Archive - 六月 20, 2007

来源:北方网    2007.06.20

英特尔公司上周四宣布了高端安腾处理器的产品规划，英特尔称客户有望看到一个新的微体系结构以及迁移到32纳米制程工艺上去。

英特尔公司副总裁兼服务器平台事业部总经理Diane Bryant在旧金山召开的记者招待会上公布了公司下一步的产品规划，他表示公司将首先从升级目前的安腾2处理器入手，计划今年年内推出升级产品；最终将在2008年以后推出一个新型微结构。

英特尔公司在一年前推出了现在这款代号为Montecito的安腾2双核处理器。安腾系列处理器是英特尔公司在2001年为高端服务器市场开发的一款产品，也是它设计的唯一一款基于RISC体系结构的处理器产品。惠普公司是英特尔公司最大的客户，将安腾作为其Unix系统的基础。安腾处理器现在还可以运行Windows系统和Linux系统。

Bryant说，Montecito处理器的升级版产品的代号为Montvale，预计在今年年内上市；但是他没有透露具体的发布日期。Montecito和Montvale都是基于90纳米制程工艺的双核处理器。

英特尔公司计划在2008年开始销售Tukwila，Tukwila预计将在下一代安腾平台上运行，但是将采用与Montvale和Montecito一样的微体系结构。英特尔公司还打算利用65纳米制程工艺来生产Tukwila，这样就可以通过增加芯片上晶体管的数量来极大地提高芯片整体性能。

Tukwila将是一款四核处理器，包括集成存储控制器，每个核心中的线程数量将更多，此外还将采用一种新的高速互连技术来替代目前的前端总线互连技术。Bryant没有透露有关新互连技术的详细情况。

另外，Tukwila还将包括双设备数据校正技术，也就是说它可以处理一根内存条上的两个独立DRAM模块中的错误，以防止系统崩溃。目前，在内存发生错误时，安腾处理器只能隔离一个模块。

在主板厂商的首肯下，Tukwila将与英特尔公司的高端至强处理器共用一个相同的芯片组。然而，运行在至强上面的软件却不能在Tukwila上运行，也不能发挥出Tukwila处理器的所有功能。

在2008年继Tukwila推出之后，英特尔将推出一款基于32纳米制程的Poulson处理器，它将采用全新的微体系结构。英特尔公司工程总监Rory McInerney在记者招待会上说：“我认为Poulson处理器的推出不啻于首款安腾2处理器的面世。”

英特尔公司高管没有透露关于Poulson处理器的具体资料，但是他们表示每个处理器中将包含4个以上的核心，而且每个核心中将包含更多线程数。另外，运行在老版本安腾处理器上的软件也将可以在Poulson处理器上运行。McInerney说：“我们并不想对硬件进行程度重大到让软件行业产生混乱情况的变革，它将与之前的安腾处理器完全兼容。”

来源:技术在线     2007.06.20

                        图1 韩国三星电子提出的结构。该公司数据。

                        图2 台湾旺宏电子提出的结构。该公司数据。

                        图3 日立制作所提出的结构。该公司数据。

在闪存技术中，作为突破浮动栅型闪存微细化极限的方法，在SiN膜上积累电荷的电荷捕获（Charge Trap）型受到注目已由来已久。在“2007 Symposium on VLSI Technology”上，发表了三篇关于电荷捕获型闪存的基带控制的论文，体现出这一点（Session 8 “Nonvolatile Trapped Charge Memory”）。

韩国三星电子（Samsung Electronics）对电荷捕获膜（SiN），台湾旺宏电子（Macronix International）对上部封闭绝缘膜（SiO2），日立制作所对栅电极（多晶Si）分别施加了基带控制。

