Archive - 六月 13, 2007

走进中关村  2007年06月13日

全球半导体设备大厂艾斯摩尔（ASML）财务长韦尼克（Peter Wennink）12日指出，第四季晶圆代工、记忆体产能供需都将趋于平衡，这代表晶圆厂必须持续下设备订单，明、后年半导体产业景气将进入一个新的上升循环。

韦尼克解释，明、后年半导体产业景气将进入一个新的上升循环，这符合过去五、六年来ASML的成长轨迹，经过一年调整期后，接着会经历两、三年的二位数成长。他说，产业平均的年成长率在8%至10%，ASML的成长将超过整体产业平均值。

ASML20年前进入微影设备产业，当时的市场占有率是零。20年来，透过有效的价值委外（Value sourcing）与并购策略，成为全球最大的微影设备厂，日本以外的市占率超过七成，公司总市值更超过90亿欧元。

韦尼克说，ASML截至今年第一季底的在手订单达21.63亿欧元，再创新高，订单数量共148套，平均接单价格则因为浸润（immersion）等先进设备增加，已提升至1,460万欧元。他估计有78%的在手订单，将在第二季、第三季出货。

ASML的浸润微影设备目前出货超过45套，可让制程微缩到40奈米以下，其中有25套出货到亚洲。ASML市场与技术资深副总裁白灵克（Martin Brink）指出，客户采用浸润设备生产的晶圆已超过120万片，日产出也超过1,000片。

 ASML维荷芬总部与设在台湾的全球卓越创新中心（ACE）正在扩建洁净室，预计2008年，光是维荷芬总部将增加约24%的面积。韦尼克表示，除了客户的需求已见回升，也是为准备极紫外光微影（EUV）设备的生产使用。

ASML的台湾晶圆代工客户包括台积电、联电；记忆体客户有南科、华亚科、力晶、茂德等。韦尼克表示，根据客户端的讯息，晶圆代工厂第二季产能利用率已回升，DRAM今年成长估计在33%、Flash会到48%。

中小企业IT采购网  2007-06-13   张富凯  

三星电子已经开始出货自有品牌的1TB容量硬盘产品。

 三星此次出货1TB硬盘没有公开宣布，比较低调。三星1TB硬盘型号“SpinPoint F1”，使用了三个碟片，单碟容量高达334GB。基于垂直记录技术，转速7200RPM，缓存16MB或32MB，接口SATA 3Gbps，支持NCQ技术，平均寻道读取时间8.9毫秒，平均潜伏时间4.17毫秒，支持三星独有的节能降噪和性能增强技术。

 SpinPoint F1系列除了1TB容量外，还有750GB、500GB和320GB等容量版本。

 此前，日立和希捷都已经出货1T硬盘，随着三星的加入，主流厂商均有1T的产品。PC的硬盘正式进入了T时代。虽然三星此次1T硬盘出货比较低调，但是技术并不落后，单碟容量高达334G，而日立的1TB硬盘单碟只有200GB，希捷也只有250GB。

 1T的硬盘容量目前对于商业用户来说，用处似乎不大，但是对于强调语音娱乐的用户来说，这是一个不错的选择。

电子工程专辑   2007年06月13日  

英特尔日前宣布与华硕结盟，生产价格低至200美元的笔记本电脑，这些产品面向发展中国家的教育市场。华硕是全球最大的电脑主板生产商。

英特尔多年来一直向发展中国家的儿童销售笔记本电脑，但还没有像每个儿童一台笔记本电脑基金会(OLPC)那样计划进行大规模的生产。

英特尔和华硕的低价电脑是一款全功能的低端笔记本电脑，而OLPC则是绿白两色的儿童友好型塑料笔记本电脑，没电时可以用摇把驱动。它们的单价约为180美元。

在Computex上发布主题演讲前接受电话采访时，英特尔全球销售和营销主管Sean Maloney表示：“这是解决同一问题的另一种途径，这世界很大，这些产品都有自己的生存空间。”

