Archive - 六月 25, 2007

DRAM后市回春? 摩根大通:只是昙花一现 供需仍严重失衡

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来源:巨亨网   2007.06.25  记者 林士豪/台北


DRAM现货报价上周涨幅高达40%,成功站上2.4美元,市场看好DRAM景气可望自谷底翻扬,但摩根大通却对市场提出「警讯」表示,迈入7月后,市场要指望DRAM现货报价带动合约价走扬,机会并不高,而这波DRAM现货报价的急涨,主要是因为DRAM模块厂与通路商重新调整库存水位而至,并非市场实质需求状况改善,未来DRAM景气是否确定回温,仍有待观察。


摩根大通南韩科技产业分析师JJ Park表示,这次DRAM现货报价急涨,上周在短短两天之内,涨幅高达25%之多,的确令人感到意外,虽然6月上旬合约价有出现回升,但6 月下旬合约价仍维持疲软。此外,由于合约价格并无有效提高,使这波DRAM现货报价涨幅已达短线满足点,要再往上走,难度很高。


JJ Park指出,虽然 PC OEM大厂已开始对今年下半年旺季需求作准备,但据了解,PC OEM大厂对DRAM大厂下单量并没有放大,主要是各PC OEM大厂DRAM库存量仍足以应付将近两个月的产能需求,因此预期在 7DRAM市场将无法发生PC OEM大厂对DRAM追价需求效应。


除非PC OEM大厂终端需求非常强劲,或是DRAM大厂进行库存重调,DRAM现货报价才有望继续上涨,并带动合约价弹升。


摩根大通并表示,目前DRAM现货报价仍低于成本,DRAM业者还是处在亏损阶段,且缩减资本支出与产能进度缓慢,因此DRAM市场超额供给与价格侵蚀状态并无法改善,DRAM大厂要指望获利能有效回升至一定水平,机会并不高。


JJ Park 强调,今年以来,DRAM市场供给成长已高达90%以上,且随着市场看好下半年DRAM景气将复苏,8寸厂退出生产线的希望也随之破灭,目前DRAM厂并没有任何降低资本支出的迹象,虽然 DRAM厂茂德(5387-TW下单)已开始进行产能递延的生产计划,但对全球DRAM市场供需面影响仍有限。


JJ Park并表示,只要 DRAM大厂股价开始拉回,市场就会认清现货价格的弹升,并无法转嫁至合约价格的事实,因此建议投资人未来对DRAM大厂股价走势应仍保持高度警觉。


 

政策作多 台湾四大封测厂登“陆”松绑

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来源:星岛环球网 www.singtaonet.com


台湾悬宕已久的封测西进案,日前已获经济部口头承诺,将予以开放,包括日月光与恩智浦(NXP)的苏州封测厂合资案,以及硅品、华东、超丰等三家业者,总计四项封测大陆投资案,可望放行登陆。


据《工商时报》报道,相关封测厂对此信息三缄其口,经济部高层态度则是不承认、但也不否认。业内人士表示,大陆晶圆代工厂产能持续扩大,加上国际EMS大厂齐聚,政府此次让悬宕三年的封测西进禁令松绑,台湾封测厂将可合法争夺无穷商机。


据设备业者透露,经济部投审会于6月上旬,主动急电日月光、硅品、华东、超丰等四家封测厂高阶主管召开秘密会议,该会议由经济部长陈瑞隆亲自主持,讨论议题就是政府将开放封测厂西进登陆设厂事宜。据指出,陈瑞隆当场对四家封测厂表达开放封测厂登陆的立场,日月光所提与NXP在苏州合资案,及硅品、华东、超丰等三家封测厂的大陆投资申请案,将可顺利放行。


