来源：中国时报 2007.06.23 陈凤英/台北报导
身兼南科和华亚科两家DRAM大厂董事长的吴钦仁22日表示，一般来说电子业下半年景气都比上半年好，在九月开学个人计算机换机潮和Vista效应发酵下，已在6月底落底的DRAM报价，预期将逐渐好转。
南亚昨日举行股东会，顺利推举吴钦仁连任董事长。会后，吴钦仁面对媒体询问DRAM产业景气走势时指出，由于Vista带动DRAM需求的效应在上半年并不明显，导致供过于求，DRAM今年报价直直落。
吴钦仁目前在台塑集团担任南亚、南亚电路板、南科和华亚科等公司董事长，主导台塑电子事业布局。吴钦仁表示，Vista与其它软件的应用整合已有所提升。
来源：中央社 2007.06.23
DRAM 报价本周上涨23.5%，带动模块合约价出现去年底以来首次止跌持稳走势，身兼南科 (2408)和华亚科 (3474)两家DRAM 大厂董事长的吴钦仁今天表示，电子业景气下半年都优于上半年，加上暑假有个人计算机换机潮和Vista效应逐渐浮现，分析DRAM报价在六月就已到底。吴钦仁在台塑集团担任南亚 (1303)、南亚电路板(8046)、南科和华亚科四家公司董事长，下午在主持完南亚股东会后，面对媒体询问DRAM报价何时落底时，吴钦仁表明DRAM报价在六月就已到底。吴钦仁表示，DRAM今年报价直直落的原因是供过于求，因为Vista带动DRAM需求的效应在上半年并不明显，但Vista与其它软件的整合度正在增高，加上下半年电子产业景气都比上半年好，此外暑假有个人计算机的换机潮，预期DRAM报价会走高。面对华亚科和南科十二吋厂新增产能将陆续开出，媒体询问吴钦仁是否会担心产能过剩，出现供过于求，吴钦仁表示并不担心，主要是国际上不具效率的八吋厂将会退出，加上原先从NAND FLASH产能移转生产DRAM，也会调整回去生产NAND FLASH。
来源：联合晚报 2007.06.23阶段 记者徐睦钧/台北报导
集邦科技公布6月下半月最新DRAM合约报价，6月下半月DRAM最新合约报价，DDR2 512Mb颗粒高低报价分别为1.75美元及1.50美元，成交均价来到1.66美元；在模块部份，512Mb模块高低报价分别为17美元及15美元，均价为16.25美元，与上月相比均为持平状态。合约价正式终止跌势，以持平价位开出。
由于目前国内以合约出货为主业者预估，在6月合约价持平后，7月将开始上涨，使得DRAM厂商第三季的营运颇受期待，近两个交易日成为落后补涨指标。
市场传出台湾厂商的制程不顺，DRAM供应吃紧主因，今现货价续扬，合约价止跌，是带动DRAM股今表现强势，除南科 (2408)、华亚科 (3474)续涨外，茂德(5387) 今爆量逾20万张，股价改写5个多月来的新高，力晶(5346)则一举攻上年线。
据下游模块业者指出，会造成端午节后的抢货需求，主要是外传茂德、力晶转入70奈米的制程并不顺利，使得市场供给出现缺口，意外让原本需求不佳的市况，反而出现供不应求的情况，不过，茂德、力晶则否认这项说法。
类股今天除了华亚科、南科持续强劲走势外，茂德也爆量逾20万张，一举逼近今年的高点，短线将挑战今年新高价，茂德上月营收衰退幅度最大，较4月减少达25%，是市场传出制程不顺的主因，随本月价格有弹升现象，营收能否顺利落底回升，值得观察。
力晶今也带量攻上年线关卡，6月以来股价持续升温，该公司本季受到DRAM现货价大跌冲击，单季面临亏损压力，不过下半年产量增加，产品价格回升，有助业绩落底反弹。
来源：经济日报 2007.06.23 记者何易霖／台北报导
DRAM市场现货价一周来大涨逾两成后，年初以来一路走跌的模块合约价也在6月下旬止跌，宣告DRAM多头行情启动，加上i-Phone29日首卖，NAND Flash行情增温，威刚（3260）、创见（2451）等内存模块厂「左右逢源」，本季毛利率大增可期，威刚可望由上季的2.85%跳增至5%，创见也可弹升至10%以上，是此波内存行情走俏的最大赢家，今年仍有赚回一个股本以上的实力。
