Archive - 六月 14, 2007

电子工程专辑   2007年06月14日 

Rambus宣布采用XDR DRAM的客户出货量已超过2,500万颗组件。在高频宽与成本敏感的系统设计上，XDR DRAM和XDR内存架构非常适合绘图处理、消费性电子产品、网络和服务器应用，以及透过多核心处理器驱动的新一代计算机运算平台。Sony的PS3游戏机亦是采用XDR DRAM高性能内存解决方案的系统。

XDR内存架构以4.0GHz频率运作，一颗2字节宽的XDR DRAM，能提供8.0GB/s最高内存频宽。XDR DRAM可搭配XDR内存控制器(XMC)、XDR IO控制器接口单元(XIO)以及XDR频率产生器(XCG)运作，利用最少IC芯片数实现空前的内存阶层效能。Rambus计划扩充XDR DRAM频率运作到8.0GHz并为每组件提供16.0GB/s频宽，以持续提供一系列较今日标准内存更高的容量与效能。

XDR内存架构的主要特色包括从Rambus创新专利发展而来的几项关键技术，例如低电压、低功率的DRSL技术；可在每个频率周期传送8位数据的8倍速传输(ODR)技术；可提高芯片内数据排列与频率校准精确度的FlexPhase电路技术；用于增强信号完整性和可扩充性的动态点对点(DPP)技术。

目前获得XDR DRAM技术授权的公司包括尔必达(Elpida Memory)、奇梦达(Qimonda以及三星(Samsung Electronics)。

来源：新浪网    2007-06-14     唐金亮 编译

[世华财讯]美国半导体行业协会将其对2007年微型芯片的销售增长预期从10%降低到了1.8%,即2520亿美元,原因是微型处理器、DRAM和NAND闪存的价格迅速下降。

综合外电6月13日报道,美国半导体行业协会(SEMICONDUCTOR INDUSTRY ASSOCIATION,SIA)将其对2007年微型芯片的销售增长预期从10%降低到了1.8%,原因是微型处理器、DRAM和NAND闪存的价格迅速下降。

该协会预计称,2007年微型芯片销售将为2520亿美元,2010年则将上升至3060亿美元。

该协会称,2007年个人电脑销售增长预计将达10%,至大约2.55亿台;而微型处理器的销售则预计将下降1.6%。DRAM内存的销售预计将上升2%。

来源：国际电子商情   2007-06-14

特许半导体日前重申了关于第二季度的业绩预测，称晶圆出货量有望增长15%。特许半导体预测营业额不会有太大增长，但台积电则预测营业额至少会有一定增长。

新加坡特许半导体在4月27日发表关于第二季度业绩的初步预测时，预计来自一些客户和应用的需求会出现增长。但面向PC领域的90纳米晶圆出货量较低，将拖累营业额增长，并压制利润率。

由于每个晶圆的平均销售价格至少下降12%，最多下降16%，预计特许半导体的营业额将停滞在3.23亿美元左右。产能利用率将徘徊在77%附近。

台积电的形势要好一些，但也不是非常灿烂。市场调研公司FBR Research表示，第二季度晶圆出货量增幅可能“在15-17%区间的高端，这是修正后的预测，4月时的预测为增长14-15%。”

台积电表示第二季度营业额将增长到22.1-22.7亿美元。

FBR Research的研究报告称：“我们最近的调查证实了我们原来的看法，即台积电2008年的资本支出可能增长10-15%，主要受其对客户作出的65纳米和45纳米产能承诺推动。”

FBR Research预计平均销售价格不会有太大变化。

FBR在其研究报告中指出，在第二季度初始晶圆出货量比第一季度增长18-20%的情况下，第三季度有望再增长14-16%，高于原来预期的12-14%。FBR表示：“人们认为第二季度通讯是最强劲的终端市场，第三季度计算机将是最强劲的市场。”

市场调研公司Gartner最近把它对2007年半导体市场增长率预测从6.4%调降到了只有2.5%。它估计未来五年半导体市场的复合年增率为5.1%。

 来源：DigiTimes  2007/06/14

　   NAND型快闪存储器( Flash)产业崛起速度相当快，而其中牵扯的相关标准规格制定，更是各界竞逐之大饼，除了新帝(SanDisk)成功主导SD卡外，包括英特尔(Intel)、微软(Microsoft)、台系厂商和工研院、甚至是大陆官方，也都对NAND Flash产品制定标准规格的游戏相当热衷，未来不论是NAND Flash界面，或是现在看似相当成熟的快闪记忆卡、随身碟等市场，标准规格的战争只会越演越烈。

