Archive - 六月 27, 2007

来源：巨亨网   2007.06.27    周玲娜/上海

近日，台湾经济部(Ministry of Economic Affairs)政务次长施颜祥(Y.S. Shih)周二表示，台湾政府已初步批准四家台资芯片测试及封装企业到中国大陆投资。

据悉，这四家公司分别是日月光半导体制造股份有限公司、硅品精密工业股份有限公司、超丰电子和华东科技。按收入计，日月光半导体是全球最大的芯片测试及封装企业。

台湾对科技企业到中国大陆投资有严格的管制，且不允许台湾公司在中国大陆采用最先进的生产技术。台湾政府各个部门和金融监管机构的代表组成了一个委员会，对芯片生产、测试和封装以及平板显示器生产等项目的投资计划加以审查。去年4月份，台湾政府批准芯片测试和封装企业在一定的条件下到中国大陆投资。

据了解，包括台湾经济部长及台湾金融监督管理委员会和台湾央行官员在内的多部委联合委员会审查了日月光半导体制造股份有限公司、硅品精密工业股份有限公司、超丰电子和华东科技的申请。施颜祥表示，委员会认为，所有四家公司的申请都符合现有的监管标准。但申请还有待台湾经济部投资审议委员会的最终批准。

来源：巨亨网    2007.06.27  编译赵健君／综合外电

《日本经济新闻》27日报导，内存芯片制造商Elpida (6665-JP)与台湾力晶 (5346-TW下单)的合资公司瑞晶已决定在台湾兴建第 2座DRAM厂，最快明年秋季即可大量生产。

瑞晶第 1座工厂将在下个月投产，初期每月生产数千片12寸晶圆，年底前提高至 3万片，明年夏季可达 6万片。

第 2座晶圆厂将设在第 1座工厂旁，瑞晶每月产能将可大幅提高到12万片。公司希望透过进一步扩张，在2011年度将月产能提高到24万片。

来源：小熊在线    2007.06.27

DDR/DDR2/DDR3标准的制定者JEDEC（Joint Electronic Devices Engineering Council，美国电子设备与工程联合委员会）日前表示，他们已经正式完成DDR3内存标准的制定工作。

JEDEC称，与DDR1和DDR2相比，DDR3在降低功耗等各方面的性能都已经有了很大提高，使用范围也在不断扩大。DDR3的特点是拥有更高的频率和带宽，采用1.5V的电源和内存讯号终端电阻技术（On-Die Termination，ODT），但会提高运行时的温度等。

同时担任英特尔（Intel）与JEDEC董事会成员的的Paul Fahey表示，DDR3标准是发展新一代低功耗、高性能内存的关键。DDR3将在未来的移动平台和要求最高性能的应用平台中起决定性作用。对于笔记本电脑来说，DDR3内存的意义更大，因为它可以提升笔记本电脑在视频、编解码、游戏、3D视觉方面的性能。

AMD资深主任兼JEDEC JC-42.3工作小组主席Joe Macri表示，DDR3标准代表了内存、系统、各电脑组件以及模块制造商通力合作的最高水平。

根据标准，DDR3内存将采用堆叠式封装技术，容量从512MB至8GB不等。除了制定DDR3内存具体标准外，JEDEC还正在加紧制定DIMM（Dual Inline Memory Module，双列直插内存模块）、无缓冲DIMM（Unbuffered DIMM）、小外形DIMM（SO (Small Outline) DIMM）等基于DDR3的内存标准。

另外，JEDEC还宣布今年10月3日-4日将在美国加州的圣何塞市举行DDR3 Technical Workshop展示活动。届时，全球主要的DRAM和芯片组制造商都将携各自符合DDR3标准的产品出席展会。在展会上还将有介绍内存发展史的演示，以及针对JEDEC标准的提问活动等。

来源：赛迪网  2007.06.27

【赛迪网讯】6月27日消息，韩国三星电子公司领导本周二宣布，DRAM内存芯片的市场需求，将从今年下半年开始迎来反弹，从而将带动整个电脑芯片产业的价格重新回到正常水平。

据韩联社报道，“如今断言DRAM内存价格已经跌入最低点还为时尚早，不过电脑芯片需求量从今年下半年开始确实有所上升，其中全新电子产品的推出功不可没。”三星电子半导体业务部门总裁changkuy先生在接受记者采访的过程中表示。

来源：国际电子商情    2007.06.27

小型快闪记忆卡封测市场随著新进者增加而热闹滚滚，但封测代工降价压力也随之大增。封测业者表示，自第1季每颗1美元关卡失守后，已有部分名不见经传的小型成卡封测厂陆续倒闭，现在又有业者喊出0.7美元价位，先前已有业界人士预测，2007年下半代工价格会见到0.6美元，一旦出现0.6美元价位，将使得更多中小型封测厂面临亏损而退出市场。