OLPC基金会上月表示，预计10月份开始推出数以百万计的低价笔记本电脑。分析师表示，此举可能影响发展中国家的PC产业增长。

Maloney表示，低价笔记本电脑将采用一种低端微处理器，但拒绝透露更多细节。它可能将拥有一个7或10英寸的屏幕，传统硬盘或闪存硬盘，以及无线互联网。Maloney指出，其中一种型号的价格将在200美元左右，其它型号的价格可能高达400美元或500美元左右。这种产品将于今年稍晚的时候上市，采用某种免费Linux操作系统，或者微软的Windows XP。

Maloney还介绍了英特尔的3-Series芯片组家族，这是从头开始设计的，用于支持英特尔即将推出的45纳米处理器Penryn。Penryn预计于今年稍晚的时候推出。据称，3-Series芯片组支持更好的PC性能、更清晰的分辨率视频，并可以提供家族影院级的音像质量。

Maloney表示，“这些芯片组将是未来18-24个月多数PC产业的基础，而且比以前的产品更节能。”Maloney还详细介绍了英特尔的Core 2 Extreme移动处理器计划，该处理器预计于今年第三季度推出。

Digitimes   2007/06/13   庄衍松／台北

德仪(TI)已决定停止研发45奈米以下的制程技术，恩智浦(NXP)也退出65奈米以下的制程技术。经济部分析，这是台湾晶圆代工厂专注制程研发很好的机会。面对韩国三星电子(Samsung Electronics)也切入晶圆代工抢订单的行业，台湾和韩国在半导体制造的竞争将有加剧的趋势。

经济部官员指出，12寸晶圆厂的建置和先进制程的研发，是台湾半导体制造厂商提升竞争力的重要发展策略。总计台湾有13座12寸厂量产；7座兴建中；规划中的有19座。是全球12寸晶圆厂密度最高的国家，占全球半导体产能3分之1。不过，当英特尔(Intel)自成一阵营；IBM、超微(AMD)、特许(Chartered Semiconductor)等业者成立另一个产业联盟之后，台湾晶圆代工的定位就有必要再确认。官员指出，韩国三星未来的动向值得台湾晶圆厂密切观察。

官员指出，12寸厂的昂贵建厂成本及后续制程开发费用，使得30家12寸厂的业者只有不到一半愿意继续投资新厂及65奈米以下制程技术的开发。德仪未来32奈米和22奈米制程都要找晶圆代工。IDM大厂相继采行Fab-Lite策略，对台湾12寸晶圆代工厂如台积电及联电有利，不过新的趋势也会让具有12寸厂产能的韩国三星，也加入与台厂抢IDM订单的行列。

经济部指出，目前台积电将在比利时微电子技术研究所(IMEC)、新竹研发总部，同步与NXP展开45奈米制程嵌入式非挥发性技术合作，锁定Flash先进制程研发。至于联电则和Cypress合作开发45、32奈米以下先进制程技术。经济部认为，台湾晶圆代工业者势必要再投资先进制程，才能持续吸引国际IDM大厂对台湾12寸厂下单。

DIGITIMES   2007/06/13   吴宗翰／台北

　NAND型快闪存储器(Flash)架构一直是全球DATA Flash市场主流，就连DATA Flash技术霸主东芝(Toshiba)亦仍旧采用NAND Flash架构，不过，日前东芝在日本所举行VLSI座谈会上提到，将转向采用3D架构技术以提高NAND Flash容量，而该技术与旺宏先前所公开展示BE-SONOS技术相当雷同，一旦业界开始采用3D架构，未来旺宏将有机会藉由BE-SONOS赚取大量权利金。至于何时会开始采用3D架构生产，东芝则未正面回应。

存储器业界多已有体认，既有NAND Flash芯片技术到45奈米制程技术世代时，便会遭遇物理极限瓶颈，而当前旺宏所独有BE-SONOS，可能是业界最可行的新世代NAND Flash芯片技术。由于旺宏拥有此技术及专利，因此，未来除与旺宏有机会成为合作伙伴的奇梦达(Qimonda)外，任何厂商欲采用此技术生产DATA Flash芯片，均需经过旺宏授权，并给予实际销售额约3％权利金才行。

存储器业者表示，BE-SONOS系以3D架构为基础，单一芯片容量理论值可达100GB，是NAND Flash芯片取代传统硬碟最佳方案，未来若被广泛采用，光是相关权利金，就可让旺宏「躺著赚也赚不完」，若加计其它储存产品获消费性电子产品应用，商机将无远弗界，而这亦是东芝到此时不得不开始加紧脚步、快速切入SONOS研发领域的原因。