封测厂赴大陆投资仍有相关规定的审查及行政程序,据了解,政府相关跨部会政策面审查作业,近期内即会召开。


过去因政治考虑,最初只让台积电赴上海松江厂设八吋厂,去年虽开放封测厂可申请赴大陆设厂,但至今只有日月光收购上海封测厂威宇科技案获核准,其它封测申请案仍卡在投审会。只是,后来政府又核准力晶、茂德八吋厂登陆,若再将半导体产业后段封测厂留在台湾,似乎已失去正当性,所以在封测业者积极争取下,陈瑞隆才答应放行。


目前大陆封测市场正处于起飞阶段,尤其英特尔决定到大连设立十二吋厂,后续将吸引更多国际IDM厂或晶圆代工厂到大陆设厂,所以政府若开放日月光、硅品、超丰、华东等四家具指标性的封测厂登陆,以日月光与硅品的实力,将可与在当地深耕多年的艾克尔、新科金朋一较高低。


华东在华新集团的奥援下,更有助台湾内存封测厂开拓大陆市场,争取中芯及海力士大陆封测订单。至于超丰合法登陆,则有机会成为大陆消费性封测厂龙头。


虽然经济部同意四家封测厂西进案,但距离经部主动邀约已近二十天,厂商却迟迟未接获核准函,因此态度转趋低调,对是否获得政府许可登陆更是三缄其口。


据大陆当地半导体业者表示,四家封测厂在大陆市场布局动作,自六月起转趋积极,似乎为合法登陆预作布局。日月光与恩智浦半导体(NXP)在苏州合资厂房已开始扩大采购封装打线机台(wire bonder),硅品苏州二厂也正加快赶工;华东则决定在苏州厂筹建内存封测及模块一元化产线;至于超丰则开始承接大陆晶圆代工厂封测订单。


日月光在大陆的布局,除上海及昆山二地设立半导体材料厂外,已并购的威宇科技更为日月光带进博通(Broadcom)、中芯等大客户。日月光与恩智浦在苏州合资的封测厂,日月光预计持有六成股权,另四成由恩智浦拥有,并由恩智浦以其位于苏州之封装测试设备作价投入此新公司。该合资厂一旦获准投产,日月光将直接接收苏州厂产能及恩智浦的订单,集团月营收突破百亿元将轻而易举。


反观硅品西进大陆设厂一波三折,其苏州设厂,日前虽提出变更营业项目,却惨遭相关单位退件。硅品对此却不感气馁,重提申请案,硅品董事长林文伯更公开喊话表示,经济部都让第一名的日月光过去(登陆)了,如果不让第二名过去,恐有失公平性,所幸期盼并未落空,而考虑硅品苏州厂二厂在近期也兴建完成,后续可建置的产能甚为可观。


华新集团旗下的封测厂华东科技目前也在苏州设有厂房,主力为CMOS影像传感器模块封测,也完成了二厂的兴建工程,在打线机封测获政府许可能够合法西进后,华东可望成台湾内存封测业,首家正式西进设厂的业者。


目前中芯为奇梦达及尔必达代工DRAM,本身也生产NAND闪存,海力士及意法半导体在无锡则合资设立内存厂,加上主要内存模块厂威刚、创见、劲永等也都在大陆设有生产基地,在上下游产线链串联下,华东未来业绩成长甚可期待。


超丰最初透过大股东盛群在吴江设立封测厂巨丰电子,但超丰已将相关股权买下,后续除低阶导线架封测生产线外,也将扩充诸多消费性电子产线采用的其它业务。超丰以台湾的营运经验登陆,成为大陆消费性芯片封测厂龙头、指日可待。

左右为难 制程微缩路难行

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来源:中时电子报   2007.06.25   涂志豪


晶圆代工厂的营运模式是接单生产,可以与客户端进行协商后,再针对总体需求进行产能设计,但DRAM厂却完全不同,在追求庞大经济规模及超低成本的市场结构下,不论景气好或坏,每个月都是满载产能投片,所以DRAM厂若要有效降低单位生产成本,除了扩大投片量及提高良率外,另一个重要策略就是要比竞争对手更早进行制程微缩工程。


