太凶」，业绩表现势必受到影响。

   DRAM价格持续走跌，512Mb DDRII颗粒5月跌破2美元大关，下探业者生产成本。力晶5月营收52.28亿元，较4月下滑逾15%，不如去年同期的63亿元；南科也认为5月营收会比4月呈现两位数的衰退。

因产品跌价带来冲击，本土DRAM厂5月营收恐怕都将出现近一年多来，首度年增率「负成长」的尴尬情况。受营收衰退利空影响，DRAM厂4日股价普遍偏弱，力晶、华亚科都收平盘，南科、茂德则收小黑。

DRAM厂除了营收明显衰退外，能否持续获利也受考验。后段封测业者分析，以512Mb DDRII为例，芯片制造商12寸厂每颗生产变动成本约1.2 美元，加计固定成本及后段封测成本，每颗DRAM颗粒总生产成本超过2美元，分析现阶段DRAM厂要赚钱，并不太可能。

某市调机构认为，由于价格暴跌、产能增加迅速及业者高估Vista刺激市场需求等因素，今年第二季全球所有DRAM 芯片制造商恐都难逃亏损，是民国90年来首见，估计第二季全球DRAM业者的加权平均营益率为-19%，上次全球DRAM业者加权平均营益率呈现负值，是在92年第二季，当时仅韩国三星电子呈现获利。

DRAM业者对于市场状况发展仍不看淡。力晶表示，5月营收衰退，主要反应DRAM价格暴跌冲击，至于第二季是否会亏钱，目前「没有确切数字」。但由于代工出货量成长、12 寸厂的新产能持续开出以及70奈米制程开始投产，对后续的营运展望仍审慎乐观。

南科也认为，第二季要赚钱确实「有压力」，但目前DRAM价格应该已经是落底阶段，价格反弹值得期待，尤其先前NAND Flash市况较强，部分原本DRAM生产产能转生产NAND Flash 的效应，7月起陆续发酵，届时DRAM供给势必减少，有助市况发展。

中时科技  2007-06-05   涂志豪/台北

    日本DRAM大厂尔必达（Elpida）业务长（CSO）大冢周一昨（四）日表示，由于主要OEM计算机大厂已经开始动手采购DRAM，受惠于主要客户库存回补需求浮现，以及全球主要DRAM厂手中库存已降至安全水位以下，目前时间点来看，DRAM市场供需已趋近平衡，DRAM价格及市场景气已确定落底。大冢周一强调，随着OEM大厂搭载Vista操作系统的新计算机平台即将在第三季扩大出货，下半年DRAM将有强劲景气反弹，并有供给吃紧的情况发生。

    今年以来DRAM价格一路崩跌，512Mb DDR2有效测试（eTT）颗粒现货价最低一度跌至1.3美元，由于市场原本预期由Vista带动的需求潮并未在第二季出现，在市场供给过剩压力持续下，台湾DRAM厂都松口透露，第二季要获利大概不是件太容易的事。然而DRAM价格在上周出现强劲反弹，现货价上扬至1.7美元至2美元间，尔必达业务长大冢周一昨日则出面信心喊话，表示DRAM市场景气已触底。

    大冢周一表示，由供给面来看，苹果公司即将在六月底推出iPhone产品，在强劲的预购需求下，已迫使苹果公司扩大向内存大厂采购NAND闪存，由于目前NAND仍是可获利的产品线，韩国DRAM大厂已经有将DRAM产能回拨生产NAND的动作，所以DRAM市场产能持续开出的压力已获纾解，对解决供需失衡现象将有很大帮助。

    至于在需求面方面，大冢周一则指出，已经见到了OEM计算机大厂重启DRAM采购动作。他说明，因为Vista效应不如预期，去年下半年超额采购DRAM的OEM计算机大厂，今年以来的采购动作几乎停摆，才造成DRAM价格不断下滑，如今随着OEM厂库存获得去化，本月起开始放大采购量，DRAM厂供给量又获得控制，所以DRAM市场景气可说已触底，整个市场供需已在五月中旬趋于平衡。

    大冢周一也对下半年市况释出乐观展望。他表示，现在计算机内建DRAM模块容量已达1GB，随着Vista的市场渗透率提升，年底平均搭载率可达1.3GB，配合下半年市场进入传统个人计算机销售旺季，DRAM需求的成长力道不弱，DRAM有机会出现供给吃紧市况。

联合理财网  2007-06-05

市场传出台积电将购买Hynix8寸厂房，台积电表示的确一直想扩充8寸产能，预计2007年将花费4~5亿美元购买8寸厂房及设备。

IBTS认为台积电购买Hynix8寸厂主要用意在于发展电源管理IC代工市场，以提升未来的营运成长。对于国内电源管理IC设计厂立锜、致新、茂达、圆创、安茂及富鼎等公司提供更充沛的产能，有利其未来与国际电源管理IC厂竞争。