改进单元晶体管的膜结构

三星将电荷捕获膜改进为用两层SiN膜夹在Alsub>2Osub>3膜两侧的结构。由于电荷捕获膜中的电荷分布受到调制，因此可提高擦写速度和数据保持特性（论文序号8B-1）。旺宏电子提出的上部封闭绝缘膜的基带控制改用了SiOsub>2膜，形成了两层SiOsub>2膜夹在SiN膜两侧的ONO结构(论文序号8B-2)。该结构的特点在于不经由通道，能够从栅电极注入电荷擦写数据。与经由下部栅绝缘膜注入电荷的方式相比，能够遏制通道上方的界面老化，因此可提高擦写特性。日立提出的栅电极基带控制，是在栅电极与上部封闭绝缘膜之间导入无掺杂的硅。更容易从栅电极向SiN膜注入空穴，能够提高数据擦除速度(论文序号8B-5)。

来源:电子工程专辑    2007.06.20

特许半导体(Chartered Semiconductor Manufacturing Pte. Ltd.)开始制Tezzaron Semiconductor公司的内存芯片。此外，两个公司一起准备制造Tezzaron公司的3D产品。

特许半导体正采用0.13微米工艺制造Tezzaron的3T-iRAM系列2D 72Mbit内存产品，这种产品采用专利技术模拟SRAM，比SRAM更快、耗电更少，适于电信和数据通信设备。

Tezzaron也在开发称为FaStack的3D产品，支持将称为Super-Contacts的thru-silicon互联功能嵌入每块晶片的电路中，然后晶片以0.5微米的精度对齐、绑定形成单独的产品。

采用这种方法制造的产品将为72Mbit内存，两片叠合起来形成144Mbit的SRAM替代产品。

来源:电子工程专辑    2007.06.20

由于今年上半年笔记本电脑需求强于预期，市场调研公司iSuppli调升了对2007年PC市场的预测。该公司的最新预测是，今年PC销量为2.64亿台，比2006年的2.39亿增长11.2%。

此前的预测是2007年PC销量增长10.7%。但是，今年第一季度笔记本电脑出货量意外大增至2,180万台，比2006年第一季度的1,770万台上升了23%。

第一季度笔记本电脑出货量比iSuppli的预测高出3%。该公司现在预计，笔记本电脑将占2007年总体PC市场的40%左右。英特尔首席执行官Paul Otellini预言，笔记本电脑出货量将在2010年以前超过台式电脑。

的确，AMD与英特尔在塑造下一代笔记本电脑方面的竞争加剧，可能刺激了需求。特别是这两家厂商明年都将推出新的平台。较长期来看，AMD将利用不断增长的笔记本电脑市场作为其首款Fusion处理器的发射台。该处理器将把X86与图形内核集成在一个裸片之中。

笔记本电脑和整体PC市场增长率将达两位数的预测，这对于业界来说是好消息。分析师不断调低对半导体产业增长的预测，目前已降至1-3%左右。另外，iSuppli也更新了对笔记本电脑固态硬盘(SSD)的预测。它现在预测2009年末固态硬盘将被12%的笔记本电脑采用。相比之下，2009年末混合硬盘(HHD)在笔记本电脑中的普及率将达到35%。

固态硬盘只使用闪存，以获得较高的可靠性和较低的功耗。混合硬盘通常在传统硬盘中使用不到1GB的闪存，以加快引导和载入应用程序的速度。

iSuppli存储研究业务的分析师Krishna Chander表示：“虽然在近期来看，成本仍将是限制SSD和HHD被大量市场采用的主要因素，但成本差距将在未来几年不断缩小，使其得到更广泛的采用。”

iSuppli预测，在SSD、HHD、Turbo Memory和其它解决方案的推动下，到2009年第四季度闪存在笔记本电脑数据存储应用中的普及率将接近60%。面对闪存大举进入电脑，硬盘处于守势。

来源：工商时报 2007.06.20　邱诗文/新竹报导

分属台积电与联电旗下的IC设计服务公司创意与智原，上半年表现各不同调，不过，创意受到台积电九十奈米制程ASIC订单挹注，智原则受到来自联电集团公司的拉抬，IP授权业务成长带动，市场估计，两家公司的营运从第二季起开始可望逐季加温。