因为DRAM是半导体市场中独特的标准型产品,所以随着各家DRAM厂的投片量增加及良率提升,市场供给量只会愈来愈多,当然价格也会是愈来愈低。在这个宿命下,DRAM厂要追求庞大的高额获利,就只有一条路可走,那就是比谁的单位成本最低,只要能够应用到最先进的制程,让成本有效降低三成或四成,就可以拉大成本与实际售价间的差距,当然若售价高于成本则会有很不错的获利,但若售价低于成本,至少比竞争对手亏得少。


在这个产业特性下,每隔十二个月至十八个月时间,DRAM厂就得开始针对次世代制程进行微缩,如前年底台湾外DRAM厂正在进行○.一一微米转换至九○奈米的重大工程,现在则是见到各家业者开始将主流制程,由九○奈米微缩至七○奈米。


理论上,若整个DRAM市场是处于一个良性多头架构下,只要提早将制程微缩至下一世代,一定可以获得庞大的利润,但很可惜的是,今年台湾DRAM厂商开始进行七○奈米微缩时,却遇到了市场严重供给过剩的空头市况。


DRAM厂来说,若七○奈米制程微缩顺利,虽然成本可以降低三成至四成之多,但是同样一片十二寸晶圆,可切割出颗粒成长率却高达四成至六成。只是在现在这种供给过剩的市场条件下,DRAM厂面临的是个两难的局面,因为制程微缩后虽可降低成本,降低亏损幅度或可转亏为盈,但新制程让DRAM位成长率一下子拉高,却有可能导致原本供给过剩的市况更为恶化。


现在面对DRAM价格崩跌,国外DRAM厂已有许多替代性产品,可用来降低产品线过度集中的风险,如三星及海力士可提高NAND产能,美光也可扩大CMOS影像传感器出货,尔必达及奇梦达则可拉高价格稳定的GDDR或利基型DRAM产能。


但台湾DRAM厂至今为止,生产线仍有八成以上集中在标准型DRAM上,所以如何在加快制程微缩的动作中,还要抵抗不理性的价格波动,将是台湾DRAM厂未来营运上最大的风险及转机,的确得好好思考一下正确的营运策略,而不是盲目进行制程转换。


 

台积电将成六五奈米手机芯片最大代工厂

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来源:工商时报 2007.06.25   邱诗文/新竹报导


手机基频芯片大厂高通(Qualcomm)及博通(Broadcom)二家业者,上半年分别推出六五奈米制程芯片,抢攻三.五G手机芯片市场,如博通台湾手机设计中心人员编制,未来将扩编至四十人,目标锁定台湾智能型手机芯片市场。市场则预估,三G以上手机芯片下半年将全数转入六五奈米世代,包括飞思卡尔(Freescale)、德仪等IDM厂亦扩大下单,台积电将成六五奈米手机芯片全球最大代工厂。


在电信服务业者的主导下,三.五G行动电话市场今年将开始加温,博通的HSDPA基频芯片,以及高通的CDMA2000基频芯片,已在今年初陆续推出,二家公司的的三.五G基频芯片均采用六五奈米设计,第一季已开始挹注台积电六五奈米营收,且第二季下单量已见放大迹象。


由于三G或三.五G手机强调轻薄短小且要更省电力,因此除了高通及博通外,下半年手机芯片供货商均会将芯片全速转进六五奈米制程,据设备业者透露,包括飞思卡尔及德仪二家IDM大厂,下半年确定会释出更多六五奈米手机芯片委外代工,由于目前能提供大量十二寸厂六五奈米产能的晶圆代工厂,只剩下台积电一家,所以台积电下半年六五奈米占营收比重,至年底时将会逼近七%至一○%,并成为三G以上手机芯片最大代工厂。


