来源：PConline 2007.06.22 作者：Phoneme
受近日现货市场DRAM内存价格出现反弹影响，业界人士指出将成为内存合同价格出现大范围反弹的信号。
DRAMeXchange表示，eTT DDR2内存的价格在一个星期之内上升了27.5%，在
eTT内存主要供应商之一的力晶半导体股份有限公司(POWERCHIP SEMICONDUCTOR CORPORATION)在
DRAMeXchange指出PC厂商为了避免遭受价格季节性升高，因此都与内存厂商签订了长期供货合同。DRAMeXchange还预测，DRAM内存合同价格在6月下旬开始上升，由于受到现货市场内存价格继续增高的影响，DRAM内存的合同价格将保持升高趋势。
来源:存储时代 2007.06.22
DRAM现货市场在端午节过后出现戏剧性的大涨，两个交易日累计价格涨幅超过了22%，下游模组厂商表示，继茂德因制程转换导致影响生产，传闻力晶也是70纳米制程转换不顺，导致有效测试（eTT）芯片的供货锐减，并造成DDR2价格突然大涨。大多数模组厂商都没有在端午节前回补库存，假期过后只能眼看着价格不断攀高。而在台系厂商制程转换不顺以及DRAM现货价格水涨船高的影响下，21日带动了三星电子（Samsung Electronics）、海力士（Hynix）等国际DRAM厂商股价响起一片涨声。
模组厂商则表示，台系DRAM厂商在转换制程至70纳米时，陆续出现生产不顺的问题，继日前茂德因转进70纳米制程速度过快，导致生产不顺，力晶也传出因70纳米制程转换过程有问题的消息，导致eTT芯片供货锐减，是近两天价格大涨的元凶。对此，力晶发言人谭仲民表示，力晶70纳米制程相当顺利，没有市场传闻所说到的问题。
内部人士指出，尽管力晶在70纳米制程转换时出现了问题，但其实受影响的只有几百片，该数量不但对力晶而言微不足道，更不足以左右现货市场的供需关系，真正影响市场供货量的主因是力晶的母公司尔必达（Elpida）近期临时向其增加了进货数量，使得力晶转售到现货市场DRAM货源减少。
无论真正原因为何，近期DRAM厂商不愿出货的态度明显，尤其现正值自结半年财报的时间点，多数DRAM厂商为弥补4、5月DRAM价格不佳、第二季度财报成绩不好，加上看准第三季度PC产业传统旺季即将来临，对于价格可以说是铁了心要涨价，在供给端的主导下，使得近两天eTT芯片出现大涨。
不过，由于这波DRAM价格反弹过于迅速，加上突然出现在端午节连假过后，让许多模组厂商感到措手不及，原来业界预计DRAM价格会到6月底才触底反弹，如今却提前发动涨势，让不少模组厂商与端午前假前的最低价位失之交臂，错失了回补库存的好时机，现在只能眼睁睁看着价格上扬。
值得注意的是，部分模组厂商透露，其实在6月中旬DRAM价格低点时，已有全球规模相当庞大的模组厂商，看准了当时DRAM价格已是最低点，加上传统旺季即将来临，纷纷向原厂提出包下大部分产能的计划，但当时大部分DRAM厂商都认为价格不佳，不想赔本售出，因而拒绝了大型模组厂商的提议。由此可知，DRAM厂在经历近半年低潮期后，这次是铁了心要涨价。
此外，受到台厂制程转换不顺及DRAM现货价格大涨影响，国际DRAM厂商股价全数走高。全球第一大内存制造厂商三星电子21日股价上涨2.1%，韩国第二大内存厂商海力士股价大幅跃升7.3%；日本厂商尔必达终盘则大涨4.4%，东芝（Toshiba）盘中股价也上涨了2.04%。
韩国Dongbu Securities分析师表示，DRAM价格上扬主要是受到台系厂商面临70纳米制程问题所致，业者生产面临难题，意味着供给增长将趋缓，有助于市场价格的回升。现代证券（Hyundai Securities）分析师也认为，就DRAM厂盈利的表现来说，近期涨价确实是一个好消息。