记忆卡全球胃纳量上看6亿片 规格战从未止歇

目前全球快闪记忆卡领域中，市占率最高的规格为SD卡，然其收取6%权利金的作法，让不少人诟病，但目前不论是在数码相机或是手机等应用面，消费者对于SD规格仍是接受度最高，而象是Sony主导的Memory Stick，也在消费性电子产品市场上占有一席之地，其它象是MMC、CF等市场，市占率则相对较小。

据市调机构统计，2007年全球快闪记忆卡胃纳量可上看6亿片，与2006年相较约有30%的成长，其中大陆市场对于记忆卡的需求量更是可观，台系厂商和大陆业者为了规避SD卡高达6%的权利金，积极推动自有的标准规格，期望能分食部分记忆卡的商机大饼。

台厂从未掌握规格发球权   miCARD或许是机会

一直以来，台湾虽然是全球科技产业重镇，然在多种科技产品上，象是光盘片、光驱，甚至是现在最热门的快闪记忆卡等，台湾厂商与国际大厂始终周旋于权利金的战争，如何拥有自有规格，摆脱国际大厂的权利金梦魇， 一直是台厂殷殷的期盼所在。

因此，台湾厂商早在几年前，就有开创自有规格记忆卡的概念，当初是由工研院和华硕、积智日通卡、旺玖、希旺、万国、宜鼎等6家厂商发起此概念，最早称之为Mu Card，现在则改名为miCARD，过去台湾业者在科技产品规格制定角色上，少有发声的机会，然快闪记忆卡产业或许是第1个机会。

由于台湾厂商势单力薄，因此工研院和这6家厂商遂与大陆信息产业部合作，希望藉由两岸共同之力，能制定出两岸共同的记忆卡标准，其中台湾厂商和工研院贡献技术规格，加上大陆市场的庞大需求量，若届时能辅以大陆官方法规的制定，此记忆卡标准有机会成为华人共同的记忆卡标准规格。

然台湾和大陆虽然有携手共同制定标准规格的理想，但有时政治因素和双方法规不同的阻力，可能都大于产品技术本身，因此未来台湾和大陆是否可以共创记忆卡的标准规格，可能还有一段路要努力。

为了让台湾自己创造的记忆卡规格，也能成为国际组织的标准，工研院和这6家厂商一直以来也都与MMCA组织合作，主要是因为MMCA组织不用收取权利金，是完全开放的规格，台厂才有发挥的空间，2007年初MMCA组织正式宣布，台湾自创的miCARD已正式成为国际的记忆卡标准规格。

新帝是规格制定的个中高手   SD是记忆卡中的代表作

新帝对于制定标准规格一直是颇为擅长，从过去CF卡，到现在的SD卡，都相当成功，然对于与msystems(目前已并入新帝)合作推出的随身碟界面U3规格，推广就不是这么顺利了。

归咎其不成功的原因，主要是因为随身碟仍是属于个人计算机(PC)应用，新帝在PC领域中不具有主导的地位，其主要擅长的是消费性应用端的规格主导，加上加入U3协会的软件厂商都不是具主导性的大厂，因此U3的推广有其先天性的难度。

此外，随身碟早已是相当普及性的产品，一般消费者多以随身碟作为储存应用，然U3协会收取5%权利金，当中附赠的软件还要额外付费，或是消费者要自行到网站上下载，都让消费者使用U3的意愿大减，也让其它随身碟制造商不愿意花心力推广。

记取U3失败教训 新帝与微软携卷土重来

有了U3失败的教训，日前新帝再度卷土重来，这次与软件巨擘微软(Microsoft)共同制定PC产业的储存界面标准，也就是由U3平台概念所延伸出来，PC使用者可将常用的使用界面和环境，储存至随身碟或是记忆卡当中，将所有数码资料随身带著走，预计2008年下半会有新产品推出。

过去U3协会找的软件厂商都不是具主导性的厂商，这次与微软携手，算是相当正确的方向，加上原本业界就传出微软有意跨入此领域的标准制定，这次微软和新帝两强携手，使得这个新的标准界面成功机率大增，以Windows操作系统的普及率，未来其它厂商不跟进也难，使此标准界面导入随身碟和快闪记忆卡两种产品之中。

而值得顺道一提的是，虽然新帝主导U3规格没有成功，但在随身碟产业中，仍炒热内建应用软件的市场，增加随身碟的附加价值，虽然在目前市场上，这样的产品并不是主流，但各家厂商的确都有推出自建软件的随身碟产品，也相当认同这样的产业潮流概念。