智原表示，第一季是传统淡季，营收较二○○六年第四季，小幅下滑了六．六七％，第二季虽然营收小幅成长，表现却不如预期，主要原因在于多媒体与个人计算机周边相关客户产品递延的影响，不过，延后的订单六月起将陆续量产，加上智原的MPEG 4与H.264等多媒体IP，有机会在下半年开始挹注营收，因此下半年业绩成长强劲。

最重要的是，联电集团设计公司众星拱月，智原今年IP授权业务成长幅度将优于往年。智原指出，公司正为联电开发九十与六五奈米制程IP，该部分设计案将在今年下半年导入量产，另外，智原也正与冲电气（OKI）合作设计，以车用电子与指纹辨识领域为主，估计将在今年底导入试产，合计今年共有四十个○．一三微米与九十奈米的设计案导入试产。

至于创意则受到台积电○．一三微米与九十奈米ASIC订单带动，今年前五月营收仍持续快速成长，较去年同期成长了一．六九倍，公司五、六月营收可望逐月成长，整体第二季业绩表现淡季不淡，应可较第一季的一四．九四亿元更好，将较去年同期大幅成长一．一九倍以上。

下半年为电子业的传统旺季，创意的营运表现将由第二季开始逐季加温。由于提升先进制程能力，目前○．一三微米以下先进制程，占创意营收比已达六○％，在四五奈米设计服务部分，由于与台积电进行合作，创意今年测试芯片的客户将增加到五个。

来源：科技新闻    2007.06.20

据了解，全球感测组件（CMOS Sensor）第2大厂豪威（Omnivison）对台积电扩大下单，产能从每个月2.5万片增加为3.5万至4万片，然而，台积电8寸晶圆厂近期已达满载，为满足豪威，同时也解决8寸产能吃紧的窘况，台积电内部正加速对外收购8寸晶圆厂计划。根据设备商指出，日前台积电有意收购韩国海力士（Hynix）的8寸晶圆厂房，预计2007年第三季即可望敲定，并抢在年底旺季前提高产能。但台积电对于收购海力士8寸晶圆厂案不予置评，并强调收购对象台内外都有可能。

台积电这两年积极拓展非逻辑代工以外的市场，包括闪存与感测组件两大领域，以便让台积电能继续提升已成熟的晶圆代工市占率。目前台积电与全球最大Nor闪存供货商飞索半导体（Spansion）合作代工，预计2007年营收比重约可达5％至7%；在CMOS 部分，台积电与全球第2大感测组件供货商豪威合资，先后成立彩色滤光片的采钰及CMOS用晶圆封装厂精材。

来源：科技新闻    2007.06.20

尽管内存封测受到DRAM景气复苏气氛将延至6月底，不过，由于内存后段封测需求不断增温，继日月光(2311)与日本尔必达进行私下会晤，使得内存后段封测产能争夺战一触即发！短期大厂间可能因为产能争夺的尔虞我诈，恐将引发杀价竞争的隐忧﹔不过长线而言，内存供货商为了求稳定的封测产能，而封测厂为了长期的订单合作关系，未来上下游结盟的效应，将衍生大厂朝稳定供需关系，及长远的获利架构方向迈进，有助于封测厂长期的营运获利稳健。

尽管封装测试产能受到淡旺季的影响相当深，旺季时产能利用率100％，淡季时产能利用率也可能一下子降至60％以下，由于设备固定折旧费用的成本效应，产能利用率降低时，可能就会造成亏损，不过产能利用率越过损益两平点后，其多余的营收数字就几乎都是获利，因此封测契思长期合作的策略性伙伴，以维持基本产能力利用率，再争取其它高获利订单挹注获利贡献。

随着Vista的推出，以及消费性电子产品的推陈出新，对于DRAM及Flash等内存的不同需求应运而生，市场预期DRAM景气将在6月份落底，而Flash的市场需求，也因为iPhone的推出，及消费性电子需求畅旺的激励下，未来包括日月光、力成(6239)、泰林(5446)、华东(8110)等，均将因第三季旺季来临及大厂的稳定订单挹注，营运业绩将较第二季再度呈现明显成长荣景。