来源:电脑商情在线 2007.06.22
分析师认为，如果该处理器上市时间延迟太久，将给AMD带来很大的影响。数据显示，目前AMD在x86架构服务器市场的份额已达到9.6%，如果该处理器延期上市将会让对手逐渐分割市场份额。从目前来看，英特尔已经开始收复失地，如果巴塞罗纳延期上市，那英特尔将逐渐占据四核处理器市场的优势地位。
据此前的报道显示，由于在产品样品中发现缺陷，巴塞罗纳处理器的推出时间将从原定的6月份，推迟到8-9月发布。业界认为，尽管时间上晚了一点，但巴塞罗纳处理器推出的时间也算是比较合适，因为8月正是渠道的备货时期。
另一方面，近来英特尔宣布推迟至强处理器的降价时间，而业界人士认为，原因很可能与AMD巴塞罗那处理器的延期上市有关。
来源：Digitimes 2007.06.22
为了巩固NAND Flash产业的市占率，全球存储器大厂三星电子(Samsung Electronics)2007年在标准型DRAM的产出上，连连吃下败仗！继第1季全球标准型DRAM产出的龙头宝座，被同为韩厂的海力士(Hynix)挤下后，三星第2季的出货量恐将再输海力士；惟自第3季起，为了因应消费性电子的传统旺季，海力士已将DRAM产能转至NAND Flash上，三星确定将再度重返暌违已久的全球DRAM产出一哥的龙头宝座，这也让三星内部大大松了一口气。
存储器产业人士表示，2007年上半年不论是DRAM或是NAND Flash的走势皆相当诡谲，标准型DRAM的价格在第1季出现大崩盘，且下滑的幅度和速度，皆高于市场预期。反观NAND Flash产业在年初大跌后，3月初后价格即快速回升，甚至在第2季这种消费性电子的传统淡季中，8Gb仍维持在7美元左右的高水平，也算是相当反常。
业界人士分析，三星在2006年第4季的产能配置上，选择以NAND Flash产能为优先考量，主要是因为过去三星在NAND Flash产业中的市占率，已从50％的标准往下退。因此这次三星对于保住市占率40％以上的目标，具有相当重大的意义。
反观海力士的情况，在2006年第4季却选择将产能配置以标准型DRAM为优先，与三星的决定背道而驰。而在这2家韩系厂商一消一长的产能配置下，2007年第1季三星在标准型DRAM上的产出意外输给了海力士，让海力士顺利拿下全球标准型DRAM产出的一哥宝座，预计第2季这样的结果不会改变，让三星相当紧张。
业界人士分析，三星在全球存储器产业中，策略布局具指标性且有动见观瞻的意义，因此在「市占率」和「毛利率」2项选择题中，常常需要做出取舍，无法像海力士，直接喊出「只要毛利率、不争市占率」这种口号，因此如何在这两项中间取得平衡点，需要相当的大费心思。
以标准型DRAM出货量的角度而言，三星在2007年上半年已拱手让出龙头宝座，让同为韩厂的海力士意外超越，三星内部大为紧张。然就营业额来看，由于三星保有部分绘图卡用的特殊型存储器，其毛利率较具优势，加上平均价格(ASP)较高之故，因此在整体DRAM的营收规模，三星仍胜过海力士。
展望第3季营运，由于苹果(Apple)的iPod和iPhone下单量相当乐观，对于存储器大厂预定的产能手笔也相当大。日前海力士已决定将DRAM产能转到NAND Flash，以NAND Flash产能配置为优先，加上三星也决定增加标准型DRAM的产能。因此业界认为，三星第3季将顺利重返标准型DRAM出货一哥的宝座。
来源：eNet硅谷动力
【eNet硅谷动力消息】北京时间
根据DRAMeXchange公布的数据显示，本周三512MB DDR2内存的现货价格上涨17%，这同时也是疲软的内存市场近期出现的罕见的价格反弹现象。由于产量增加再加上市场需求低于预期，今年DRAM芯片价格大幅下滑，各大内存芯片厂商也因此受到不同程度影响。