内存模块龙头厂威刚今年以来饱受DRAM跌价之苦，上月营收仅与二哥创见相差约6,000万元，掀起「内存模块一哥争霸战」，原本市场预期NAND芯片市况较为透明，对NAND 产品比重较高的创见有利，创见股价也已顺势超越威刚，但随DRAM景气回稳确立，也让「一哥争霸战」更为激烈。
根据集邦科技（DRAMeXchange）报价，6月下旬DRAM模块价格正式止跌，512MB规格均价为16.25美元，有助模块厂业绩稳定，而iPhone上市后，市场普遍预估今年出货约400至500万支，明年有倍增实力，带动主流规格的8Gb MLC NAND芯片也由今年低点5美元以下，弹升至7.4美元附近，激励模块厂业绩增温。
法人对威刚、创见营运走势看好，建华证券估计，威刚本季营收仍维持百亿元以上水平，毛利率可由首季的2.85%增至5%，全年每股税后纯益11.2元；创见本季毛利率可望也有两位数以上，全年每股税后纯益10.7元。
威刚、创见昨（22）日股价同步逆势收红，威刚近期获外资大力加码，一周来外资持股增加约两成，昨天一度攻上137.5元的波段新高；终场上涨1.5元，收在134元；创见上涨2.5元，以141元收盘。
威刚与创见目前正大力扩产，准备迎接市场荣景，威刚今年成长动能在于苏州产能大举开出，苏州厂第一阶段将先行建置12条SMT生产线，将DRAM生产线提升至八条，月产能上看240万片；闪存增至四条生产线，月产能240万片。
创见以上海厂为扩产基地，第四季产能由现有的400万片增至600万片，7月进行上海工厂第二期动工，将架设四条生产线，大陆总产能将增至800万片，加计台湾厂部分，明年创见总月产能超过1,000万片。
来源：科技新闻 2007.06.23
携带型音乐播放机等使用之NAND Flash现货价呈现持续走高之态势。由于Apple采购增加，造成合约交易市场供需吃紧，并波及现货市场。Apple将来于6月底在美国上市之「iPhone」，配备音乐播放机「iPod」功能；若出现热卖情况，可能供需进一步紧绷的局面。
根据日经产业新闻之报导，市场主力之容量8Gb产品19日中心价格为一颗8.2-8.3美元。价格由4月初之9美元多急速反转崩跌后，又出现稳定上扬的走势。容量4Gb产品中心价格为一颗5.3.-5.4美元，同步出现上涨的情况。由于Apple自4月左右增加NAND Flash采购量，合约市场缺货状况逐渐扩大，导致流入现货市场的数量亦随之减少。
此外，NAND Flash在PC上的应用逐渐增加，亦为影响因素之一。尤其是信息读写速度快的「二值型」NAND Flash，8Gb产品在现货市场已上涨至约9.5美元之高价，因此拉高NAND Flash之平均单价。业者表示，以低价的携带型音乐播放机、记忆卡用为主的现货市场，交易状况虽未特别热络。然而，合约市场的缺货拉抬现货价的状况短期内恐将持续。
NAND记忆卡 典范生财利器
来源：工商时报 2007.06.23
消费性IC需求明显转强，中小型导线架封测厂典范，营运续强力道显著，加上即将步入消费性市场旺季，法人圈推估，典范第二季业绩可较首季成长近三成。此外日前才跨足的新产线NAND快闪记忆卡今年底前单月出货量将倍增到四百五十万片，单月业绩贡献度也将超过新台币亿元以上规模。
凌阳、原相等消费性IC设计业者自第二季后营运绩效颇佳，带动下游相关封测厂也交出漂亮的营运成绩单，其中因步入消费性旺季，加上新产品线NAND快闪卡出货增加的贡献下，典范五月业绩创下三．二亿元的新高，公司预估六月情况应与五月相近，依此计算，典范第二季营收可达九．三亿元，较前季成长近三成。
全年来说，因下半年封测景气续强可期，加上电子产业旺季需求带动，加上典范新跨足的NAND快闪记忆卡、QFN与指纹辨识IC等产线，绩效都将陆续显现出来，因此下半年营运绩效可期，第四季月营收挑战四亿元，全年业绩上看四十亿元，毛利率约二三％至二四％间，全年每股获利近三．五元。
典范今年的新产线NAND快闪记忆卡，主要产出的终端产品为Micro SD，今年首季营收贡献不及千万元，但五月单月出货已达二百万片，单月营收贡献已超过五千万元。
