来源：科技新闻 2007.06.28
华邦电(2344)宣布与德国奇梦达公司(Qimonda)签订75奈米与58奈米沟槽式DRAM制程技术移转及产能合作协议，预计在华邦中科十二寸厂生产，华邦电的标准型DRAM约占营收比重5-6成，而大部分则是供应给奇梦达。
华邦电表示，此次协议一方面华邦电可持续提供奇梦达标准型DRAM产品代工服务，双方除了可延续利益共享的合作模式外，代工计价机制也更为减低DRAM市场价格波动之影响，另外，华邦电可以在十二寸厂生产经济规模下，发展行动内存等利基型产品，经营自有品牌产销，未来华邦电将可应用58奈米制程技术，开发Low Power SDRAM、Pseudo SRAM、消费电子产品DRAM等利基型内存产品。
至于在目前产能规划方面，中科的12寸厂目前Module A已达月产能24000片满载水平，90奈米制程良率稳，80奈米依规划进度逐步量产，而Module B扩产计划正积极开展，预计2008年中75奈米开始量产。
来源：小熊在线 2007.06.28
根据台湾主板制造商的消息说，按计划将于今年第三季度推出的英特尔整合图形处理器芯片组G35在2008年以前将不会支持DirectX 10。
根据Intel原来的计划，今年第三季度推出的G35芯片组是会支持DirectX 10的，但由于DirectX 10的发布出现一些问题，因此Intel只能先在今年第四季度推出开发版的DirectX 10，如果顺利才在明年第一个季度推出最终版本。除此之外，原定于今年第三季度面世的Intel Centrino笔记本平台（Santa Rosa）芯片组GM965和GL960也因DirectX 10的问题被迫推迟至明年一季度发布。
由于Intel计划进入独立图形处理芯片（GPU）市场，因此一些主板制造商都认为Intel会加快显卡驱动方面的研发，否则Intel的显卡驱动问题绝对会使其在GPU市场的竞争力大打折扣。
来源：小熊在线 2007.06.28
据行业内部的消息说，中国将在
据该消息称，这场规模浩大的打击走私内存产品的行动将持续到七月底，主要打击目标是那些为了逃避中国官方17%的增殖税而不惜铤而走险从香港走私内存相关产品到大陆的渠道商。另外据该消息称，当地一些走私内存产品的渠道商已经被警方逮捕。
该消息指出，台湾的内存制造商通常会把自己的内存产品发到香港的渠道商手里，然后由这些渠道商负责发往中国大陆的各个渠道，制造商方面对此的解释是这些渠道商对国内的市场非常熟悉。
制造商们则解释说，尽管台湾制造商通常会要求香港渠道商通过合法的渠道将产品发送到大陆，但是要监督他们究竟是如何将这些内存产品发到大陆市场却是很困难的。
来源：联合晚报 2007.06.28 记者徐睦钧/台北报导
专业内存市调机构集邦科技推出最新研究报告，首次明确看好DRAM下半年行情，其中512Mb DDR2现货价预估会在2至2.5美元间，合约市场则在7月中旬后反弹；至于NAND Flash则看好SLC型短期内价格仍持稳向上。
集邦科技这一波对于DRAM价格的涨势原先看法较保守，惟在最新的分析报告中，已对于目前DRAM厂不愿意继续杀低价格出货，以及大陆严打DRAM走私活动等因素，提出对下半年行情更为明确的表态，预估DRAM下半年在旺季支撑下，依往例仍有不错的行情表现。
集邦指出，从7月开始将进入大陆的暑促时期，加上英特尔也会在8月后对于低阶的CPU进行降价动作，这些都有助于提升市场需求，促使下游通路商开始积极备货，带动现货市场明显回温。
其次近期香港及深圳打击走私，逮捕许多交易量较大的代理商，导致从香港走私至大陆的DRAM数量明显减少。然而课税后过高的DRAM价格，是否会牵动大陆暑假的实质需求，将是影响终端通路库存能否去化的关键。
根据集邦过去两年的观察，DRAM现货市场价格通常在下半年有不错的表现，预估现货市场价格近期将会在2.-2.5美元之间盘整。合约市场方面，集邦估7月后是美系PC OEM厂商的财报季底，各家厂商会冲刺销货量美化本季财报，将有利推升DRA的需求，因此7月中旬以后，合约价格将有机会反弹上扬。
另6月NAND Flash终端产品的市场需求处于稳定状态，集邦预估，SLC型NAND Flash市场价格短期内仍然持稳往上，整体NAND Flash 市场下半年价格稳定，向下滑落机会不大。
来源：科技新闻 2007.06.28
飞思卡尔（Freescale）26日表示，为降低成本、提升产能供应的弹性，未来先进制程产品将扩大晶圆、封测委外代工。目前飞思卡尔在台晶圆代工伙伴包括台积电、联电，封测厂商日月光、矽品。
飞思卡尔即将上市的新一代车用电子微控制器芯片，已确定委由台积电代工，双方将展开90奈米制程合作。另外，由于飞思卡尔新一代45奈米制程研发倾向采用SOI制程，与台积电不同；联电、特许大举投入SOI制程，力争成为飞思卡尔45奈米制程以下的合作厂商，与台积电分食代工订单。