业内分析人士指出，本周三内存现货价格反弹可能也只是暂时现象，但同时也坚定了他们有关内存市场全面复苏的信心。现代证券分析师Jay Kim当天表示，根据以往经验，整个内存市场在经历了现货价格大幅下滑之后将开始复苏，如果合同价格与现货市场上涨趋势保持一致，那么DRAM芯片价格将开始上涨，同时内存厂商第三季度业绩也有望得到改善。
作为仅次于三星电子的全球第二大DRAM芯片生产商，现代半导体股价周四上涨4.67%，涨至3.365万韩元；日本DRAM芯片生产商Elpida Memory公司股价上涨3.47%，涨至5670日元；中国台湾DRAM芯片生产商力晶半导体和南亚科技股价分别上涨2.26%和2.78%。
大华证券分析师Kevin Yeh表示，DRAM芯片价格已经触底，因此目前是增持厂商股份的最佳时机。与此同时，DRAMeXchange预测，DRAM合同价格将在本月底或者下月初开始上涨，这主要是由于PC旺季的来临将刺激需求增长。韩国CJ证券投资公司分析师Song Myung-sup表示，由于预料到未来价格将有所上涨，部分DRAM客户已经开始购买芯片，受此影响，DRAM厂商芯片库存仅能满足一两个星期的销售需求，远低于此前预期。
市场研究机构iSuppli上月预测，DRAM厂商利润率将在6月底或者7月初达到最低点，这主要是由于生产商将产能转向生产利润相对较高的NAND闪存芯片，同时PC厂商也充分利用目前的廉价优势积攒库存。根据路透社财经此前进行的调查显示，分析师普遍预测现代半导体今年整体营收将在去年基础上增长17%，达到8.89万亿韩元。
来源：国际电子商情网 2007.06.22
据SEMI消息，中芯国际协助湖北官方建设的武汉新芯
由于打造1座12寸厂所需资金至少约30亿至40亿美元，因此外界对于武汉新芯这座湖北首个12寸厂的资金来源甚为关注。目前在大陆12寸厂仍属少见，仅有中芯国际北京厂、海力士-意法无锡合资厂、最新的武汉新芯，以及已宣布但未成形的英特尔大连12寸厂。
此番看来，武汉新芯的首批设备采购资金目前已经到位。国开行湖北分行向中芯武汉厂提供人民币68亿元的中长期贷款无疑将为其生产线项目建设提供有力支持。
据悉，这笔人民币68亿元贷款合约的贷款期限为8年。此外，国开行还与湖北省政府签约贷款人民币8.1亿元，期限10年，用作新芯电网、周边道路、水电、环保设施等的建设资金。
中芯国际虽然只负责管理运营、技术输出及订单引入，而不负责贷款筹备，并且从该厂名字“武汉新芯集成电路制造有限公司”来看，也并无中芯的痕迹，但是中芯国际仍然在该项目上倾注了相当的气力。
不久前曾有报道称，新芯现在已经拿到了价值10亿元人民币的大额订单，这其中包括日立和西门子的订单。据称，新芯将会制造普通的DRAM产品，其主要客户为尔比达公司。
中芯不仅积极在湖北代管兴建新芯，本身也在上海努力打造自有的12寸厂Fab 8。据悉，Fab 8将在近日内完成设备迁移。
来源：DIGITIMES 2007.06.22 连于慧、陈怡均／台北
DRAM现货市场在端午节连假过后出现戏剧性大涨走势，2个交易日累计价格涨幅逾22%，下游模块厂表示，继茂德因制程转换导致产出不顺，力晶亦传出70奈米制程转换不顺，导致有效测试(eTT)颗粒供货锐减，并造成DDRII价格瞬间大涨，然因大多数模块厂都未在端午节前回补库存，在假期过后眼看价格不断攀高，只能当场傻眼。而在台厂制程不顺及DRAM现货价水涨船高激励下，21日带动三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)等国际DRAM大厂股价响起一片涨声。