台积电现在正全力扩充十二寸厂产能,在手机芯片释单量大增,及NVIDIAAMD-ATI等绘图芯片订单开始拉高投片量,芯片组订单又因旺季到来而快速回流等情况下,已有外资分析师喊出,台积电七月十二寸厂的产能利用率就会达到一○○%满载水平,第三季的平均产能利用率有机会上看九五%。


至于积极投入六五奈米世代的联电,目前最大客户为赛灵思(Xilinx)的FPGA芯片,以及德仪的四十美元以下手机基频芯片,不过市场传言指出,由于东芝(Toshiba)分食赛灵思六五奈米制程订单,以及德仪六五奈米超低价手机芯片,仍以台积电为主力晶圆供货商,两家芯片厂对联电营收的挹注效果,须等到明年才会较为显著。


 

晶圆、封测第三季吃大单

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来源:工商时报 2007.06.25 涂志豪/台北报导


看好第三季下旬欧美市场返校采购(back to school)旺季,包括戴尔、惠普、IBM、联想、宏碁等全球主要OEM计算机大厂,全面性推出内建微软新操作系统Vista的个人计算机,全球二大绘图芯片大厂NVIDIAAMD-ATI(超微),已开始提高对台积电及联电的投片量,市场预估NVIDIAAMD-ATI第三季下单量将会较第二季增加约二成,不仅有助于提高晶圆双雄的业绩,对日月光、矽品、京元电、全懋、景硕等封测业者营运表现也大大加分。


NVIDIA去年底率先推出支持VistaDirectX10规格绘图芯片G80后,四月下旬也趁胜追击推出主打中低阶市场的G84G86二款绘图芯片,另一绘图芯片大厂AMD-ATI虽然时至五月才推出新款绘图芯片R600系列产品,但却领先NVIDIA提早全面跨入六五奈米世代,所以二家绘图芯片大厂下半年如何争夺市场占有率,已成为台湾绘图卡业者热门话题。


而由于NVIDIAAMD-ATI将新款芯片都委由台积电代工,台积电已无足够产能得以接单生产旧款芯片,所以NVIDIAAMD-ATI已陆续将九○奈米世代的DirectX9系列芯片,陆续转单至联电十二寸厂代工。设备业者透露,NVIDIAAMD-ATI第三季对晶圆双雄的投片量,将较第二季增加二成幅度,这对台积电及联电来说,第三季营收及获利一定会有很显著的成长。


当然NVIDIAAMD-ATI扩大对上游晶圆代工厂下单,下游封测厂如日月光、矽品、京元电等,也乐观期待新订单将自七月后到位,至于仍面临产能供给过剩的覆晶基板厂如全懋、景硕、南亚电路板等,也可因NVIDIAAMD-ATI的订单量大增,让产能过剩及跌价压力可获得纾解。


 

手机芯片两大集团 明年对决

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来源:中时电子报   2007.06.25  邱诗文/新竹报导


晶圆代工与手机芯片大厂的伙伴关系,经过一波大搬风后,下一代四五奈米通讯芯片竞争,大致形成高通(Qualcomm)、博通(Broadcom)、恩智浦(NXP)与台积电,以及飞思卡尔(Freescale)、IBM、特许等二大阵营,并且在明年下半年展开对决。


台积电与飞思卡尔从0.13微米、90奈米、65奈米制程,一路以来均维持合作关系,2004年以来,双方还展开绝缘层上覆矽(SOI)制程合作开发。不过,今年以来台积电表态不看好SOI制程代工前景,飞思卡尔因此转而投向IBM、特许的共同平台(Common Platform)阵营,与IBM及特许合作四五奈米SOI技术。


飞思卡尔2007年第一场技术论坛,将于本月25日到28日在美国佛罗里达州召开。飞思卡尔执行长Michel Meyer,将在26日进行开幕致词,而后到十一月为止,将分别在以色列、日本、法国、德国、印度等国家举行。