飞思卡尔共有7座晶圆厂，分布于美国、法国、苏格兰及日本等地，并在马来西亚及天津设有封装测试厂，由于兴建一座晶圆厂的投资金额动辄数10亿美元，飞思卡尔因此选择保持弹性的委外合作模式。目前飞思卡尔委外代工的芯片，以车用微控制器为最大宗，飞思卡尔的汽车电子微控制器全球市占率25%，是该领域的龙头厂商。
来源：巨亨网 2007.06.28 查淑妆／台北
继2005年10月AMD向北京大学转让其低功耗x86微处理器核心技术后，北京大学26日发布阶段性创新成果，并计划在2008年上半年推出x86兼容的北大众志86系列首款产品。
新华网27日报导，北京大学在对转让的x86技术进行优化和创新，已成功地在FPGA系统板上启动Windows(包括Win98、Win2000、WinXP、Win2003等)和Linux操作系统，并成功运行应用程序，显示AMD完成了对中国的x86微处理器核心技术转让。
由于AMD的技术移转，北京大学下属的北大众志公司现在已具备开发x86兼容CPU产品的能力，这将有助于推动中国自主x86技术在未来信息产业技术领域的发展。
北大众志公司透露，该公司计划将于2008年上半年推出X86兼容的北大众志86系列的第一款产品。不久的将来，中国就会有机会构建采用中国自主核心技术的X86兼容CPU的产业和应用体系。
来源：工商时报 2007.06.28 彭暄贻/台北报导
为持续推展DRAM成本竞争力，力晶（5346）与日本Elpida（尔必达）合资成立的瑞晶将在台建第二座十二寸DRAM厂，预计八、九月动工，至于瑞晶一厂正装机试产，大量生产会在八、九月，年底产能三万片，挹注力晶、尔必达营运动力。
据了解，尔必达、力晶合资的瑞晶，规划首座十二寸厂正式运作的十二个月内，交出营收规模一百二十亿元的成绩（华亚科成立首年营收六十亿元），法人认为，瑞晶R1厂下半年进入量产阶段，推估对力晶今年营收贡献约二十五亿元至二十八亿元。
根据力晶、Elpida的合作蓝图，瑞晶将在台湾盖四座十二寸厂，第一座十二寸厂将以70奈米制程于第三季大量生产，年底产能三万片；明年一月再移入六万片产能的设备，四月新设备试产，瑞晶二厂部分，今年八、九月动工，明年六月移入三万片产能的设备，十月试产。
此外，力晶第二季的自身工作重点包括
来源：经济日报 2007.06.28 记者何易霖、周志恒／台北报导
华邦电（2344）昨（27）日宣布，与德国DRAM大厂奇梦达（Qimonda）签订75奈米及58奈米沟槽式DRAM制程技术移转及产能合作协议，明年下半年先启动75奈米制程量产，月产能约1万片。华邦电表示，以DRAM技术演进时程推断，取得技术至58奈米后，与奇梦达之间的合作关系也延伸到至少2010年，确保华邦电12寸厂维持稳定稼动率，有助降低成本，带来长期订单保障。
目前台湾主要DRAM厂中，已陆续取得90奈米以下技术，其中力晶（5346）与日商尔必达（Elpida）合作，茂德（5387）技转自韩国海力士（Hynix），南科（2408）与华亚科（34 4）则和华邦电一样，技术与奇梦达合作。随华邦电取得奇梦达75奈米制程技术资源，本土五大DRAM厂已全数具备新世代制程战力。
华邦目前中科12寸厂主要为奇梦达代工512Mb DDRII DRAM产品，现阶段月产能约2.4万片，其中约1.6万片为90奈米制程技术，近期也开始进行80奈米制程投片，估计年底80奈米投片量可达1万片，每单位晶圆产出量较90奈米可增加近两成，成本也可降12%至15%。
华邦电现正规划12寸厂第二阶段扩产计划，预定先投资46亿元，进行洁净室等硬件工程，今年中将再规划机台投资计划，估计金额约400亿元，新产能将自明年中开出，将分阶段在未来两年内完成，粗估二阶段扩产完毕后，总月产能将较现阶段倍增。
今年台湾DRAM厂中，包括力晶、南科、茂德、华亚科以及瑞晶等，陆续都有新的产能开出，随着华邦也宣布扩产，台湾所有DRAM芯片商扩产计划全数到位，产能大战一触即发。
业界认为，华邦电与奇梦达延伸合作关系，有助消化新产能，带来长期订单保障，且制程微缩后每单位产出增加，有助降低成本，近期DRAM价格回春，华邦电下半年营运可望拨云见日。华邦电昨天股价爆量走扬，一度攻上涨停价13.25元，收盘价12.95元，上涨0.55元，成交量近10万张。
先前DRAM价格急跌，华邦电营运同受波及，年初以来营收一路下滑，5月营收23.4亿元，较上月减少12.34%，并创下近一年多来单月新低。华邦认为，第二季营运「确实辛苦」，但目前看来DRAM价格接近DRAM厂变动成本，已趋于底部，配合下半年传统旺季即将来临，7月起价格应有机会向上反弹。