IBTS评析

◆台积电在2007年初表示，2007年将扩大8寸厂规模，IBTS认为主要原因在于将发展模拟IC中的电源管理IC，以提供国内外IC设计厂更多的8寸产能。然而以目前电子终端产品来看，除了PC相关芯片及手机相关芯片顺利转进12寸厂外，大部份IC设计厂所推出的新产品均还停留在8寸厂的阶段，故在12寸厂所投入的产品未来成长有限下，台积电未来营运要持续成长就必需靠扩大8寸厂规模来达到提升营运的效果。

◆就全球8寸厂而言，目前数量最庞大的集中在DRAM厂手中，包含美商Micro、韩国的Samsung、Hynix及台湾的五大DRAM厂。以台厂来看，华邦电已确定将8寸厂卖给台积电子公司世界先进，其余厂商均未处理8寸厂未来的出路。由于DRAM以8寸厂生产已经不具有生产价值，加上DRAM产品走向DDR2 667以上已无法在8寸厂生产，故如2008年DRAM走向DDR3后，国内外的DRAM厂商势必面临处理8寸厂的去路。

◆以美光Micro来看，目前朝向sensor产品发展，未来仍会大量始用8寸厂。至于Samsung将8寸厂转作生产NAND Flash，而国内的力晶也是将8寸厂转作Flash产品或DRAM。因此目前比较有8寸厂处理压力的DRAM厂为南亚科及茂德等厂商，因此未来如果台积电要持续扩充8寸厂规模下，这两家厂商均有机会成为购买的对像。

◆IBTS认为台积电扩充8寸厂将有利于国内电源管理IC设计厂未来发展，并提供如立锜、致新、茂达、圆创、安茂及富鼎等电源管理IC设计厂更充沛的产能，有利其未来与国际电源管理IC厂竞争。

科技投资网    2007/6/5

根据Semiconductor Industry Association (SIA)发布的报告，今(2007)年四月份全球半导体销售达到199亿美元，比去年同期成长1.6%，但比三月份的203亿美元减少2.1%。今年前四个月的销售比去年同期增加3.7%。SIA指出，半导体市场中数个较大领域，包括微处理器、DRAM与NAND flash，平均价位下跌的幅度，都比传统模式来得大，抵销了出货量的成长。其中微处理器的平均售价在去年一直受到很大的压力，而在今年前四个月亦然；元月到四月份的销售金额比去年同期减少2%，出货量则增加近10%。

DRAM与NAND闪存，同样出现平均售价降低，出货量提高的现象。四月份DRAM出货量比去年同期增加近50%，但销售金额仅成长27%；NAND组件出货量成长54%，但销售金额反而下滑近1%。也就是说，市场对于半导体的需求量维持强劲，但平均售价的降价却比传统模式更激烈，导致全球销售低于预期，但仍高于去年同期的水平。 SIA指出今年第一季半导体产能利用率为87.6%，略高于去年第四季的86.8%；代工业产能利用率则从80.9%下跌至79.8%。另外，iSuppli的数据显示目前半导体库存有提高的趋势，反映出业界对于下半年需求提高的预期心理。

科技投资网  2007/6/5

联电(2303)与英商ARM公司共同宣布，使用ARM公司的ARM SOI（绝缘层上覆矽）设计单元数据库的测试芯片，已成功在联电65奈米制程上进行设计定案。这项测试芯片由一组ARM公司的的实体IP所组成，采用标准组件设计单元数据库，输入／输出设计单元数据库以及单端口SRAM（静态随机存取内存）编译器。SOI技术也可提供比大宗CMOS制程最高到28％的速度强化以及降低10％的电源消耗。

联电多年来研发SOI技术，这项技术则是始于2006年1月联华电子与SOISIC公司策略合作开始。2006年10月ARM公司并购SOISIC公司并与SOITEC公司合作，并延续与联华电子的合作，开始为大宗CMOS（互补金属氧化半导体）制程提供SOI设计单元数据库与多样化的实体IP。

市调公司Semico Research认为半导体芯片的效能正持续将大宗CMOS制程的功能推向极限。高效能芯片为SOI技术提供了近期最好的机会。可携式产品正快速演化，需要高效能的视听平台，而SOI技术所提供的速度与功率均能满足这些需求。

电子工程专辑     2007.06.05

一种与USB完全兼容的新型高速存储卡miCard即将推向市场。miCard得到MultiMediaCard Association的支持，采用台湾地区的核心技术，可能正是系统设计人员需要的产品。该卡可插入标准USB插槽,并符合MMC电气规范。对消费者而言，他们不再需要为个人电脑购买MMC/SD读卡器。如果该产品广受欢迎，系统设计人员不再需要设计内置读卡器。

miCard卡具有60Mbps的吞吐率，具有处理2048GB的能力，只有索尼的MS Duo和Pro可与之相比，只有microSD (15x11x1mm)比它的大小(12x21x1.95mm)更小一点。MMCA将在六月发表技术规范，第三季度有望进行首次量产。

开展这个项目的台湾地区工业技术研究院(Industrial Technology Research Institute, ITRI)的Liu Chih-yuan透露，当这种存储卡很受欢迎时，消费电子产品供应商表示将为其专门设计插槽。

该卡的涉及功能还包括功耗低于USB 2.0，比读卡器更便宜的硬连线无源适配器(约9美分)，支持智能卡或者用户身份模块卡以方便移动电话设计。最终miCard的吞吐率将达到120MB/s，但内部的NAND芯片接口是瓶颈所在。