去年采用台积电九○奈米制程生产三G手机芯片的飞思卡尔,在二○○六年WCDMA基频芯片市场,以一五%市占晋升全球第三大,销售额飙高90%达2.58亿美元。不过,飞思卡尔与台积电看法出现分歧,未来将渐行渐远,因此与共同平台阵营合作动向,对今明二年三G手机芯片市场前景看法,预料将成为此次飞思卡尔技术论坛上,媒体关注的议题。


台积电四五奈米将在今年第四季导入量产,第一家手机芯片客户,将是WCDMA芯片大厂高通,另外,WCDMA芯片厂恩智浦、意法半导体、德仪等,也将与台积电开始进行制程合作,将于明年中导入试产。


为了因应客户的需求,台积电先前还核准投入2亿美元,用于扩充四五奈米产能,并且表示,年底前还会持续扩大投资。


与台积电自九○奈米时代,就开始合作技转的Crolles2研发联盟,由于飞利浦半导体转型为恩智浦后退出该联盟,以及飞思卡尔坚持开发绝缘层上覆矽(SOI)制程,转而投向共同平台阵营后,至今仅剩意法半导体独撑大局。


至于延宕了多年的三G手机芯片市场,由于一系列EDGA/UMTS手机芯片陆续问世后,总算开始加温。据Strategy Analytics预估,二○一○年UMTS/EDGE双模手机,将占整体手机市场的40%,UMTS Forum也指出,从二○○四年九月至今年初,全球三G/UMTS用户数,已经从1000万成长到1600万。


 

DRAM价急涨 后市好坏难料

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来源:中时电子报   2007.06.25 涂志豪/台北报导


DRAM现货价上周大涨四成,六月上旬合约价也止跌,让许多DRAM业者大感意外,不过若由市场供需来看,这回DRAM价格急涨原因,主要来自于DRAM厂进行七○奈米制程微缩,因投片转换因素导致产出减少,实质需求其实没有太大幅度改善。由于现阶段各家DRAM厂均号称七○奈米良率高于预期,若实际情况属实,二个月的制程转换期过后,价格恐怕将再度因产出大量开出而下滑,让DRAM厂下半年营运再添变数。


DRAM现货价格上周由一.七美元急涨至二.四美元,短线涨幅高达四成,让DRAM业者直呼意外,许多模块厂及通路商更因补货不及,不得已在二美元以上追价买进颗粒。不过现货价在上周末触及二.四美元价位时,实际成交量大幅萎缩,因此已开始有DRAM盘商指出,这波DRAM价格涨幅已达短线满足点,本周恐将因DRAM厂月底开始释出货源,价格将是易跌难涨。


不过若由DRAM市场供需来看这次的涨价效应,主要原因在于DRAM厂的制程转换,导致实际产出颗粒量减少。


集邦科技就指出,近期台湾DRAM厂纷纷转进七○奈米制程,在制程转换的期间内,五月及六月份的产出量减少,由于台湾DRAM厂主要供货至现货市场,在预期供给量将减少的情况下,才带动现货价大幅反弹,但八月后七○奈米制程转换若顺利,价格恐怕就有回跌压力。


内存模块业者就指出,因为这波DRAM价涨是来自于供给量的减少,而不是实质需求的改善,所以涨价时间不会太久,若由以往历史经验来看,每一世代的制程微缩,至少会有半年左右的时间,DRAM厂会因新制程良率不如预期,而有助于DRAM价格维持在高档。


业者也表示,在同样良率的情况下,七○奈米在十二寸厂中每片晶圆产出的裸晶数(gross die),会较上一世代的九○奈米增加五成至六成,这次台湾各家DRAM厂均号称七○奈米良率超乎预期的好,所以随着七○奈米的晶圆投片量增加,第三季光台湾DRAM厂的产出,可能会较第二季多出三成,若届时市场需求未见明显改善,价格恐怕会有更大的下跌压力,这将成为第三季DRAM厂营运另一大变量。