台封测厂看好小型记忆卡商机，近年来记忆卡封测产能大举增加，既有封测厂如矽品、华泰、力成、胜开、硕达、典范等纷增加成卡封测产能，而新公司如群丰、坤远也陆续成立；另有华东、菱生、福懋科于2007年宣称将进入成卡封测市场；存储器封测起家的联测也宣布跨入市场，与新帝(SanDisk)进行认证，预计第3季初可量产。

随著产能愈开愈多，加上记忆卡持续降价，使得封测价格下滑压力有增无减。记忆卡封测代工价格在2006年中时约为1.4~1.5美元，第1季时1美元价位失守，第2季处于0.8~0.9美元，现已有过度投资情况，不少小型厂商因亏损不堪而倒闭。据封测厂指出，如今已听到业者喊出0.7美元，甚至有业者预测，下半年代工价格可能会出现0.6美元价位。

依照成本结构推估，代工价格若为0.8美元，扣除材料成本约0.4美元，加计其它人事、租金费用等，毛利约0.2~0.3美元，倘若代工价格降至0.7~0.6美元，将大幅压缩获利空间。

台湾第2大成卡封装厂华泰电子表示，降价压力一直都在，目前还没有听到代工价格真正降到0.7美元，但也不能保证未来不会发生。对封测厂而言，在降价压力情况下，除非达到足够经济规模，否则很难取胜。华泰举例指出，以月产能500万颗和100万颗相较，2者的每单位平均价格(ASP)相差15%，这意谓月产能在500万颗以下、尤其不到300万颗规模的中小型厂，存在营运危机。

除经济规模外，技术也是致胜关键。台湾最大成卡封测厂矽品董事长林文伯曾提及，快闪记忆卡是矽品下半年重点投资项目之一，该项产品多应用于消费方面，需求量持续增加，矽品以多芯片堆叠技术取胜，现已推出5~6个芯片堆叠技术，良率高、主攻高阶市场，单价亦较高，与以2颗芯片堆叠为主的新进者有所区隔。目前业界宣称推出5个以上芯片堆叠且良率高的厂商除矽品外，尚包括华泰、坤远等。

来源：路透社   2007.06.27

路透旧金山电---全球第二大个人计算机(PC)厂商戴尔<DELL>周二推出新款笔记型计算机,该款带有高级功能的计算机外观有八种可选色彩,戴尔欲藉由新产品在消费PC市场中获得更多份额.

戴尔亦推出首款采用闪存(闪存),取代传统硬盘机(硬盘驱动器)储存数据的消费PC.该款机身轻便的笔记型计算机的数据储存空间为32GB(gigabyte).

戴尔推出新产品旨在赶超惠普,为其提高笔记型计算机销量的步骤之一,笔记型计算机是PC市场成长最快的领域.去年惠普取代戴尔成为全球销量最大的PC厂商.

戴尔本月开始通过零售店沃尔玛<WMT>出售PC,这打破了其沿袭23年之久通过网络或电话直销的模式.公司表示,计划在未来数月宣布与更多零售店的合作关系.

众多封测厂恐将成为台积电转包商

来源：DIGITIMES     2007.06.27   宋丁仪／新竹

台积电扩大晶圆代工事业版图，这次锁定后段封装制程，为因应SiP(System in Package)狂潮来临，内部后段技术暨服务团队已成军，提供客户厂内(in-house)封测制造暨服务，2007年将切入65奈米制程覆晶封装，2008年则进一步跨入45奈米制程，这是台积电继成立设计服务后，再次策略性扩充事业版图。台积电表示，SiP能快速解决上市时程(time to market)，身为产业一员需进行了解并进行开发；至于封测厂对于台积电跨入封测举动，则密切关注。

由于SiP可将2个以上芯片透过不同封装技术叠在一起，技术及整合难度相对较SoC(System on Chip)更有效率及容易，台积电后段技术暨服务处副处长赵智强26日表示，SoC上市时程是以18个月为期，而SiP可能仅需6个月就可上市，快速缩短上市时间，台积电身为产业一员，必须对SiP技术开发有所了解及参与，同时确保客户产品顺利量产。

据半导体业者透露，台积电内部已成立封装团队，并展开对外招兵买马，未来将提供厂内制造及服务。据台积电内部规划，2007年封装主轴将着力于65奈米制程，包括无铅覆晶封装及芯片尺寸覆晶封装(Flip Chip CSP)，2008年则将跨入45奈米制程封装，包括打线(wire bond)及无铅、芯片尺寸覆晶封装等。