台湾地区工业技术研究院三年前开始设计，主要的目标是摆脱SD卡6%的版权费用。当然，该卡的成功与否还未可知。台湾地区虽然在存储卡产业具有很强的能力，但消费者才是最终的决定方。目前已经有8种卡，只有喜爱技术的消费者才会采用与USB兼容各式的方便之处，市场营销是关键所在，但这并不是台湾地区厂商的强项。

已经承诺支持这种卡的公司包括A-Data、BenQ Corp、Carry Computer Eng、C-ONE Technology Corp、DBTEL Inc、Power Digital Card Co.和RiCHIP Inc。

科技投资网  2007/6/5 

伴随着五月以来进入DRAM价格最「惨淡」的一月，DRAM厂五月营收也同步走入谷底，法人估计DRAM四厂五月营收恐面临全面衰退的局面，其中以华亚科(3474)跌幅最小，衰退的幅度在一成以内，另外，力晶(5346)五月营收月衰退15.8%，而南科(2408)五月营收月衰退约16%-18%，至于茂德(5487)五月营收将可能有逾2成的跌幅。

由于华亚科主要是卖DRAM矽晶圆为主，相对DRAM价格在大涨或大跌时，其相对而言的涨跌波动较小，故面对这一波DRAM的跌价，其受伤程度最轻，再加上华亚二厂新产能不断开出，可弥补ASP下掉的损失，法人估华亚科5月营收约在33-36亿元之间，月衰退在一成以内，跌幅最小。

力晶五月营收52.28亿元，月衰退15.8%，年衰退17.18%，累计前五月营收为403亿元，年成长48.62%，力晶副总谭仲民表示，因DRAM价格落底，导致五月营收较四月衰退15.8%，但由于代工出货量成长、12M厂的新产能持续开出以及70奈米制程开始投产，公司对后续的营运展望仍审慎乐观。

由于受到DRAM合约价也有不少跌幅影响，法人估计南科五月营收约在35-37亿元，月衰退约在16%-18%之间，南科表示，五月下旬合约价大部分为持平，小部分为小跌5%，六月上旬合约价约可达持平或小涨的局面，可望终结合约价跌跌不休的局势，而下半年在8寸厂退出标准型DRAM市场以及Nand flash可望用去更多产能下，DRAM市场将可达到供需平衡的现象。

而茂德法人估计其五月营收约在31-33亿元的水平，月衰退约为25%，然受惠于晶圆三厂70奈米投片量逐月提高，可望进一步压低其成本结构。

DIGITIMES     2007.06.05   吴宗翰／台北

尔必达全球销售长大塚周一4日表示，目前看来DRAM价格已在5月中旬左右正式落底，尔必达不打算继续将价格下压，下半年全球DRAM市场应该会出现供给严重短缺情况，最主要因素是需求端成长幅度大于供给端。南亚科副总经理白培霖则认为，下半年供需状态将趋于平衡，在供给端成长上开始走缓，而进入市场需求旺季后，自然会让DRAM产业供需更加平衡。

大塚周一表示，先前有些市场调查机构象是Dataquest预测2007年DRAM市场需求的Bit Growth约60％，不过最近他们已经将这数字修正到80.4％，尔必达认为2007年DRAM市场下半年会开始出现短缺现况，主要是所有需求自下半年起将出现强劲力道。例如2007年上半年与下半年PC成长幅度约为40％~50％左右；手机部分，第1季看起来相对较弱，不过到了第2季已经见到上升状态。

他进一步表示，2007年计算机内部使用的DRAM模块容量到第4季将会成长到1.3GB左右，而现在每套PC内部DRAM模块容量约1GB左右，因此他预期2007年下半年用在PC的DRAM营收将会较上半年成长50％左右。至于移动通信及数码相机上的DRAM也会有强劲成长。估计2007年手机量大约是11亿支左右，成长速度非常惊人。

而游戏机部分象是PS3也会开始成长，自2007年6月起将进入销售旺季。此外在NAND Flash需求部分也会快速成长，主要是是苹果的iPhone到了2007年第4季左右对于NAND Flash的需求将占整体NAND Flash产能的20％~25％左右。

至于在供应端部分，目前尔必达预测自家的PC用DRAM在下半年与上半年相较，应会有35％~40％的Bit Growth，他进一步强调并不是所有的DRAM厂都可将制程技术顺利转到70奈米制程，原因还是在于8寸厂并不适合再继续投产70奈米制程，这部分将大幅限制DRAM供给的成长，此外尔必达也认为当前OEM计算机大厂及DRAM厂库存状态并非外界想的那样多，因此并不担心库存水位。

整体来说下半年需求成长幅度将会高于供给成长幅度，因此DRAM下半年市场状态相当不错，甚至会出现供不应求情况。至于尔必达半导厂现在每个月产能约8万片左右，预计到2007年底将会有70％左右产能采用70奈米制程，512Mb与1Gb的产能比重约50：50。而瑞晶8月开始样本出来预计9月开始大量采用70奈米制程投产1Gb产品。