不过，东芝还未对外证实何时会开始采用SONOS技术量产DATA Flash产品，也没有提到会做到怎样的容量及可能面临的挑战，一切都还仅限于技术研发阶段，离真正量产时间点还有一段距离。

至于另1大厂三星电子(Samsung Electronics)亦做出一种类似SONOS技术，代号为Tanos。三星对外声称，已到最后收尾阶段，再过几个月应可进入量产阶段，目前得知三星将会在2008年正式开始投产Tanos的DATA Flash产品。

旺宏方面，董事长吴敏求日前对外表示，尽管短期内不会开始采用BE-SONOS量产Flash商品，但预计到2010年左右，将有机会采用45奈米制程投产BE-SONOS架构DATA Flash商品。

值得注意的是，目前生产NAND Flash主要来自于Floating gate技术，而SONOS几乎与Floating gate同时被发展出来，只是当时的SONOS由于进入大量生产，还有一段瓶颈需要克服，因此，几乎没有业者继续发展下去，直到近期发现未来要进入45奈米制程以下，若不采用SONOS技术，势必有其物理极限无法克服，因此，业者遂硬著头皮展开研发，希望让SONOS技术早日进入商业化阶段。

联合理财网   2007.06.13

内存封测厂挟5月营收触底、6月可望恢复成长动力的利多，吸引法人抢补持股。龙头力成（6239）第三季单月营收传出将上冲20亿元大关；泰林（5466 ）则有接获联咏（3034）LCD控制IC大单利多，可带动逻辑IC部门营运成长三成；南茂在驱动IC订单回增下，上半年营运确定较去年成长两成以上。

受到DRAM价今年来大跌逾七成影响，内存封测厂营运表现连带受到压抑，不过，随着DRAM价格落底在即、i-Phone上市激励Flash行情，下游封测厂6月起营运可望重新恢复成长动能，近期法人已逐渐开回补股票。

力成5月营收18.51亿元，已较4月回升3%，由6月订单看，有机会挑战3月所创的18.72亿元历史新高。目前封装产能利用率约90%、测试则在85%，下一季可望有提高5%左右。力成昨（12）日10点过后，股价即亮灯涨停，终场上涨8元、收127元、成交量放大至近2万张的水平。

法人表示，力成今年DRAM部分营运成长主要来自尔必达（Elpida）在力晶代工部分。力晶供给Elpida的产出比率将由去年的30%增加至今年的50%，另外，力晶12M厂（购自旺宏）以及下半年12C厂量产，再加上第二季起由90奈米转成70奈米所增加的产出，其中有一半均属于Elpi-da，都将交至力成作封装测试，使得力成今年DRAM部分的成长力道强劲。

Flash部分营收成长将来自包括东芝及新帝的订单增加，以及IM Flash新客户所带来的新订单。其中新帝去年占力成营收比重不到1%，今年将数倍成长。

泰林5月营收2.86亿元，创下单月历史第三高记录，日前传出公司接获联咏（3034）、晨星、日本OKI等多家大厂LCD控制IC订单，可带动第二季逻辑IC部门营运大幅成长三成，第三季，内存客户东芝、海力士有机会扩大释单，单季营运具创新高实力。

法人表示，泰林第二季营收与上季相较，成长幅度约落在7%~10%，其中部分逻辑机台折旧摊提完毕下，第二季单月折旧费用可较上季减少约0.25亿元至0.3亿元，加上逻辑部门已转亏为盈，有助第二季毛利率回升至40%以上。昨天股价上涨1.1 元、收29元整，成交量1.54万余张。

南茂虽认为第二季是营运淡季，但营收仍预计可较首季成长5%以上，单季营收挑战58亿元到60亿元之间。上半年营收应该有机会较去年同期大幅成长两成至三成，全年营运预计较去年成长两成以上。