英特尔提出ONFI标准   三星、东芝捏了把冷汗

此外，说到制定标准规格的游戏，就不得不提英特尔针对NAND Flash 标准界面所提出的ONFI(Open NAND Flash Interface)！英特尔一宣布进入NAND Flash市场，就对外表示要制定NAND Flash标准界面，这点着实让三星电子(Samsung  Electronics)、东芝(Toshiba)等一哥和二哥捏了把冷汗。

ONFI联盟成立的概念其实很简单，目前NAND Flash技术和制程百家争鸣，每一家用的制程、技术都不一样，而对照到终端产品，各种类的数码相机、手机等加起来机型超过数千种，常常会出现兼容性的问题，ONFI规格就是要做一个统一的界面，省去控制芯片业者、终端产品制造业者在设计上的麻烦。

目前ONFI联盟的标准已从ONFI 1.0规格，推升至ONFI 2.0规格，进展相当快速，且目前也争取到不少会员加入，包括海力士(Hynix)、意法半导体(STMicroelectronics)、奇梦达(Qimonda)、Spansion、Nvidia、ATI、力晶、华邦、富士康、金士顿(Kingston)等加入，业界看好这会是产业相当重要的标准规格。

整体而言，NAND Flash属于新兴产业，包括NAND Flash本身，以及延伸出来应用产品随身碟、快闪记忆卡等，当中牵涉庞大的利益，因此各方之霸皆积极用规格战的方式卡位市场，不只科技巨人英特尔主动出击，连过去少有涉猎的台厂这次也加入这场战争，更不用说是老手新帝，不过推出新的规格标准，必定经过层层把关，未来NAND Flash终究还是看谁的规格能胜出，取下最大市占率，就会是产业的最终赢家。

来源：eNet硅谷动力  2007-06-14

日前，在受到广泛关注的2007年台北Computex展上，全球DRAM产品制造与营销大厂——南亚科技宣布其通路品牌Elixir超世代DDR3内存抢先上市。

南亚科技Elixir DDR3可支持1066MHz与1333MHz等运行频率，甚至可支持高达1600MHz，为DDR2的2倍，在功耗表现上更比DDR2优异，电压由原本的1.8V下降至1.5V，是现今业界最快的内存组件。运用在游戏软件终极动员令3：泰伯伦战争，更能有效提升处理器执行速度，3D实时运算呈现绝佳的影像质量，让追求完美影音效果的玩家们体验游戏中震撼画面。

  南亚科技全球业务营销副总暨发言人白培霖指出，“为因应四核心时代的来临及游戏市场日益热络，南亚科技专注DRAM新产品的研发制造与营销，及时推出Elixir DDR3全速系列内存，期望玩家能够享受极致效能表现，再次展现DRAM大厂的王者之风”。

来源：中时科技 2007-06-14

 可程序化逻辑组件（PLD）大厂美商赛灵思（Xilinx），可程序化逻辑组件（FPGA）芯片，近期与联电南科十二寸厂展开合作研发，将成为联电第一家四五奈米芯片客户，台积电四五奈米制程第一家芯片客户，则是美商高通（Qualcomm）CDMA-2000基频芯片，预计年底量产。

         赛灵思第二季宣布六五奈米FPGA芯片VirtexV，已经获得生产认证，目前在三个平台中已有十三种组件，以联电、东芝为主力代工厂，赛灵思去年底就与联电、东芝开始进行四五奈米合作计划，随着联电的四五奈米制程获得突破，赛灵思也正式在联电南科十二寸厂，以四五奈米进行投片，初期投片规模已达千片左右，预计明年下半年正式导入量产。

          赛灵思（Xilinx）与阿尔特拉（Altera）的FPGA芯片，即将全面进入六五奈米制程竞争，其中赛灵思中高阶FPGA芯片Virtex V订单，采用联电六五奈米制程量产，与阿尔特拉六五奈米FPGA芯片量产时程相比，至少领先一年以上，阿尔特拉为缩小赛灵思领先的距离，与台积电进行制程合作，已于年初推出六五奈米中低阶FPGA芯片。

         另外，台积电四五奈米制程则与高通，合作四五奈米CDMA-2000基频芯片制程研发，估计将在今年内导入量产。高通的 Snapdragon平台于去年十一月推出，采用台积电六五奈米制程生产。

         高通CDMA芯片组过去以手机市场为主要应用，不过由于个人计算机、消费性电子与行动通讯产品合流，未来支持Linux操作系统口袋型上网产品装置，将是Snapdragon平台锁定市场。