模块厂表示，台DRAM厂在转换制程至70奈米时，陆续出现生产不顺问题，继日前茂德因转进70奈米制程速度过快，导致产出不顺，力晶亦传出因70奈米制程转换过程有问题，导致eTT颗粒供货锐减，是近2日价格大涨的元凶。惟对此力晶发言人谭仲民表示，力晶70奈米制程相当顺利，没有市场传出的这个问题。
部分业者则指出，尽管力晶在70奈米制程转换所产生问题，其实影响数目只有几百片，该数量不但对力晶而言微不足道，亦不足以左右现货市场供需，真正影响市场供货量的主因系母公司尔必达(Elpida)近期临时增加向力晶拿货数量，使得力晶能够转售到现货市场DRAM货源减少。
无论真正原因为何，近期DRAM厂惜售态度明显，尤其现正值自结半年报时间点，多数DRAM厂为弥补4、5月DRAM价格不佳、第2季财报恐不好看，加上看准第3季PC产业传统旺季即将来临，对于价格可说是铁了心要涨价，在供给端主导下，使得近2日eTT颗粒出现大涨。
不过，由于这波DRAM价格反弹过于快速，加上突然出现在端午节连假过后，让许多模块厂感到措手不及，原预计DRAM价格会延到6月底才触底反弹，如今却提前发动涨势，让不少模块厂与连假前的最低价位失之交臂，错失回补库存好时机，现在只能眼睁睁看着价格上扬。
值得注意的是，部分模块厂透露，其实在6月中旬DRAM价格低点时，已有全球规模相当庞大的模块厂，看准当时DRAM价格已是最低点，加上传统旺季即将来临，纷向原厂提出包下大部分产能计画，惟当时大部分DRAM厂皆认为价格不佳，不想要赔本售出，因而拒绝大型模块厂的提议。由此可知，DRAM厂在经历近半年低潮期后，这次是铁了心要涨价。
此外，受到台厂制程转换不顺及DRAM现货价格大涨影响，国际DRAM大厂股价全数走高。全球第1大存储器制造厂三星电子21日股价上涨2.1%，韩国第2大存储器厂海力士股价大幅跃升7.3%；日本大厂尔必达终盘则大涨4.4%，东芝(Toshiba)盘中股价亦上涨2.04%。
韩国Dongbu Securities分析师表示，DRAM价格上扬主要是受到台厂面临70奈米制程问题所致，业者生产面临难题，意谓著供给成长将趋缓，有助于市场价格回升。现代证券(Hyundai Securities)分析师亦认为，对于DRAM厂获利表现来说，近期涨价实为正面讯息。
来源：联合晚报 2007.06.222 记者徐睦钧/台北报导
DRAM现货价自前日起强弹20%，是否为假性需求？南科(2408)发言人白培霖表示，就目前该公司6月下半合约价已有部分客户报价呈现小涨，以及第三季的订单需求能见度高来看，预估7月合约价就会调涨，至于调涨的幅度有多大，则需视本周部分业者出清库存的情况观察，对第三季DRAM价格扬升趋势颇为确定。
512Mb DDR2 DRAM现货价重新站上2美元，大涨表现已引起市场关注，由于先前价格也曾有小反弹，但仍因为市场需求不振，小涨后又再度拉回，惟昨现货市场出现买盘拉抬，主流的DDR2飙涨17%，竟一举突破2美元关卡反压区，是否为需求端带动，成为观察DRAM业第三季市况的焦点。
对此，白培霖表示，南科6月下半合约价整体呈现持平状态，惟其中有几家客户，其实已接受小幅调涨价格方案，所以整体来说，合约市场目前大致已呈现稳定状态，至于现货价的飙涨，是否能够持续，本周是关键期，需要观察有些业者是否会将之前的库存出清，才能断定。
他分析，以南科第三季的接单情况来看，几可断定需求已经回流，目前接单能见度已到9月，因此，预估7月上半月的合约价将调涨，今年最坏的时机已过去。
来源：联合晚报 2007.06.222 记者徐睦钧/台北报导
今亚洲内存芯片类股全面走扬，主要反映DRAM现货价格跳升至6周高点。据集邦科技统计，512Mb DDR2 DRAM内存芯片的现货价格昨天飙涨17%，成为2.21美元，为