南茂近期传出接获客户长期订单，包括DDRⅡ、Flash等产能。为因应明年产能扩充的资金需求，公司今日将与银行团签订60亿元的联贷契约。

中时理财网  2007-06-13  彭暄贻/台北报导

    虽然第二季为Nand Flash销售淡季，惟SanDisk进场大量采购、Apple在下半年推出多款新产品，报价维持平稳，尤其近日低容量NAND Flash颗粒供货短缺，促使市场价格开始出现往上调整，单周涨幅达18％、22％之多。影响所及，模块厂创见（2451）、威刚（3260）营运行情看俏，带动股价带量攀扬。

    分析师指出，今年以来内存相关厂商仅创见、群联、安国的股价表现明显优于大盘。随着PC厂商的DRAM库存降低，韩系大厂产出成长率趋缓，以及第三季进入需求旺季，模块厂、IC设计的营运能够率先翻扬，优先建议标的以创见、群联、威刚、华亚科为追踪焦点。

    受制NAND Flash价格下修，生产1Gb、2Gb颗粒的毛利无法和8Gb以上容量的颗粒相比，相关厂商因而开始调降1Gb、2Gb NAND Flash颗粒的产能。不过，近几周NAND Flash低容量的颗粒价格反倒因供应端产出明显减少，开始持续向上调涨。

    集邦科技（DRAMeXchange）认为，目前NANDFlash供货商将1Gb和2Gb颗粒优先供给需内建NAND Flash装置的厂商，而手机制造商和通路商附赠的microSD记忆卡也耗用不少NAND Flash供货商的2Gb颗粒。在供货商低容量颗粒减产，外加这几项固定耗用1Gb和2Gb颗粒的产品有持续稳定的市场需求下，短期内1Gb、2Gb价格将出现易涨难跌情况。

    创见为少数能打入日本市场的外资厂商，今年更于香港九设立形象馆，做为切入大陆市场跳板，搭配快速生产和价格弹性，争取PC大厂OEM订单；法人推估，创见今年Nand Flash产品出货量年增率五倍、DRAM模块成长一倍，全年EPS约有10元以上水平。

中时理财网  2007-06-13   王尹轩/台北报导

    台湾在十二寸晶圆代工地位，将跃居全球龙头。根据经济部工业局统计，除了目前既有的十三座量产中的十二寸晶圆厂外，台积电、联电、瑞晶、茂德等各家半导体业者总计还有廿六座十二寸厂规划建构中，此举也吸引恩智浦（NXP）、德仪（TI）等IDM厂频与台积电、联电巩固合作关系。

各家业者为了推升晶圆代工技术，纷纷布局十二寸晶圆厂，目前台湾已有十三座量产中，还有二六座在建构规划中。七座建构中晶圆厂的业者，包括台积电与联电在南科各有一座，中科方面，DRAM厂瑞晶规划二座，华亚一座，另外还有南亚及茂德也各一座。

联合理财网  2007-06-13  记者徐睦钧∕台北报导

    创见 (2451)近期受惠NAND价格续涨，加上公司表示，今年大陆市场的业绩成长快速，全年可望较去年有3倍以上的成长，且下半年目前看起来内存市况不差，营运将自本季落底，营收则自5月已开回升，渐入佳境。创见今年布局有三点，分别为中国、美洲，以及OEM市场，目前除中国部分进度超前外，下半年美洲及OEM才会有明显的成长，短线在DRAM价格止稳，Flash价格走升下，下半年营运成长可期。

科技投资网  2007-06-13

三洋半导体日前发表采用SPI接口的高速NOR闪存，产品依容量分为8Mb的「LE25FW806/808」与16Mb的「LE25FW1606/1608」。标准page写入时间0.3ms，最长0.5ms，16Mb完整写入则最长须4.1秒，速度达到传统NOR型SPI产品的5倍。

LE25FW808/1608读取速度与16bit parallel接口产品相当。当SPI以50MHz最高动作频率运作时，读取速度达到400Mbps。与标准型SPI闪存相较，读取速度达到8倍。该公司表示，采用此次新开发的产品，不仅可缩减初期启动时间，由于本身具备高速运作的特性，亦可缩减DRAM与SRAM、降低生产成本。

产品电源电压范围为2.7～3.6V，封装分为MFP-8、MSOP-8M与VSON-8三款。LE25FW806/808目前已开始样品出货，样品价格200日圆。LE25FW1606/1608样品价格300日圆，预定于2007年6月底开始样品出货。量产业务则均预定于2007年12月开始。