来源 ：联合理财网 2007-06-14

DRAM 产业：6 月上旬主流规格之DRAM 合约报价于上周公布， 与5 月下旬相比， 呈现持续下跌之情形， 由于5 月份PC OEM 需求不振且DRAM 产出持续增加， 导致更多 DRAM 现货市场供需严重失调，致使5 月下旬现货价格大幅下滑并续创低价， 因此本次合约价格连带向下调整， 惟现货市场之跌势已于5 月底呈现触底反弹。

台证预估将导致DRAM 厂商第2 季之营运陷入亏损， 加以目前仍为 DRAM 需求淡季， 短期间仍欠缺刺激股价大幅上涨之因素。

因此， 台证维持对DRAM 产业中性之投资评等， 仅给予力晶( 53 4 6 ) 与茂德( 53 8 7)买进之投资建议。

来源：番薯藤网  2007-06-14

美国半导体产业协会(SIA)周三调降对2007年全球芯片(芯片)销售额增幅的预估,指因几个关键市场领域的平均销售价格下跌.

SIA表示,预计2007年半导体产业销售额增长1.8%,稍早预计的增幅为10%.在其最新预测中,SIA预期2007年全球半导体总体销售额为2,520亿美元,预计2010年上升到3,060亿美元.

SIA表示,微处理器、DRAM和NAND闪存(闪存)价格快速下跌,是促使其调降预估的主要因素.

来源：中时理财网 2007-06-14

        DRAM DDR2 533价格从年初拉回至今，修正幅度逾70％，使得DARM族群股价随之受挫下滑；不过，六月份DRAM价格震荡打底，DRAM族群在股价提前反应之后，筹码相对趋稳，类股再跌机率不高，酝酿筑底、攀扬契机。分析师指出，随着整体VISTA需求逐渐引发，加上价格具吸引力下，后续现货价若有机会出现反弹，则期落后电子类股的DARM族群应有表现机会；其中创见等模块厂营收起色，股价表现强，华亚科等DRAM制造商，筹码面逐渐沉淀，可逢低布局。

        比较DRAM相关族群六月份以来筹码面的变化，以及五月营收表现，六月以来DARM制造商的股价大致呈现下跌状态，惟模块相关个股则是向上攀扬局面。

         整体模块厂商五月份营收表现比DRAM的制造商优异；尤以创见、商丞相对凸显，至于DRAM相关制造商无论相较去年同期与四月均是呈现下跌的，显示近期DRAM模块的上涨与营收的表现有相关。

         创见目前DRAM、FLASH比重各约38％、58％；未来只要DRAM价格不跌，NAND Flash价格温和成长，有利于带动营收上扬，毛利率回到10％之上。

来源：中时理财网  2007-06-14

集邦科技（DRAMeXchange）内存报告指出，今年年12寸晶圆厂产能成长73％，下半年加速成长领域的70奈米制程1Gb颗粒，可望于明年成为主流，而主机内存搭载量2G比例可望提升达40％。分析师认为，考虑12寸厂运作产能规模、效益以及8寸厂的淘汰负担，DRAM厂商以华亚科最具竞争力，其次为力晶、茂德，南亚科则因8寸厂比重最高，负面冲击相对明显，表现稍显落后。

为减缓报价下滑冲击，提升成本竞争力，今年DRAM厂除华邦电外，均有兴建或扩充12寸厂计划；其中南亚科12寸新厂在第四季完工、华亚科在第一季、力晶在第三季、茂德在第二季，至于70nm高阶制程的升级竞赛，由茂德率先于第二季导入，力晶第三季跟进，华亚科约于年底第四季。

全球前二大的韩国大厂Samsung、Hynix合计市占率达40％，产能实际产出状况牵动今年DRAM供需。Hynix主要的新增产能已在上半年完工、Samsung也处执行阶段；倘若Samsung第三季放缓扩厂速度，对整体供需将有好转的机会。

DRAM厂商五月份已全面亏损，率先导入70nm制程，降低生产成本为各方努力方向。茂德规划12寸厂在年底全数导入70nm高阶制程，平均生产成本能够降低25％至30％，是台湾DRAM厂商当中，70nm进度最快的业者。

华亚科第二座12寸厂于第一季完工量产，初期月产量五千片、规划第三季提升到六万片最大产量，南亚科代销产量也将同步增加，预估前三季华亚科产量占南亚科整体销售比重60％。

 力晶12A、12B产能皆已满载，12M月产量第二季拟45000