台积电除提供工程服务，亦将提供先期(pilot run)覆晶封装及晶圆侦测(wafer sort)服务，并延伸与日月光等封测厂合作量产，而所有外部合作封测业者，将被定位为台积电封测业务的转包商(Subcontractor)。

值得注意的是，台积电不仅内部增设团队，转投资公司精材亦与其共同研发后段晶圆制程技术，除成功开发出3D封装制程，目前亦携手研发微机电(MEMS)核心封装技术。精材2厂已于第2季正式开出新产能，预计微机电后段制程服务最快在第3季导入量产。台积电2006年便已成功开发出3D芯片硅片直穿孔(Through Silicon Via；TSV)封装技术，日前并已对外发表。

IC设计业者指出，2005年SiP封测市场规模约11亿美元，2010年将成长至41亿美元，呈现3倍速成长，同时SiP手机芯片应用市场年复合成长率约13%，高于其它电子产品，而通讯产品已占台积电生产最大宗，台积电绝对必须策略性跨入封测领域。

台封测业者则指出，国际半导体大厂对于SiP竞相投入，其中，整合组件厂(IDM)由于自已拥有设计、制造及封测，最具先期优势，象是三星电子(Samsung Electronics)2007年第2季SiP标准型DRAM已量产，英特尔(Intel)亦将存储器与处理器采用SiP进行整合，而台积电将会是晶圆代工厂跨入封测领域的代表厂商。

不过，封测业者对于台积电策略性动作仍多处于观望，封测业者指出，如果台积电选择在晶圆层次跨入封测，则对其晶圆代工核心事业具加分效果，但若是晶圆以外的封测技术，如牵涉到基板，那么封测厂仍具长期技术及产能优势。

事实上，台积电从晶圆代工领域跨足设计服务、后段封测，其内部团队光是设计服务就高达400人，对外更与以转投资创意为首的设计服务联盟(DCA)成员合作，此外，更积极设置IP整合机制AAA认证，如今再度跨足封测事业，让外界猜测台积电除晶圆代工外，正积极成为纵横半导体产业上、下游的老大哥，与整合组件厂力拼。

台厂担此举引发寒蝉效应 7月底前行事低调以对

来源：DIGITIMES    2007.06.27    连于慧／台北

大陆地区配合香港回归10周年庆，近期查缉走私的动作越演越烈，包括DRAM模块和NAND Flash相关产品等，近期走私货要进入大陆地区都相当困难。传出为了达到杀鸡儆猴的目的，大陆官方有计画性的长期布局，最近两天已有当地的经销商遭到法办。而不少台系模块厂也担心此举将形成寒蝉效应，因此行事作风特别低调，预计在7月底以前，大陆官方查缉走私的动作将不会停歇。

由于大陆地区的进口关税(VAT)高达17%，让许多台湾厂商的货品要进入大陆当地，都是先将货品交由香港地区「过水」。在经由大陆的经销商、代理商负责带货到大陆地区销售，如此一来便可省下高达17%的关税，这是台湾厂商经营大陆当地市场所惯用的方式。

然台湾厂商也解释，为了经营大陆当地的市场，台湾厂商通常会和当地的经销商合作，因为当地的区域性经销商较熟消费者的购买特性，透过彼此合作，比较容易打开大陆地区市场。台厂也是一再叮咛经销商，一定要用合法的方式进入大陆，然实际操作起来，也很难真的去限制经销商，要怎么铺货到大陆。

近期因应香港回归大陆10周年庆，大陆官方对于查缉走私的动作布局数月，且近期查缉动作越演越烈，市场传出官方为了达到杀鸡儆猴的作用，在近几日查缉当地知名的经销商，且立刻予以法办。

台系的存储器模块厂对此事都相当低调，因为怕引发寒蝉效应，也怕有第2季经销商被查缉的事情发生，然对于经销商违法交货一事，也相当无奈。

相较台系厂商为了抢占大陆市场，在当地辛苦搏生存，据了解，美系的快闪记忆卡大厂新帝(SanDisk)在大陆地区的销售，比较没有此问题。通常新帝的快闪记忆卡都是直接在大陆交货，但由于新帝总公司会补助VAT关税的损失，所以对代理商而言，毛利率影响较小。

来源：电子工程专辑   2007.06.27   作者：柯德林

英特尔公司推出了128Mb的相变存储器样片，并计划于今年下半年采用90nm技术进行量产。该器件代号为Alverstone，是英特尔的首款相变存储器，并被视为NOR闪存的替代品。英特尔是全球第二大NOR闪存供应商,仅次于Spansion公司。