不过包括南亚科技、尔必达等DRAM厂则乐观看待,认为七月后Vista带动的DRAM需求将明显浮现,现在DRAM厂间的杀价动作也已经停止,七月的合约价很有机会调涨,下半年DRAM市况不宜看淡。


 

DRAM回春?期待怕伤害

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来源: 联合新闻网    2007.06.25


DRAM现货价上周止跌反弹,6月下半月合约价也有止跌现象,让原来望穿秋水的DRAM业者颇感振奋,类股买气回笼,期待下半年跟去年一样,大赚一笔,试图追赶上因为第二季受产品跌价伤害的业绩损失,只不过,业界盛传这波供给短缺起因台湾厂商转换70奈米制程不顺,而非全然是需求强劲,让下半年的DRAM厂营运变量增加。


现货价扬 起因减产


就过去DRAM产业的历史轨迹来看,供需决定价格,其中因为需求带动产业成长的情况较少,反而是因为供给不足造成缺货效应,才是DRAM股行情表现的关键,因此,当全球DRAM价格低迷时,有任何一家厂商的产能不顺、生产线移转,或是发生公安事件等造成减产,往往才是价格暴升的主因。


上周512Mb DDR2价格突然飙涨逾20%,尽管时间点适逢进入第三季旺季前的返校需求回补库存效应,但台湾四大厂除南科明确指出,7月合约价将调涨,且已掌握第三季订单外,其余DRAM厂家则对后续看法仍持保留态度,亲自为下半年需求背书的情况不如以往。


以第二季各家厂商在产品价格跌幅相同,但营收衰退幅度却大不同的状况来看,也无怪乎市场传出有业者的转进制程不顺利,间接形成减产效应,直指是这波行情飙涨的主因。


技术成本 决定优劣


如果这波行情是因为减产效应所致,自然有稳定DRAM价格的功效,但若主角是台湾业者,第三季就必须观察各家厂商的产出及业绩表现,选择业绩与行情表现相符的个股布局为宜,毕竟DRAM行情年年有,但波段来得快,去也快,稍踪即逝,技术及成本无法通过考验者,未来几年还是会走得辛苦。


不过,台湾DRAM业今年还是有一些优势存在,首先是下半年在全球消费性产品需求强劲带动下,NAND Flash内存先面临供不应求,包括三星、海力士在内的大厂,预料增加DRAM产能的机会不大,有助DRAM供应量受到控制。


Vista效应 潜在利基


其次是力晶、茂德、华亚科今年均转入70奈米制程技术,产出虽可望大幅增加,但在原有8寸晶圆厂因为竞争力缘故,逐步除役后,也带来另一种减产效应,预估也是今年全球整体DRAM产出成长有限的原因之一。此外,在需求面则有Vista效应,也是众所期待未来两年内DRAM市场的需求主流。这些都是今年DRAM行情再起的潜在利基。


只不过,DRAM虽然依靠供需,是电子零组件中少数会涨价的产品,但是长期的产业趋势却不允许有太多供货商同时存在,造成供过于求,这也是为何每当DRAM价格走跌,业者出现亏损时,总有人不支倒地退出、减产、倒货、兴讼的戏码不断上演,长期产业趋势堪虑的原因。


 

Chartered与Tezzaron连手打造3D内存产品

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新加坡晶圆厂特许半导体(Chartered Semiconductor Manufacturing),宣布开始大量生产Tezzaron Semiconductor的内存芯片。此外两家公司也开始进行生产Tezzaron3D组件的准备工作。


特许是采用0.13微米制程生产Tezzaron3T-iRAM系列2D 72Mbit内存产品,这种产品采用专利技术仿真SRAM,却比SRAM速度更快、耗电更低,适合电信和数据通讯设备应用。Tezzaron也在开发称为FaStack3D产品。