至于QFN产线部分，也是典范去年才开始发展，但基于通讯与消费性IC产品大举采用，后续商机可观，因此典范将其列为今年主力的扩充产线，去年初单月营收仅一至二千万元，到了去年底已经提高到六千万元月营收，而该产线去年营收贡献约四亿元，今年可成长五成达六亿元。典范致力于研发的最新产品线，指纹辨识IC，后续主要市场为随身碟与笔记型计算机，预计今年第四季可量产，毛利率逾三成，但主要营收贡献会在明年才出现。
来源:中国IC交易网 台DRAM厂凸槌模组厂无奈DRAM厂这次是铁了心要涨价DRAM现货市场在端午节连假过后出现戏剧性大涨走势，2个交易日累计价格涨幅逾22%，下游模组厂表示，继茂德因制程转换导致产出不顺，力晶亦传出70奈米制程转换不顺，导致有效测试(eTT)颗粒供货锐减，并造成DDRII价格瞬间大涨，然因大多数模组厂都未在端午节前回补库存，在假期过后眼看价格不断攀高，只能当场傻眼。而在台厂制程不顺及DRAM现货价水涨船高激励下... 台DRAM厂凸槌 模组厂无奈 DRAM厂这次是铁了心要涨价 DRAM现货市场在端午节连假过后出现戏剧性大涨走势，2个交易日累计价格涨幅逾22%，下游模组厂表示，继茂德因制程转换导致产出不顺，力晶亦传出70奈米制程转换不顺，导致有效测试(eTT)颗粒供货锐减，并造成DDRII价格瞬间大涨，然因大多数模组厂都未在端午节前回补库存，在假期过后眼看价格不断攀高，只能当场傻眼。而在台厂制程不顺及DRAM现货价水涨船高激励下，21日带动三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)等国际DRAM大厂股价响起一片涨声。 模组厂表示，台DRAM厂在转换制程至70奈米时，陆续出现生产不顺问题，继日前茂德因转进70奈米制程速度过快，导致产出不顺，力晶亦传出因70奈米制程转换过程有问题，导致eTT颗粒供货锐减，是近2日价格大涨的元凶。惟对此力晶发言人谭仲民表示，力晶70奈米制程相当顺利，没有市场传出的这个问题。 部分业者则指出，尽管力晶在70奈米制程转换所产生问题，其实影响数目只有几百片，该数量不但对力晶而言微不足道，亦不足以左右现货市场供需，真正影响市场供货量的主因系母公司尔必达(Elpida)近期临时增加向力晶拿货数量，使得力晶能够转售到现货市场DRAM货源减少。 无论真正原因为何，近期DRAM厂惜售态度明显，尤其现正值自结半年报时间点，多数DRAM厂为弥补4、5月DRAM价格不佳、第2季财报恐不好看，加上看准第3季PC产业传统旺季即将来临，对于价格可说是铁了心要涨价，在供给端主导下，使得近2日eTT颗粒出现大涨。 不过，由于这波DRAM价格反弹过于快速，加上突然出现在端午节连假过后，让许多模组厂感到措手不及，原预计DRAM价格会延到6月底才触底反弹，如今却提前发动涨势，让不少模组厂与连假前的最低价位失之交臂，错失回补库存好时机，现在只能眼睁睁看着价格上扬。 值得注意的是，部分模组厂透露，其实在6月中旬DRAM价格低点时，已有全球规模相当庞大的模组厂，看准当时DRAM价格已是最低点，加上传统旺季即将来临，纷向原厂提出包下大部分产能计画，惟当时大部分DRAM厂皆认为价格不佳，不想要赔本售出，因而拒绝大型模组厂的提议。由此可知，DRAM厂在经历近半年低潮期后，这次是铁了心要涨价。 此外，受到台厂制程转换不顺及DRAM现货价格大涨影响，国际DRAM大厂股价全数走高。全球第1大记忆体制造厂三星电子21日股价上涨2.1%，南韩第2大记忆体厂海力士股价大幅跃升7.3%；日本大厂尔必达终盘则大涨4.4%，东芝(Toshiba)盘中股价亦上涨2.04%。 南韩Dongbu Securities分析师表示，DRAM价格上扬主要是受到台厂面临70奈米制程问题所致，业者生产面临难题，意谓着供给成长将趋缓，有助于市场价格回升。现代证券(Hyundai Securities)分析师亦认为，对于DRAM厂获利表现来说，近期涨价实为正面讯息。
黑ICP备08000794号
© 2009 gNoix.com Some Rights Reserved.