日月光去年开始大举进军内存封测领域，内部曾预估今年DRAM占营收比重将由年初的2％扩充到年底的5％，而该预期市场推断应该就是与尔必达合作的可能性最大﹔主要系因为尔必达与力晶(5346)合资成立瑞晶，且将共同投资四座晶圆厂，未来总产能朝全球最大方向迈进，在其12寸晶圆厂产能大幅开出，只要日月光与尔必达成功合作，将大举激励日月光在内存封测接单的业务大幅成长。其中高盛证券就曾指出，日月光目前受logic、mixed-singal方面业务的影响波动仍很大，但是日月光进军内存封测业务后，除了DRAM的策略联盟外，对其IC基板的订单也将出现挹注，使得日月光进军内存封测的营运策略算盘可谓进可攻、退可守。虽然短期可能将因为市场的竞争对于毛利率造成冲击，不过长期而言，法人估计日月光的整体毛利率将因量能的持续放大，有相当大的机会维持在高标水平的30％。

力成虽然今年营运受到日月光、矽品(2325)等相继宣布跨入内存市场，造成内存封测产能抢单拔桩疑虑，不过力成办理的35亿元私募案对象包括英特尔投资公司(Intel Capital)、与东芝及尔必达等，使得力成未来营运还有这三大股东的大单加持挹注，业绩仍将维持稳定的成长格局。由于力成母公司金士顿，原本就与英特尔、东芝、尔必达等大厂有业务往来，因此基于未来关系的长期发展，力成与金士顿出面邀请上述国际大厂参予私募计划，成为未来力成营运持续成长的动能。

 至于原本依赖母公司南茂内存封测订单的泰林，则在独立取得海力士(Hynix)对台释出DRAM封测代工委外订单后，再增茂德中科12寸厂的代工订单，此外，进入Flash测试领域也相当顺利，去年除了Nor Flash方面有SST等客户订单支持外，在Nand Flash测试也得到新帝(SanDisk)订单的加持，此外，泰林逻辑测试合并同集团的信茂后，今年第二季开始将达损益两平，营运业绩可谓稳定上扬。

华东近来在内存市场也颇有斩获，除已经通过尔必达DDR2封测认证外，跨足MCP与NAND快闪记忆卡封测订单也传捷报，华东除尔必达消费性DRAM及DDR2封测订单外，近期也成为奇梦达在台湾唯一的DDR2委外封测厂﹔此外，近期还传出接获日本夏普整合闪存与利基性内存等关键IC的MCP封测订单，并将在下半年开始出货，虽然该订单未获华东的证实，不过华东总经理于鸿祺即曾指出，华东今年资本支出约达40亿元，其中主要扩增DDR2封测产能，及跨入记忆及逻辑产品，其中MCP封测部分，下半年将正式量产出货日本大客户订单，今年将占整体营收比重达5％，并对公司未来的营运展望相当乐观。

来源：路透社    2007.06.20

路透东京电---日本松下电器产业<6752>周二表示,该公司已开始以45纳米(奈米)制程生产系统芯片,成为全球最早量产45纳米微芯片的企业.

松下目前在日本中部厂房同时生产45及65纳米芯片.松下计划将该厂产能提高,由目前的每月6,500片12寸晶圆提高到10,000片.

松下与瑞萨科技合作开发45纳米芯片,松下副社长古池进向记者表示,松下计划扩大现有合作关系,开发下一代的32纳米芯片.

根据研究机构iSuppli的资料,2006年时松下是全球第17大微芯片厂商.

松下预期本会计年度微芯片产出将较上年度成长8%,达到4,750亿日圆,占预估营收的5%.

上述消息宣布后,松下股价收低0.2%,至2,570日圆,表现与日股电气机器指数相当.

来源：路透社    2007.06.20

路透旧金山电---国际半导体设备暨材料协会(SEMI)周二宣布,北美芯片(芯片)设备生产商公布5月订单额较上年同期小增.

SEMI在报告中称,5月订单额为16.7亿美元,较4月增长6%,较上年同期增长3%.

5月订单出货比为1.00,意即每出货100美元产品,则收到100美元新订单.(完)