来源：电子工程专辑 2007.06.28
根据集邦科技(DRAMeXchange)所公布的最新内存市场调查报告，上周DRAM现货市场价格仍持续上涨，但涨幅已经减缓。DDR2 eTT颗粒上涨至2.23美元，涨幅9.3%；品牌颗粒DDR2 512Mb
集邦科技表示，从七月开始将进入大陆的暑假促销时期，加上英特尔(Intel)也会在八月后对于低阶的CPU进行降价动作，这些都有助于提升市场需求，促使下游通路商开始积极备货，带动现货市场明显回温。然而近期香港及深圳地区严格的打击走私活动，逮捕了许多交易量较大的代理商，导致从香港走私至大陆地区的DRAM数量明显减少。然而课税后过高的DRAM价格是否会牵动大陆暑促的实质需求，将是影响终端通路库存能否顺利去化的关键。
而根据集邦科技过去两年的观察，DRAM现货市场价格通常在下半年有不错的表现，尽管目前现货市场报价涨幅已大，但是在下半年旺季的支撑下，DRAM业者不愿意在继续杀低价格出货，该机构估现货市场价格近期将会在2.0~2.5美元之间盘整。
合约市场方面，近期PC OEM厂商仍有低价库存，加上全球DRAM厂商供给数量持续增加，因此六月下旬的合约价尚未跟上现货市场的涨幅。但是进入七月后，是美系PC OEM厂商的财报季底，各家厂商会冲刺七月份的销货数量以求美化本季财报数字，将有利于推升DRAM的需求，因此集邦科技预估七月中旬以后，合约价格将有机会反弹上扬。
在闪存方面，六月份NAND Flash终端产品的市场需求处于稳定状态，但整体市场价格却因SLC的供货短缺，加上供货商现阶段并无计划增加SLC的产出，因此DRAMeXchange预估SLC型NAND Flash市场价格短期内仍然持稳往上。
NAND Flash市场的SLC供应量明显的在缩减中，但是目前市场上仍有一些产品需要使用SLC型NAND Flash芯片，包括GPS导航装置、DSLR (单眼数字相机)使用的高速记忆卡，以及目前话题性十足的固态硬盘(Solid State Drive，SSD)等。这些产品多半讲究NAND Flash的稳定度、读写速度和寿命，且上述这些利基型产品的市场发展仍处于成长的阶段，因此目前SLC的供应状况呈现短缺的状态。
相对于SLC的产出比重持续递减，目前MLC已泛使用在各种NAND Flash的应用领域。同等容量的MLC生产成本比SLC少20%到30%左右，且MLC的读写速度与寿命足可应付多数NAND Flash终端应用，例如：随身碟、记忆卡、MP3播放器等，因此从去年开始NAND Flash供货商持续调升MLC的产出比重，目前MLC的产出比重已经接近80%。集邦科技的推估MLC的产出比重到今年底时大约是在85%上下。
在SLC供货不足，且供货商近期的策略仍维持将SLC产出比重往下调整，因此集邦科技认为在短时间内NAND Flash的整体市场价格仍然稳定，向下滑落的机会不大。展望第三季，NAND Flash的市场价格走势，由于供需状况已较平衡，加上传统旺季即将来临，预期会呈现比较稳定的状况。
来源：DIGITIMES 2007.06.28 吴宗翰／台北
NAND型快闪存储器(Flash)供应端下半年恐将拉警报，造成供货严重不足主因，除英特尔(Intel)为抢进50奈米制程，决定既有采用78奈米制程所生产NAND Flash将暂不供应下游客户端，还有三星电子(Samsung Electronics)及海力士(Hynix)亦为强化整体竞争力，被迫将产能加速转进至50奈米主流制程，加上为供应苹果(Apple)下半年庞大订单，还必须挪出部分采70奈米制程产能，在产能两头烧情况下，亦无力满足下游客户订单需求，因此，业界纷预期2007年下半全球NAND Flash市场将出现严重供不应求。
存储器业者表示，根据来自英特尔消息指出，由于英特尔及美光(Micron)所合组IM Flash在78奈米制程技术上，其生产成本竞争力上无法与三星电子、东芝(Toshiba)及海力士等竞争者相抗衡，因此，决定现有采用78奈米制程所生产NAND Flash，暂时停止卖到下游客户，仅供应英特尔或美光内部自行使用。
事实上，IM Flash为能赶上竞争对手，近期已积极调拨产能抢进50奈米制程，希望未来能藉由50奈米制程，得以与三星、东芝及海力士平起平坐，不过，值此新制程转换之际，亦将造成NAND Flash市场在短期内将失去许多来自IM Flash的供应量。
至于三星及海力士同样面临产能调拨、造成供给量不足问题，存储器业者指出，三星及海力士为能在未来NAND Flash市场更具有竞争优势，近期均调拨相当多产能至50奈米制程，但截至目前采用50奈米制程良率仍不佳，使得产出量未如预期，加上为满足苹果下半年NAND Flash订单庞大需求，必须保留部分