英特尔首席技术官Justin Rattner表示，该器件的“写”性能比目前的NOR闪存强六倍，且更具“鲁棒性”，能保证至少1百万次的写循环。

这种非易失性存储技术是基于硫族材料的电致相变，以前在批量生产时总是难以获得稳定性。相变材料可呈现晶态和非晶两种状态，分别代表了0和1，只需施加很小的复位电流就可以实现这两种状态的切换。

相变存储器的缩写为PCM或PRAM，与其相竞争的下一代存储替代技术有很多，其中包括磁性RAM(MRAM)。一旦DRAM和闪存遇到无法超越的工艺缩小极限，这些技术就将成为它们的替代品。许多技术专家认为闪存可能在45或35nm时达到极限。

但这些下一代存储技术仍存在不确定因素，比如MRAM在密度方面就不够完美，目前芯片容量大约在16Mb左右，IDC公司半导体分析师Celeste Crystal表示。“英特尔128Mb PCM技术的发布具有十分重要的意义，它表明了PCM的密度不久就能满足目前的应用需求。而且我听说它向后兼容NOR插槽。今后我们关注的是英特尔是否能顺利完成它的计划。”她指出。

一般手机采用的是256Mb的分立式NOR闪存，在成本敏感的手机中也可能是128Mb。Rattner认为，英特尔将目前的128Mb产品只作为NOR替代品的目标是“非常恰当的”。但他同时补充道：“该产品确实展示了相变技术的性能潜力。”

闪存发展仍有前途

现在就肯定哪种存储器会代替闪存还为时过早，Objective Analysis公司首席闪存分析师Jim Handy表示，“虽然PRAM、MRAM、FRAM(铁电RAM)等所有这些技术都被吹嘘成闪存达到工艺极限时的替代品，但闪存的工艺极限仍然在不断缩小。”

Handy相信，在闪存达到极限之前，这些技术都将继续相互追赶。

Rattner指出，英特尔不仅将这个第一代器件视为一种产品，而且是作为精细相变存储器量产进程的一种途径。“如果PCM能得到大批量和低成本的制造，那么它必将引发人们对存储器结构的重新思考。”他认为，“PCM肯定比DRAM便宜，如果它也能作为一种非易失性的快速读写存储器，那么势必将成为极有竞争力的DRAM替代品。”

去年夏天，英特尔开始与意法半导体合作开发相变存储器。两家公司在VLSI技术大会上曾联合提交了相关研究报告。虽然英特尔在量产方面走在了前头，但意法半导体则计划在实现45nm工艺节点之前不进行量产。意法半导体目前已拥有采用90nm工艺技术的128Mb样品。

来源：巨亨网    2007.06.27   记者叶文义／台北

上周DRAM现货市场价格仍持续上涨，但涨幅已经减缓。根据集邦科技资料，上周DDR2 eTT颗粒已上涨至2.23美元，涨幅9.3%；品牌颗粒DDR2 512Mb则上涨至2.3美元，上涨7.7%；而品牌的模块价格也随之上扬，其中三星 (Samsung)的现货市场模块价格DDR2 667MHz1GB 最高曾经来到48美元，相较于上周低点31元，涨幅高达54%。

集邦科技指出，从7月开始将进入大陆的暑促时期，加上英特尔(Intel)也会在 8月后对于低阶的CPU进行降价动作，这些都有助于提升市场需求，促使下游通路商开始积极备货，带动现货市场明显回温。

此外，集邦指出，近期香港及深圳地区严格的打击走私活动，逮捕许多交易量较大的代理商，导致从香港走私至大陆地区的DRAM数量明显减少。然而课税后过高的DRAM价格，是否会牵动大陆暑促的实质需求，将是影响终端通路库存能否顺利去化的关键。

集邦指出，根据过去2年的观察，DRAM现货市场价格通常在下半年有不错的表现，尽管目前现货市场报价涨幅已大，但是在下半年旺季的支撑下，DRAM业者不愿意在继续杀低价格出货，预估现货市场价格近期将会在2.0-2.5 美元区间盘整。

合约市场方面，集邦指出，近期PC OEM厂商仍有低价库存，加上全球DRAM厂商供给数量持续增加，因此6月下旬的合约价尚未跟上现货市场的涨幅。但是进入7月后，是美系PC OEM厂商的财报季底，各家厂商会冲刺7月份的销货数量以求美化本季财报数字，将有利于推升DRAM的需求，因此集邦科技预估7月中旬以后，合约价格将有机会反弹上扬。